【技术实现步骤摘要】
本技术涉及绝缘栅双极晶体管测试，尤其涉及一种可切换测试管位的绝缘栅双极晶体管测试电路。
技术介绍
1、igbt是一种集成了mosfet和bjt的复合型半导体器件，它具有高输入阻抗、低导通压降、高速开关和高耐压等优点，适用于高电压、高电流和高频率的电力转换应用。igbt的性能评估主要包括以下几个方面：
2、静态性能：指igbt在稳态工作时的特性，如栅极-发射极阈值电压、栅极-发射极漏电流、集电极-发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压等。这些参数反映了igbt的导通能力和导通损耗，对于节能和散热设计有重要意义。
3、动态性能：指igbt在开关过程中的特性，如开通时间、关断时间、开通损耗、关断损耗、反向恢复时间、反向恢复损耗等3。这些参数反映了igbt的开关速度和开关损耗，对于提高效率和降低电磁干扰有重要意义。
4、长期可靠性：指igbt在长时间运行后的性能变化，如结温、热阻、热循环、热疲劳、老化等4。这些参数反映了igbt的稳定性和寿命，对于保证系统的安全和可靠运行有重要意义。
5、部分功率模块中会存在多个igbt管位，测试动态性能时，测试不同管位的igbt时需要重新进行测试电路连接，测试过程繁琐。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的问题，本技术提供一种可切换测试管位的绝缘栅双极晶体管测试电路，包括：
2、晶体管接入电路，所述晶体管接入电路中包括至少一路待测绝缘栅双极晶体管通路；
3、导通电路，所述导通电路的
4、切换电路，所述切换电路的第一切换输出端和第二切换输出端分别连接所述导通电路的第一切换端和第二切换端，用于切换各所述子导通通路。
5、优选的，所述晶体管接入电路中每路待测绝缘栅双极晶体管通路均包括：
6、第一绝缘栅双极晶体管，所述第一绝缘栅双极晶体管的集电极作为所述待测绝缘栅双极晶体管通路的第一正极接线端，所述第一绝缘栅双极晶体管的基极作为所述待测绝缘栅双极晶体管通路的第一负极接线端；
7、第二绝缘栅双极晶体管，所述第二绝缘栅双极晶体管的集电极连接所述第一绝缘栅双极晶体管的发射极，所述第二绝缘栅双极晶体管的发射极作为所述待测绝缘栅双极晶体管通路的第二负极接线端，所述第二绝缘栅双极晶体管的基极作为所述待测绝缘栅双极晶体管通路的第二正极接线端。
8、优选的，所述晶体管接入电路中包括第一待测绝缘栅双极晶体管通路、第二待测绝缘栅双极晶体管通路和第三待测绝缘栅双极晶体管通路，则所述导通通路包括：
9、第一继电器，所述第一继电器的第四接线端连接所述第一待测绝缘栅双极晶体管通路的第一正极输入端，所述第一继电器的第三接线端连接所述第二待测绝缘栅双极晶体管通路的第一正极输入端；
10、第二继电器，所述第二继电器的第一接线端连接所述驱动电路的第一正极，所述第二继电器的第三接线端连接所述第三待测绝缘栅双极晶体管通路的第一正极输入端，所述第二继电器的第四接线端连接所述第一继电器的第一接线端；
11、第三继电器，所述第三继电器的第四接线端连接所述第一待测绝缘栅双极晶体管通路的第一负极接线端，所述第三继电器的第三接线端连接所述第二待测绝缘栅双极晶体管通路的第一负极接线端；
12、第四继电器，所述第四继电器的第四接线端连接所述第三继电器的第一接线端，所述第四继电器的第一接线端连接所述驱动电路的第一负极，所述第四继电器的第三接线端连接所述第三待测绝缘栅双极晶体管通路的第一负极接线端；
13、第五继电器，所述第五继电器的第四接线端连接所述第一待测绝缘栅双极晶体管通路的第二正极接线端，所述第五继电器的第三接线端连接所述第二待测绝缘栅双极晶体管通路的第二正极接线端；
14、第六继电器，所述第六继电器的第一接线端连接所述驱动电路的第二正极，所述第六继电器的第三接线端连接所述第三待测绝缘栅双极晶体管通路的第二正极接线端，所述第六继电器的第四接线端连接所述第五继电器的第一接线端。
15、优选的，所述子导通通路包括第一子导通通路、第二子导通通路和第三子导通通路；
16、所述第一继电器、所述第三继电器、所述第五继电器、第二继电器、所述第四继电器和所述第六继电器内部的第一接线端和第四接线端连通时，所述第一继电器、所述第三继电器、所述第五继电器形成与所述第一待测绝缘栅双极晶体管通路对应的所述第一子导通通路；
