【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及一种封装结构。
技术介绍
1、在半导体封装结构中，扇出型基板上芯片(focos)相较一般球栅阵列(bga)产品不同，扇出型管芯(fanoutdie)本身为由管芯组合而成的复合式管芯，并以再分布结构(rdl)中的细线路进行导通连接：
2、1.最初是连接处的底部填充层(uf)出现断裂脱离的状况，经过多次材料验证后，以增加高带宽存储器(hbm)至直流专用集成电路(dc asic)之间的间隙(诸如70μmto200μm)的底部填充层的量成功改善断裂脱离问题；以及
3、2.在底部填充层的断裂问题解决之后，又在电性测试时出现断路问题，经分析是位于高带宽存储器(hbm)至直流专用集成电路(dcasic)之间的间隙中的细线路，透过不断的材料变更及结构补强后仍无法有效完全改善细线路(诸如迹线)断裂的出现；具体如下：
4、参见图1a至图1d，其中，图1a示出了扇出型基板上芯片10的顶视图，图1b示出了沿着图1a的线l-l的截面图，并且图1c和图1d示出了热区区域a的放大视图。具体地，扇出型基板上芯片10的扇出型管芯相较一般芯片级封装(csp)产品结构，高带宽存储器(hbm)11与专用集成电路(asic)管芯12以及伪管芯13以凸块(bumping)制程的再分布结构(rdl)14中的细线路14t相互连接，再进行模制，从而将高带宽存储器(hbm)11与专用集成电路(asic)管芯12封装在模制化合物(cpd)15中。但由于高带宽存储器(hbm)11与专用集成电路(asic)管芯12两者材料性质相异，
5、之后，通过在再分布结构(rdl)14下方模制另一模制化合物(cpd)用以平衡再分布结构(rdl)14上方的模制化合物(cpd)15，但由于上面的模制化合物(cpd)15用以封装高带宽存储器(hbm)11与专用集成电路(asic)管芯12，因此，其热应力行为无法判断，因此，还是会造成热区区域a的细线路14t断裂c的问题。
6、可见，扇出型基板上芯片(focos)的扇出型管芯在过回流或炉等各项热制程的情况下，因材料特性的不同，硅材质的专用集成电路(asic)管芯12与外边包覆模制化合物15中的高带宽存储器(hbm)11产生失配，导致连接的热区区域a处受到拉扯发生断裂c，使得扇出型基板上芯片(focos)的扇出型管芯热区(即，热区区域a)应力迹线(即，细线路14t)连接断裂c。
技术实现思路
1、为了解决扇出型基板上芯片(focos)的扇出型管芯中的电子元件之间连接的的迹线(即，细线路)因温度变化所产生的断裂问题，本申请通过结构设计降低连接处的应力值，并且采取改变结构的方式成功解决了迹线连接处的应力问题。
2、具体地，本申请提供了一种封装结构，包括：导线结构，包括上表面和与所述上表面相对的下表面；第一模制化合物，位于所述导线结构的下表面下方；第二模制化合物，位于所述导线结构的上表面上方；以及第一电子元件，位于所述第二模制化合物上方且与所述第二模制化合物间隔开，其中，所述第一模制化合物的厚度与所述第二模制化合物的厚度实质相同。
3、在一些实施例中，封装结构还包括：第三模制化合物，密封所述第一电子元件。
4、在一些实施例中，封装结构还包括：第二电子元件，由所述第三模制化合物密封，其中，所述第二电子元件通过所述导线结构与所述第一电子元件通讯。
5、在一些实施例中，所述第二模制化合物与所述第三模制化合物间隔开。
6、在一些实施例中，封装结构还包括：介电层，位于所述第二模制化合物与所述第三模制化合物之间。
7、在一些实施例中，封装结构还包括：第一导电柱，位于所述第一模制化合物内；以及第二导电柱，位于所述第二模制化合物内，其中，在与所述第一导电柱或所述第二导电柱的延伸方向垂直的方向上，所述第一导电柱的宽度大于所述第二导电柱的宽度。
8、在一些实施例中，所述第一导电柱的数量小于所述第二导电柱的数量。
9、在一些实施例中，所述第一电子元件通过焊球接合至所述介电层中的金属线。
10、在一些实施例中，封装结构还包括：底部填充物，设置在所述介电层与所述第一电子元件之间并且围绕所述焊球。
11、在一些实施例中，封装结构还包括：第三电子元件，由所述第三模制化合物密封并且与所述第二电子元件并排设置。
12、在一些实施例中，所述第三电子元件是伪管芯。
13、在一些实施例中，所述第一模制化合物与所述导线结构的下表面直接接触，并且所述第二模制化合物与所述导线结构的上表面直接接触。
14、在一些实施例中，所述第一模制化合物与所述第二模制化合物相同或不同。
15、在一些实施例中，所述第三模制化合物的顶面与所述第一电子元件和所述第二电子元件的顶面齐平。
16、在一些实施例中，所述介电层的厚度小于所述导线结构的厚度。
17、在一些实施例中，所述介电层的厚度小于所述第一模制化合物的厚度和所述第二模制化合物的厚度。
18、在一些实施例中，封装结构还包括：外部连接件，连接至所述第一导电柱，其中，所述外部连接件与所述第一导电柱相对应。
19、在一些实施例中，所述第一导电柱和所述第二导电柱为铜柱。
20、在一些实施例中，所述第一电子元件为专用集成电路。
21、在一些实施例中，所述第二电子元件为高带宽存储器。
22、通过本申请提供的封装结构，有效减少了电子元件之间的间隙区域中的迹线(即，细线路)所产生的应力集中及导线结构中的迹线(线路)断裂问题。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二模制化合物与所述第三模制化合物间隔开。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电柱的数量小于所述第二导电柱的数量。
8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一电子元件通过焊球接合至所述介电层中的金属线。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二模制化合物与所述第三模制化合物间隔开。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的封...
【专利技术属性】
技术研发人员：锺明翰，陈威龙，郑博仁，王维仁，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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