【技术实现步骤摘要】
本技术属于高温炉体隔热，具体为一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏。
技术介绍
1、以sic为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。
2、对于sic半导体的生产通常使用的是高温纯化装备。高温纯化装备运行时的工作温度在2200-2400℃之间，在设备抽真空时有大量的高温气体通过真空系统过滤器被抽到真空泵内，由于气体温度高，为了防止过滤器和真空泵内的橡胶密封圈失效，需要在真空管路上安装水冷系统，高温气体通过真空管路的水冷系统降低气体温度，保证过滤器和真空泵内的橡胶密封圈不发生失效。
3、但是该水冷系统本身结构复杂，需要在高温纯化装备的冷却系统中分出一路用于真空管路冷却，为了监测流量和水温，需要加装流量计和水温传感器去检测水流量和水温，增加了系统设计的复杂性、降低了系统运行的可靠性。
技术实现思路
1、本技术克服了现有技术的不足，提出一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，解决高温纯化设备抽真空装置现有配套的水冷系统结构复杂，运行可靠性下降的问题。
2、为了达到上述目的，本技术是通过如下技术方案实现的。
3、一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，包括多层相间隔且串
4、进一步的，隔热屏结构为圆形，多层隔热屏结构相平行。
5、进一步的，隔热区域为一扇形的支撑板，隔热区域的内角为120°，通气区域的内角为240°。
6、更进一步的，相邻两层隔热屏结构的隔热区域相错120°。
7、进一步的，多层隔热屏结构的边缘通过金属格挡串联固定在一起。
8、更进一步的，多层隔热屏结构的中心串联一根金属格挡，三根金属格挡均匀分布在多层隔热屏结构的边缘并与各层固定连接。
9、本技术相对于现有技术所产生的有益效果为：
10、本技术用于高温纯化装备抽真空时对真空管路内高温气体的充分降温。替代了现有复杂的水冷系统，仅使用真空系统隔热屏就可以起到真空管路降温的方案。保证了高温气体的降温的同时解决了高温纯化设备抽真空装置现有配套的水冷系统结构复杂，运行可靠性下降的问题。保证了过滤器和真空泵内的橡胶密封圈不发生失效。
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1.一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，其特征在于，包括多层相间隔且串联固定的隔热屏结构（5），所述隔热屏结构（5）包括通气区域（1）、隔热区域（2）和翅片（3）；通气区域（1）为镂空结构，隔热区域（2）为一支撑板，多个翅片（3）固定在支撑板的背面；相邻两层隔热屏结构（5）上的隔热区域（2）交错设置；多层隔热屏结构（5）设置在半导体高温纯化设备的抽真空管路内，隔热区域（2）未设置翅片（3）的一面朝向真空管路内的气流方向。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，其特征在于，隔热屏结构（5）为圆形，多层隔热屏结构（5）相平行。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，其特征在于，隔热区域（2）为一扇形的支撑板，隔热区域（2）的内角为120°，通气区域（1）的内角为240°。
4.根据权利要求3所述的一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，其特征在于，相邻两层隔热屏结构（5）的隔热区域（2）相错120°。
5.根据权利要求2所述的一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热
6.根据权利要求5所述的一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，其特征在于，多层隔热屏结构（5）的中心串联一根金属格挡（4），三根金属格挡（4）均匀分布在多层隔热屏结构（5）的边缘并与各层固定连接。
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，其特征在于，包括多层相间隔且串联固定的隔热屏结构（5），所述隔热屏结构（5）包括通气区域（1）、隔热区域（2）和翅片（3）；通气区域（1）为镂空结构，隔热区域（2）为一支撑板，多个翅片（3）固定在支撑板的背面；相邻两层隔热屏结构（5）上的隔热区域（2）交错设置；多层隔热屏结构（5）设置在半导体高温纯化设备的抽真空管路内，隔热区域（2）未设置翅片（3）的一面朝向真空管路内的气流方向。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体高温纯化设备的真空系统隔热屏，其特征在于，隔热屏结构（5）为圆形，多层隔热屏结构（5）相平行。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体高温纯化设备的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴忠举，王起飞，徐海涛，张宇峥，张贵，
申请(专利权)人：山西中电科新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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