17、所述第一继电器、所述第三继电器和所述第五继电器内部的第一接线端和第三接线端连通，且所述第二继电器、所述第四继电器和所述第六继电器内部的第一接线端和第四接线端连通时，所述第一继电器、所述第三继电器、所述第五继电器形成与所述第二待测绝缘栅双极晶体管通路对应的所述第二子导通通路；
18、所述第一继电器、所述第三继电器、所述第五继电器、所述第二继电器、所述第四继电器和所述第六继电器内部的第一接线端和第三接线端连通时，所述第二继电器、所述第四继电器和所述第六继电器形成与所述第三待测绝缘栅双极晶体管通路对应的所述第三子导通通路。
19、优选的，所述第一继电器、所述第三继电器、所述第五继电器的第五接线端和第二接线端依次串联连接，所述第二继电器、所述第四继电器、所述第六继电器的第五接线端和第二接线端依次串联连接，所述第一继电器的第五接线端作为所述导通电路的第一切换端，所述第二继电器的第五接线端作为所述导通电路的第二切换端；
20、则所述切换电路包括：
21、第一开关，所述第一开关的一端连接所述第一继电器的第五接线端，所述第一开关的另一端连接切换电源的输出端，所述第五继电器的第二接线端连接所述切换电源的接地端；
22、第二开关，所述第二开关的一端连接所述第二继电器的第五接线端，所述第二开关的另一端连接所述切换电源的输出端，所述第六继电器的第二接线端连接所述切换电源的接地端；
23、所述第一开关和所述第二开关均断开时，所述第一继电器、所述第三继电器、所述第五继电器、第二继电器、所述第四继电器和所述第六继电器内部的第一接线端和第四接线端连通；
24、所述第一开关闭合所述第二开关断开时，所述第一继电器、所述第三继电器和所述第五继电器内部的第一接线端和第三接线端连通，且所述第二继电器、所述第四继电器和所述第六继电器内部的第一接线端和第四接线端连通；本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种可切换测试管位的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述晶体管接入电路中每路待测绝缘栅双极晶体管通路均包括：
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述晶体管接入电路中包括第一待测绝缘栅双极晶体管通路、第二待测绝缘栅双极晶体管通路和第三待测绝缘栅双极晶体管通路，则所述导通通路包括：
4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述子导通通路包括第一子导通通路、第二子导通通路和第三子导通通路；
5.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述第一继电器、所述第三继电器、所述第五继电器的第五接线端和第二接线端依次串联连接，所述第二继电器、所述第四继电器、所述第六继电器的第五接线端和第二接线端依次串联连接，所述第一继电器的第五接线端作为所述导通电路的第一切换端，所述第二继电器的第五接线端作为所述导通电路的第二切换端；
6.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述第一继
...【技术特征摘要】
1.一种可切换测试管位的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述晶体管接入电路中每路待测绝缘栅双极晶体管通路均包括：
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述晶体管接入电路中包括第一待测绝缘栅双极晶体管通路、第二待测绝缘栅双极晶体管通路和第三待测绝缘栅双极晶体管通路，则所述导通通路包括：
4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管测试电路，其特征在于，所述子导通通路包括第一子导通通路、第二子导通通路和第三子导通通路；
...【专利技术属性】
技术研发人员：陈舒佳，朱妍旭，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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