【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体的，涉及一种封装结构的制备方法。
技术介绍
1、晶圆级芯片规模封装(wafer level chip scale packaging，wlcsp)是一种先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的ic颗粒的封装测试方法。晶圆级芯片规模封装由于封装后的体积等同ic裸晶的原尺寸，具有缩小尺寸，提升速度的优点受到越来越广泛的关注和应用。
2、晶圆级芯片规模封装方法需要先在晶圆上形成用于封装的凸块(bump)，形成凸块的方法其中一种常用的方法是植球方法，其一般先形成种子层(seed layer)，然后通过光刻定义凸块下金属层(under bump metallization，ubm)的区域并通过电镀形成凸块下金属层，再去除光刻胶层以及凸块下金属层之外的种子层，最后在凸块下金属层上放置焊球并执行回流形成焊球凸块。然而，随着圆片级封装的迅速发展，焊球的直径越来越小，而其与凸块下金属层的接触面积也不断减小，使得焊球与凸块下金属层的粘附能力下降，从而影响整个封装结构的可靠性。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供一种封装结构的制备方法，在形成凸块下金属层之前，先对重新布线层中的金属线层进行刻蚀，使金属线层的表面低于介质层的表面，再利用光刻工艺在金属线层表面形成凸块下金属层，使得凸块下金属层的表面具有凹陷形貌，最后在凸块下金属层的表面凹陷处植球以形成焊球。本专利技术提供的封装结构的制备方法通过使凸块下金属层表面形成凹陷形貌，从而
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种封装结构的制备方法，包括如下步骤：
3、s1：提供第一支撑基底，在所述第一支撑基底上形成第一分离层；
4、s2：在所述第一分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括介质层和金属线层，其中，所述金属线层形成于所述介质层内部及表面；
5、s3：提供第二支撑基底，并将其粘合于所述重新布线层上；
6、s4：自所述第一分离层处将所述第一支撑基底剥离，以暴露出所述重新布线层；
7、s5：刻蚀去除所述重新布线层中的部分所述金属线层，使所述金属线层的表面低于所述介质层的表面；
8、s6：在所述金属线层表面沉积形成凸块下金属层，所述凸块下金属层覆盖所述介质层的部分表面，且所述凸块下金属层的表面具有凹陷形貌；
9、s7：在所述凸块下金属层表面的凹陷处植球以形成焊球，所述焊球与所述凸块下金属层电连接。
10、可选的，步骤s2中，形成重新布线层包括如下步骤：
11、s21：在所述第一分离层表面形成图形化的介质层，所述图形化的介质层包括若干个在所述第一分离层表面间隔排布的介质层，且相邻介质层之间形成有第一开孔；
12、s22：在步骤s21得到的结构表面溅射形成种子层；
13、s23：在步骤s22得到的结构表面沉积光阻，并图形化所述光阻以形成第二开孔，所述第二开孔与所述第一开孔同轴设置，且所述第二开孔的孔径大于所述第一开孔的孔径；
14、s24：基于所述种子层在所述第二开孔中电镀金属，以形成所述金属线层；
15、s25：去除所述光阻及所述光阻覆盖的所述种子层，以形成所述重新布线层。
16、可选的，所述重新布线层包括两层介质层和两层金属线层，不同的所述金属线层相互电连接。
17、可选的，步骤s3中，所述第二支撑基底通过粘结层粘合于所述重新布线层上，且所述第二支撑基底与所述粘结层之间还设置有第二分离层。
18、可选的，步骤s4中，自所述第一分离层处将所述第一支撑基底剥离的方法选自激光照射法、溶剂浸泡分离法、研磨去除法中的一种。
19、可选的，所述第一分离层和所述第二分离层均包括光热转换层，采用激光照射法将所述第一支撑基底剥离。
20、可选的，步骤s5中，采用湿法刻蚀的方法去除所述重新布线层中的部分所述金属线层。
21、可选的，步骤s5中，所述金属线层的表面比所述介质层的表面低2μm～10μm。
22、可选的，步骤s6中，采用电镀工艺形成所述凸块下金属层。
23、可选的，步骤s7中，通过植球回流工艺焊接所述焊球与所述凸块下金属层。
24、本专利技术提供的封装结构的制备方法，至少具有以下有益效果：
25、本专利技术提供的封装结构的制备方法通过使凸块下金属层表面具有凹陷的形貌，从而增大了凸块下金属层与焊球的接触面积，增大了二者的黏附性，减小了焊球掉落的风险，提高了植球良率，进而提高了封装结构的可靠性。
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1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，形成重新布线层包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述重新布线层包括两层介质层和两层金属线层，不同的所述金属线层相互电连接。
4.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述第二支撑基底通过粘结层粘合于所述重新布线层上，且所述第二支撑基底与所述粘结层之间还设置有第二分离层。
5.根据权利要求4所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S4中，自所述第一分离层处将所述第一支撑基底剥离的方法选自激光照射法、溶剂浸泡分离法、研磨去除法中的一种。
6.根据权利要求5所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一分离层和所述第二分离层均包括光热转换层，采用激光照射法将所述第一支撑基底剥离。
7.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S5中，采用湿法刻蚀的方法去除所述所述重新布线层中的部分所述金属线层。
8.根
9.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S6中，采用电镀工艺形成所述凸块下金属层。
10.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S7中，通过植球回流工艺焊接所述焊球与所述凸块下金属层。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤s2中，形成重新布线层包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述重新布线层包括两层介质层和两层金属线层，不同的所述金属线层相互电连接。
4.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述第二支撑基底通过粘结层粘合于所述重新布线层上，且所述第二支撑基底与所述粘结层之间还设置有第二分离层。
5.根据权利要求4所述的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤s4中，自所述第一分离层处将所述第一支撑基底剥离的方法选自激光照射法、溶剂浸泡分离法、研磨去除法中的一种。
【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，周祖源，薛兴涛，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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