【技术实现步骤摘要】
本申请属于集成，具体涉及一种模数转换器运放电路、模数转换器和收发机。
技术介绍
1、本部分旨在为权利要求书中陈述的本申请的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
2、模数转换器运放电路中多级级联的放大器可以达到比单级级联的放大器更高的单位增益带宽，从而提高电路性能。但由于稳定性和寄生的限制，目前主流的运放电路通常仅包括一级或两级的运放。因此，本领域亟需一种单位增益带宽较高且稳定性更好的模数转换器运放电路。
技术实现思路
1、针对上述现有技术中存在的问题，提出了一种模数转换器运放电路、模数转换器和收发机，利用这种运放电路、采样保持器及模数转换器，能够解决上述问题。
2、本申请提供了以下方案。
3、第一方面，本申请实施例提供了一种模数转换器运放电路，包括：第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器；
4、第一级放大器和第二级放大器采用环路结构；
5、第三级放大器连接第二级放大器的输出端，所述第三级放大器为单级反相器。
6、在一些可能的实施例中，第一级放大器的环路结构包括：
7、第一对共基极连接的晶体管和第二对共基极连接的晶体管。
8、在一些可能的实施例中，第一对共基极连接的晶体管包括共栅极的第一pmos管和第一nmos管；
9、第二对共基极连接的晶体管包括共栅极的第二pmos管和第二nmos管；
10、第二pmos管的源极连接电源，第
11、第一pmos管的栅极和第一nmos管的栅极均连接输入信号；
12、第二pmos管的栅极和第二nmos管的栅极通过并联的电容和电阻连接第一pmos管的漏极。
13、在一些可能的实施例中，第二级放大器环路包括：
14、第三对共基极连接的晶体管和第四对共基极连接的晶体管。
15、在一些可能的实施例中，第三对共基极连接的晶体管包括共栅极的第三pmos管和第三nmos管；
16、第四对共基极连接的晶体管包括共栅极的第四pmos管和第四nmos管；
17、第四pmos管的源极连接电源，第四pmos管的漏极连接第三pmos管的源极，第三pmos管的漏极连接第三nmos管的漏极和第三级放大器的输入端，第三nmos管的源极连接第四nmos管的漏极，第四nmos管的源极接地；
18、第三pmos管的栅极和第三nmos管的栅极均连接第二级放大器的输入端；
19、第四pmos管的栅极和第四nmos管的栅极通过并联的电容和电阻连接第三pmos管的漏极。
20、在一些可能的实施例中，第三级放大器包括：第五对共基极连接的晶体管。
21、在一些可能的实施例中，第五对共基极连接的晶体管包括：共栅极的第五pmos管和第五nmos管；
22、第五pmos管的源极连接电源，第五pmos管的漏极连接第五nmos管的漏极，第五nmos管的源极接地；
23、第三pmos管的栅极和第三nmos管的栅极均连接第三级放大器的输入端，并通过串联的电容和电阻连接第五pmos管的漏极和第三级放大器的输出端。
24、在一些可能的实施例中，第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器均为基于反相器的放大器。
25、在一些可能的实施例中，第一级放大器、第二级放大器为直流运放环路。
26、第二方面，本申请提供了一种模数转换器，包括上述的模数转换器运放电路。
27、第三方面，本申请提供了一种收发机，包括上述的模数转换器。
28、由此可知，本申请实施例提供的模数转换器运放电路通过是在传统两级运放的基础上，增加一级运放提升了运放电路的单位增益带宽。而且本申请中的三级运放电路均基于放大器进行设计，放大器的结构简单，寄生电路较少，一方面可以最大程度地达到电路中原件的极限增益带宽，另一方面一级放大器和二级放大器的级联设计，也增加了运放电路的稳定性。如此，本申请实施例提供的基于放大器的三级运放电路可以在达到较高的单位增益带宽基础上，稳定性也较好。
29、本申请的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。
30、应当理解，上述说明仅是本申请技术方案的概述，以便能够更清楚地了解本申请的技术手段，从而可依照说明书的内容予以实施。为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举例说明本申请的具体实施方式。
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1.一种模数转换器运放电路，其特征在于，包括：第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器；
2.根据权利要求1所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第一级放大器的环路结构包括：
3.根据权利要求2所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第一对共基极连接的晶体管包括共栅极的第一PMOS管和第一NMOS管；
4.根据权利要求3所述的模数转换器运放电路，其特征在于，第二级放大器环路包括：
5.根据权利要求4所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第三对共基极连接的晶体管包括共栅极的第三PMOS管和第三NMOS管；
6.根据权利要求4所述的模数转换器运放电路，其特征在于，第三级放大器包括：第五对共基极连接的晶体管。
7.根据权利要求6所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第五对共基极连接的晶体管包括：共栅极的第五PMOS管和第五NMOS管；
8.根据权利要求1所述的模数转换器运放电路，其特征在于，第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器均为基于反相器的放大器。
9.根据权利要求1所述
10.根据权利要求6所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第二NMOS管的源极接地、所述第四NMOS管的源极接地和所述第五NMOS管的源极接地。
11.一种模数转换器，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的模数转换器运放电路。
12.一种收发机，其特征在于，包括权利要求11所述的模数转换器。
...【技术特征摘要】
1.一种模数转换器运放电路，其特征在于，包括：第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器；
2.根据权利要求1所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第一级放大器的环路结构包括：
3.根据权利要求2所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第一对共基极连接的晶体管包括共栅极的第一pmos管和第一nmos管；
4.根据权利要求3所述的模数转换器运放电路，其特征在于，第二级放大器环路包括：
5.根据权利要求4所述的模数转换器运放电路，其特征在于，所述第三对共基极连接的晶体管包括共栅极的第三pmos管和第三nmos管；
6.根据权利要求4所述的模数转换器运放电路，其特征在于，第三级放大器包括：第五对共基极连接的晶体管。
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨扬，陈俊杰，
申请(专利权)人：杭州地芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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