【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种衰减相移掩模分析方法及装置。
技术介绍
1、衰减相移掩模(attenuated phase-shift mask，简称att.psm)是一种在光刻技术中常用的掩模类型。它通过在掩模上引入特定的相位偏移和衰减来调控光场的干涉效应，从而实现对光刻图形的精确控制。衰减相移掩模已被证明是一种有望提高极紫外(euv)光刻成像性能的分辨率增强技术。
2、然而，由于掩模结构具有反射性质，严重的阴影效应可能会强烈影响掩模附近的衍射近场，并进一步影响光刻成像。为了提高光刻成像的对比度，本文提出了一种新型的att.psm结构。通过在掩模吸收层边缘引入一个吸收性的侧壁，以减轻衍射和阴影效应。
3、但是对于吸收侧壁如何影响衰减相移掩模的性能，相关技术中并没有一种行之有效的方法以为理解和优化该衰减相移掩模进行分析和提供应用指导。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供了一种衰减相移掩模分析方法及装置，旨在解决衰减相移掩模的分析问题，以便更好地理解和优化衰减相移掩模在光学成像系统中的应用。
2、第一方面，本申请提供了一种衰减相移掩模分析方法，所述方法包括：
3、将待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上划分成若干个层；
4、将所述若干个层的每一层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于所述若干个层建立波导模型；
5、对所述波导模型求解得到所述衰减相移掩模的光场分布和目标特征值；
6、基于所述目标特
7、可选地，所述将待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上划分成若干个层，包括：
8、将所述待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上进行划分，形成多个预设厚度的水平层；所述每个预设厚度的水平层在垂直于表面的方向上均匀分布，所述预设厚度小于垂直于表面的方向上的预设分辨率。
9、可选地，所述将所述若干个层的每一层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于所述若干个层建立波导模型，包括：
10、对每个划分的层进行光学特性的建模并使用衰减相移掩模预设线空图形和预设接触孔图形；所述光学特性包括折射率、透射率、衰减系数以及每个层中材料的厚度；
11、将每个层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于麦克斯韦方程描述波导结构的光学行为，并基于所述波导结构确定边界条件；所述边界条件包括电场和磁场在波导表面上的连续性和介质界面上的边界条件；
12、基于所述麦克斯韦方式和所述边界条件确定特征方程得到波导模型。
13、可选地，所述对所述波导模型求解得到所述衰减相移掩模的光场分布和目标特征值，包括：
14、使用数值方法对所述波导模型的特征方程进行求解得到所述波导模型的本征值；
15、基于所述波导模型的本征值得到波导结构的本征频率和对应的本征模式。
16、可选地，在对每个划分的层进行光学特性的建模时，所述照明方式为四极照明、水平二极照明和竖直二极照明其中的一种；所述预设线空图形为线宽为12nm的l/s图形，所述预设接触孔图形为线宽为15nm的接触孔图形，当调整所述线宽时，所述线宽的变化范围为预设线宽的2～5倍。
17、可选地，所述基于所述波导结构确定边界条件包括：
18、基于所述衰减相移掩模预设线空图形设置所述波导表面上的边界条件，基于所述预设接触孔图形设置所述介质界面上的边界条件。
19、可选地，所述衰减相移掩模包括相移层和位于相移层两侧的吸收侧墙，所述基于所述目标特征值通过对比度和nils评估确定所述待仿真的衰减相移掩模的清晰度和分辨率，包括：
20、基于所述吸收侧墙的宽度变化得到不同的目标特征值；
21、基于所述不同的目标特征值通过对比度和nils的评估确定所述衰减相移掩模的清晰度和分辨率；
22、所述方法还包括：
23、基于所述衰减相移掩模的清晰度和分辨率确定不同边界条件下所述吸收侧墙的最佳宽度。
24、可选地，所述衰减相移掩模包括相移层和位于相移层两侧的吸收侧墙，所述方法还包括：
25、基于基尔霍夫近似得到所述衰减相移掩模的透过率表达式；所述透过率表达式包括衰减相移掩模的相移层和位于相移层两侧的吸收侧墙结构；
26、在夫琅禾费衍射条件下，确定所述衰减相移掩模的掩模衍射频谱；
27、基于所述衰减相移掩模的掩模衍射频谱和透射交叉系数得到所述衰减相移掩模的空间像强度分布公式；所述透射交叉系数用于表示所述衰减相移掩模对应的光学成像系统和照明相关的函数；
28、基于所述衰减相移掩模的空间像强度分布得到所述衰减相移掩模分析结果。
29、第二方面，本申请提供了一种衰减相移掩模分析装置，所述装置包括：
30、划分模块，用于将待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上划分成若干个层；
31、波导模型构建模块，用于将所述若干个层的每一层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于所述若干个层建立波导模型；
