【技术实现步骤摘要】
本技术有关于一种封装结构，特别是指一种通用于各种电子组件的上芯区面积提升的半导体封装结构。
技术介绍
1、半导体封装(semiconductor package)在现代电子工业领域中扮演着相当关键的角色，能够将微小脆弱的电子组件容纳包覆于载体或封装外壳中，提供保护作用，避免电子组件受到水气、灰尘或外部环境的影响，确保电子组件的稳定性，进而生产各种功能完善的电子设备，半导体封装的产品常见应用于例如各种消费性ic、手持设备、计算机设备、通讯设备、控制器等产品或领域中。
2、在半导体制程中，最后的封装环节会直接影响产品的性能及可靠性，若封装的良率不佳，不仅影响产品的质量，整个制造成本也会增加。封装会涉及到例如但不限为黏接、焊接、封胶或测试等许多步骤，需要严格控管每一个步骤，才能确保产品的一致性及稳定性。
3、此外，随着现在电子设备的小型化、微型化及高性能化的趋势需求，封装需要在非常有限的空间内实现更多的功能及连接，因此封装流程中任何微小的工艺偏差都会造成良率下降的因素，对于高精密度的封装势必需要更为精细且更高标准的工艺管控。
技术实现思路
1、本技术的主要目的，在于提供一种上芯区面积提升的半导体封装结构，包括：一第一弯折支架，包括一第一电连接板以及一连接至该第一电连接板的第一脚位；一第二弯折支架，包括一第二电连接板以及一连接至该第二电连接板的第二脚位；一电子组件，设置于该第一电连接板上并电性连接至该第二电连接板；以及一封装体，包覆于该第一弯折支架、该第二弯折支架及
2、进一步地，该封装体的宽侧长度为1mm，该封装体的窄侧宽度为0.6mm，该封装体的顶侧至其底侧的高度为0.42mm。
3、进一步地，该封装体的窄侧向上渐缩，且该封装体顶侧的宽侧长度为0.8mm。
4、进一步地，该第一电连接板及该第二电连接板的中心线与该封装体的窄侧中心的中心线对齐，且该第一脚位及该第二脚位的中心线分别与该第一电连接板及该第二电连接板的中心线对齐。
5、进一步地，该第一电连接板的窄侧长度为0.4mm，该第一电连接板的宽侧长度为0.42mm；该第二电连接板的窄侧长度为0.4mm，该第二电连接板的宽侧长度为0.1mm；该第一脚位及该第二脚位的窄侧长度分别为0.2mm。
6、进一步地，该第一电连接板内侧至该封装体宽侧中心的中心线的距离为0.11mm，该第一电连接板的内侧至该封装体的窄侧的距离为0.5mm；该第二连接板的内侧至该封装体的宽侧的该中心线的距离为0.21mm，该第二电连接板的内侧至该封装体的窄侧的距离为0.1mm；该第一电连接板的内侧至该第二电连接板的内侧的距离为0.1mm。
7、进一步地，该第一脚位及该第二脚位的外周分别至该封装体的窄侧的距离为0.3mm。
8、进一步地，该第一脚位及该第二脚位的底侧分别与该封装体的底侧齐平，该第一脚位及该第二脚位的高度介于0.094mm至0.11mm之间。
9、进一步地，该第一电连接板的顶侧至该第一脚位的顶侧的距离介于0.05mm至0.1mm之间；该第二电连接板的顶侧至该第二脚位的顶侧的距离介于0.05mm至0.1mm之间。
10、进一步地，该第一电连接板与该第一脚位之间具有一第一连接壁，该第一连接壁与该第一电连接板之间具有一第一夹角；该第二电连接板与该第二脚位之间具有一第二连接壁，该第二连接壁与该第二电连接板之间具有一第二夹角。
11、本技术上芯区面积提升的半导体封装结构能够通用于各种电子组件，通过加大电连接板的区域以方便电子组件进行设置，借此提高电子组件设置稳定度以及制程的生产良率。
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1.一种上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该封装体的宽侧长度为1mm，该封装体的窄侧宽度为0.6mm，该封装体的顶侧至其底侧的高度为0.42mm。
3.如权利要求2所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该封装体的窄侧向上渐缩，且该封装体顶侧的宽侧长度为0.8mm。
4.如权利要求3所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接板及该第二电连接板的中心线与该封装体的窄侧中心的中心线对齐，且该第一脚位及该第二脚位的中心线分别与该第一电连接板及该第二电连接板的中心线对齐。
5.如权利要求4所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接板的窄侧长度为0.4mm，该第一电连接板的宽侧长度为0.42mm；该第二电连接板的窄侧长度为0.4mm，该第二电连接板的宽侧长度为0.1mm；该第一脚位及该第二脚位的窄侧长度分别为0.2mm。
6.如权利要求5所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接
7.如权利要求6所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一脚位及该第二脚位的外周分别至该封装体的窄侧的距离为0.3mm。
8.如权利要求7所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一脚位及该第二脚位的底侧分别与该封装体的底侧齐平，该第一脚位及该第二脚位的高度介于0.094mm至0.11mm之间。
9.如权利要求8所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接板的顶侧至该第一脚位的顶侧的距离介于0.05mm至0.1mm之间；该第二电连接板的顶侧至该第二脚位的顶侧的距离介于0.05mm至0.1mm之间。
10.如权利要求9所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接板与该第一脚位之间具有一第一连接壁，该第一连接壁与该第一电连接板之间具有一第一夹角；该第二电连接板与该第二脚位之间具有一第二连接壁，该第二连接壁与该第二电连接板之间具有一第二夹角。
...【技术特征摘要】
1.一种上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该封装体的宽侧长度为1mm，该封装体的窄侧宽度为0.6mm，该封装体的顶侧至其底侧的高度为0.42mm。
3.如权利要求2所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该封装体的窄侧向上渐缩，且该封装体顶侧的宽侧长度为0.8mm。
4.如权利要求3所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接板及该第二电连接板的中心线与该封装体的窄侧中心的中心线对齐，且该第一脚位及该第二脚位的中心线分别与该第一电连接板及该第二电连接板的中心线对齐。
5.如权利要求4所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接板的窄侧长度为0.4mm，该第一电连接板的宽侧长度为0.42mm；该第二电连接板的窄侧长度为0.4mm，该第二电连接板的宽侧长度为0.1mm；该第一脚位及该第二脚位的窄侧长度分别为0.2mm。
6.如权利要求5所述的上芯区面积提升的半导体封装结构，其特征在于，该第一电连接板的内侧至该封装体的宽侧中心的中心线的距离为0.11mm，该第一电连接板的内侧至该...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹博翔，吴汉辉，邓吉轩，
申请(专利权)人：稳得实业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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