一种提升传输带宽的装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种提升传输带宽的装置，包括：信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。在通过打线金丝连接的传输通道上，在信号传输线与侧边地之间设置电容，利用打线金丝（Ｗｉｒｅ?Ｂｏｎｄｉｎｇ）本身呈现出的感性特征以及与之并联的所述电容组成一个ＬＣ谐振电路，在频域上形成一个在频带内的谐振点，从而迫使回损曲线上升趋势延缓，因此得以扩展频带宽度，使得ＲＦ信号的传输通道的带宽得到扩展。

Device for enhancing transmission bandwidth

The embodiment of the invention discloses a device for improving the transmission bandwidth, the signal transmission line, located on both sides of the signal transmission line side, and a capacitor is arranged on the transmission line between the signal and the side of the signal transmission line to microstrip line, the signal transmission line with the side to constitute a coplanar waveguide transmission line form. In the transmission channel is connected by a wire wire, set the capacitance between the signal transmission line and side, using wire wire (Wire? Bonding) a LC resonant circuit itself shows the perceptual characteristics and the parallel capacitors in a band resonant point formed in the frequency domain on the back, thus forcing the loss curve upward trend slowed, so to expand the bandwidth, the transmission channel of the RF signal bandwidth.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子通信
，特别涉及一种提升传输带宽的装置。
技术介绍
现有的光电器件，例如TOSA (Transmitter Optical Sub-Assembly,发送光组件) 的光电转换模块，其中的基板与封装管壳之间采用金丝线(Wire Bonding)进行连接，实现 信号传输。 专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现现有技术至少存在以下缺点 由于金丝线(WireBonding)呈现一定的电感特性，从而导致传输通道的阻抗不连续，传输带宽受到很大的限制。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种提升传输带宽的装置，设置在通过打线金丝连接的传输通道上，在信号传输线与侧边地之间设置电容，从而可以扩展传输通道的带宽。 本专利技术的实施例采用如下技术方案 —种提升传输带宽的装置，包括信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边 地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述 信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。 —种通信设备，所述通信设备基板，封装管壳，以及提升传输带宽的装置，所述提升传输带宽的装置设置在所述基板或封装管壳上，或者，在所述基板和封装管壳上均设置所述提升传输带宽的装置，其中，所述提升传输带宽的装置包括信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。上述技术方案中具有如下的优点 在本专利技术的实施例中，在通过打线金丝连接的传输通道上，在信号传输线与侧边 地之间设置电容，利用打线金丝(Wire Bonding)本身呈现出的感性特征以及与之并联的所 述电容组成一个LC谐振电路，在频域上形成一个在频带内的谐振点，从而迫使回损曲线上 升趋势延缓，因此得以扩展频带宽度，使得RF信号的传输通道的带宽得到扩展。附图说明 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种提升传输带宽的装置的一种实施例的示意图； 图2为本专利技术一种提升传输带宽的装置的电路原理的示意 图3为本专利技术一种提升传输带宽的装置的回损曲线效果的示意图； 图4为本专利技术一种提升传输带宽的装置位于基板的示意图； 图5为本专利技术一种提升传输带宽的装置中采用MIM电容的示意图； 图6为本专利技术一种提升传输带宽的装置中采用VIC电容的示意图； 图7为本专利技术一种提升传输带宽装置的一种应用场景的示意图； 图8为本专利技术一种提升传输带宽装置的另一种应用场景的示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 如图1所示本专利技术的实施例提供一种提升传输带宽的装置，包括信号传输线1， 位于所述信号传输线1两侧的侧边地2，以及设置于所述信号传输线1与所述侧边地2之间 的电容3。 在本专利技术的实施例中，所述信号传输线可以为微带线，并且所述信号传输线与所 述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。 本专利技术所述提升传输带宽的装置的实施例可以应用于采用打线金丝连接的传输 通道上。例如如图1所示，信号传输线1，以及所述侧边地2设置于具有光器件或电器 件或光电器件的基板7上，所述基板7与封装管壳6的焊盘61之间采用打线金丝(Wire Bonding)4连接。参见图2，图2为所述提升传输带宽的装置的电路原理图，打线金丝(Wire Bonding)4本身呈现出感性的特征，相当于电感，通过在光电器件封装内的基板或封装管壳 内的焊盘处加适当容量的电容并联到地，利用打线金丝(Wire Bonding) 4本身呈现出的感 性特征以及与之并联的所述电容组成一个LC谐振电路，在频域上形成一个在频带内的谐 振点，从而迫使回损曲线上升趋势延缓，因此得以扩展频带宽度，使得RF信号的传输通道 的带宽得到扩展，从而可以实现更高速率的信号传输，同时也改善了整个传输通道的插入 损耗(参见图3)。 在本专利技术的实施例中，所述封装管壳的焊盘，可以为光电器件封装的电接口的焊 盘。另外，所述信号传输线，及侧边地可以设置于封装管壳上，例如所述信号传输线，及侧 边地可以设置于封装管壳内的焊盘上。或者，如图4所示，在基板7上设置所述信号传输线 1 ，侧边地2及电容3，并且，在封装管壳6上也设置所述信号传输线1 ，侧边地2及电容3，所 述基板7与所述封装管壳6之间通过打线金丝4连接。 图3为采用打线金丝连接的传输通道，显示了添加电容前后，回损-lOdB的截止频 率点的变化，以及采用电容后的插损改善情况。在图3中，ml和m3为没有设置电容的情况； m2和m4为设置了交指电容的情况。从图中，可以看出，通过设置电容，使得传输通道的回 损曲线在有效带宽内形成谐振点，从而使得传输通道的回损满足小于-lOdB的截止频率从 5. 3GHz提升到23. 4GHz，大大扩展了传输带宽，因而使得其能够传输更高速率的信号。 在本专利技术的实施例中，所述电容可以为平板电容，或交指电容、 MIM(MetalInsulation Metal，金属/绝缘层/金属)电容，或VIC(VerticalInterdigitalC即acitor，垂直插指式电容)电容等。 如图5所示，所述电容为MIM电容时，所述MIM电容包括顶层金属面和底层金属面，所述顶层金属面和底层金属面分别设置在所述基板内部的两层金属导体层上，所述顶层金属面与所述信号传输线位于同一层金属导体层。所述底层金属面通过通孔连接到所述顶层金属面，并且与所述侧边地连接。所述顶层金属面与所述信号传输线连接。 如图6所示，所述电容为VIC电容时，所述VIC电容包括多层金属面。所述多层金属面互相交叠，并且分别位于所述基板内部的多层金属导体层上，其中，所述相互交叠的多层金属面形成所述VIC电容两极，位于所述VIC电容顶层的金属面与所述信号传输线位于同一层金属导体层。位于所述VIC电容一极的多层金属面通过通孔连接，并与所述侧边地连接；位于所述VIC电容另一极的多层金属面通过通孔连接到所述VIC电容顶层的金属面，并与所述信号传输线连接。 在本专利技术的实施例中，电容可以集成在基板内部，不会增加基板面积，也不用增加 成本，而且也不用后续对所述电容进行组装装配，且电容容值不随外部环境变化而变化。 在本专利技术的实施例中，在所述信号传输线和侧边地之间设置所述电容时，如果所 述信号传输线或所述侧边地连接在焊盘上，所述电容可以通过与所述焊盘连接，实现与所 述信号传输线或所述侧边地的连接，从而与连接在所述焊盘上的打线金丝构成LC谐振回 路。这样，如果所述电容连接在焊盘上，电容的添加也使得打线金丝的焊盘面积增大，在设 置多根打线金丝时，能进一步增大打线金丝之间的间距，减小连接基板和封装管壳之间连 接的所有打线金丝的总的电感量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提升传输带宽的装置，其特征在于，包括：信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。