32、求解模块，用于对所述波导模型求解得到所述衰减相移掩模的光场分布和目标特征值；
33、评估模块，用于基于所述目标特征值通过对比度和nils评估确定所述待仿真的衰减相移掩模的清晰度和分辨率。
34、第三方面，本申请提供了一种设备，所述设备包括存储器和处理器，所述存储器用于存储指令或代码，所述处理器用于执行所述指令或代码，以使所述设备执行前述第一方面任一实施方式所介绍的衰减相移掩模分析方法。
35、第四方面，本申请提供了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有代码，当所述代码被运行时，运行所述代码的设备实现前述第一方面任一实施方式所介绍的衰减相移掩模分析方法。
36、本申请提供了一种衰减相移掩模分析方法及装置。在执行方法时，先将待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上划分成若干个层，后将若干个层的每一层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于若干个层建立波导模型，然后对波导模型求解得到衰减相移掩模的光场分布和目标特征值，最后基于目标特征值通过对比度和nils评估确定待仿真的衰减相移掩模的清晰度和分辨率，以为衰减相移掩模提供科学的分析结果。这样，通过对衰减相移掩模进行euv光刻成像仿真分析，使得衰减相移掩模的性能实现数据可视化表达，达到了理解衰减相移掩模结构性能的效果。如此，可以解决衰减相移掩模的分析问题，以便更好地理解和优化衰减相移掩模在光学成像系统中的应用。
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1.一种衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述将待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上划分成若干个层，包括：
3.根据权利要求1所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述将所述若干个层的每一层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于所述若干个层建立波导模型，包括：
4.根据权利要求3所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述对所述波导模型求解得到所述衰减相移掩模的光场分布和目标特征值，包括：
5.根据权利要求3所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，在对每个划分的层进行光学特性的建模时，所述照明方式为四极照明、水平二极照明和竖直二极照明其中的一种；所述预设线空图形为线宽为12nm的L/S图形，所述预设接触孔图形为线宽为15nm的接触孔图形，当调整所述线宽时，所述线宽的变化范围为预设线宽的2～5倍。
6.根据权利要求3所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述基于所述波导结构确定边界条件包括：
7.根据权利要求1所述的衰减相移掩模
8.根据权利要求1所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述衰减相移掩模包括衰减相移层和位于衰减相移层两侧的吸收侧墙，所述方法还包括：
9.一种衰减相移掩模分析装置，其特征在于，所述装置包括：
10.根据权利要求9所述的衰减相移掩模分析装置，其特征在于，所述装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述将待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上划分成若干个层，包括：
3.根据权利要求1所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述将所述若干个层的每一层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于所述若干个层建立波导模型，包括：
4.根据权利要求3所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，所述对所述波导模型求解得到所述衰减相移掩模的光场分布和目标特征值，包括：
5.根据权利要求3所述的衰减相移掩模分析方法，其特征在于，在对每个划分的层进行光学特性的建模时，所述照明方式为四极照明、水平二极照明和竖直二极照明其中的一种；所述预设线空图形为线宽为12nm的l/s图形，所述预设接触...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晨，董立松，韦亚一，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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