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基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法技术

技术编号:41535600 阅读:4 留言:0更新日期:2024-06-03 23:13
本发明专利技术公开了基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法,涉及基于雷达信号处理领域,包括:S1、假设将阵元数为M=P×Q的相控阵划分为N个通道,各通道的阵元数为m=[m<subgt;1</subgt;,m<subgt;2</subgt;,…,m<subgt;N</subgt;]<supgt;T</supgt;;S2、将每个通道看做一个二级阵元,分析到达第二级的信号方向矢量A<subgt;2</subgt;;S3、入射的信号在信号方向矢量A<subgt;2</subgt;方向得到能量累积时,分析w<subgt;2</subgt;满足的第一条件;S4、第一条件下,分析w<subgt;2</subgt;满足的第二条件,w<subgt;2</subgt;满足的第二条件时,使得空域滤波器的平均输出功率最小;S5、构造代价函数;S6、令代价函数的梯度为0,分析w<subgt;2</subgt;;S7、获取空域滤波器的输入信号x(n),经过MVDR波束形成器得到输出信号y<subgt;20</subgt;(n);本发明专利技术基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰优化方法,有效解决了在较高信噪比时现有模型无法通信的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于雷达信号处理领域,尤其涉及一种基于mvdr的非均匀相控阵抗干扰方法。


技术介绍

1、在复杂的电磁环境下,为了保证通信的可靠性和安全性,对于接收信号进行抗干扰处理成为通信环节中必不可少的一环,目前的抗干扰方式有跳频通信、直接扩频通信、自适应技术等,当物体在高速运动时,通信波束方向随之不断发生变化,因此,通过mvdr(minimum variance distortionless response,mvdr)等自适应技术可有效地实现抗干扰。

2、通过相控阵进行发送或接收信号可在空间中形成需要的波束指向和功率合成,对于一般的基于mvdr的相控阵抗干扰模型,其主要针对均匀相控阵抗干扰,然而,相控阵的数量和布阵方式会受实际情况的影响,对于非均匀阵形的相控阵抗干扰,当信噪比较高时,利用一般模型抗干扰后的信号存在无法解调,从而导致通信失效的问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的就在于为了解决上述问题设计了一种基于mvdr的非均匀相控阵抗干扰方法。

2、本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的:

3、基于mvdr的非均匀相控阵抗干扰方法,包括:

4、s1、假设将阵元数为m=p×q的相控阵划分为n个通道,各通道的阵元数为m=[m1,m2,…,mn]t,其中,mi为第i个通道的阵元数,信号的入射方向为信号相移为θ为期望信号的俯仰角,为期望信号的方位角;

5、s2、将每个通道看做一个二级阵元,分析到达第二级的信号方向矢量a2;

6、s3、入射的信号在信号方向矢量a2方向得到能量累积时,分析第二级的权向量w2满足的第一条件;

7、s4、在第一条件下,分析第二级的权向量w2满足的第二条件,第二级的权向量w2满足的第二条件时,使得空域滤波器的平均输出功率p(θ0)最小;

8、s5、根据第一条件和第二条件构造代价函数;

9、s6、令代价函数的梯度为0,分析mvdr波束形成器的最优权向量w2;

10、s7、获取空域滤波器的输入信号x(n),经过mvdr波束形成器得到输出信号y20(n)。

11、本专利技术的有益效果在于:本专利技术基于mvdr的非均匀相控阵抗干扰优化方法,有效解决了在较高信噪比时现有模型无法通信的问题。

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【技术保护点】

1.基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,在S2中,信号方向矢量A2表示为:

3.根据权利要求1所述的基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,在S3中,入射的信号在信号方向矢量A2方向得到能量累积时,则第一条件为其中,y1(n)为通道的输出信号,M为总阵元数,为MVDR波束形成器的最优权向量,H为共轭转置运算,x20为第二级的接收信号。

4.根据权利要求3所述的基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,第二条件为其中R1为第二级的接收信号x20的相关矩阵。

5.根据权利要求4所述的基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,代价函数J(w2)表示为其中λ为常数。

6.根据权利要求5所述的基于MVDR的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,在S6中包括:

【技术特征摘要】

1.基于mvdr的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的基于mvdr的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,在s2中,信号方向矢量a2表示为:

3.根据权利要求1所述的基于mvdr的非均匀相控阵抗干扰方法,其特征在于,在s3中,入射的信号在信号方向矢量a2方向得到能量累积时,则第一条件为其中,y1(n)为通道的输出信号,m为总阵元数,为mvdr波束形成器的最优权向...

【专利技术属性】
技术研发人员:向荣王亚刘荣蔡文波肖方可覃光全杨飞
申请(专利权)人:成都盟升科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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