【技术特征摘要】
一种提升传输带宽的装置，其特征在于，包括信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。2. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于基 板上，所述基板与封装管壳的焊盘之间采用打线金丝连接。3. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，及侧边地设置于封装管壳 内的焊盘上，所述封装管壳内的焊盘与基板之间采用打线金丝连接。4. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，在基板上设置所述信号传输线，侧边地及电 容，并且，在封装管壳上也设置所述信号传输线，侧边地及电容，所述基板与所述封装管壳 之间通过打线金丝连接。5. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容为交指电容。6. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于基 板上，所述电容为MM电容，所述MM电容包括顶层金属面和底层金属面，所述顶层金属面 和底层金属面分别设置在所述基板内部的两层金属导体层上，所述顶层金属面与所述信号 传输线位于同一层金属导体层，所述底层金属面通过通孔连接到所述顶层金属面，并且与 所述侧边地连接。所述顶层金属面与所述信号传输线连接。7. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于基 板上，所述电容为VIC电容，所述VIC电容包括多层金属面。所述多层金属面互相交叠，并且 分别位于所述基板内部的多层金属导体层上，其中，所述相互交叠的多层金属面形成所述 VIC电容两极，位于所述VIC电容顶层的金属面与所述信...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡立辉，杨睿，程诗平，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]