【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体发光器件，尤其涉及一种半导体发光器件电流分布的确定方法和确定装置。
技术介绍
1、半导体发光器件在消费、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体发光器件都具有广阔的应用前景，受到广泛的关注和研究。
2、大量研究表明，半导体发光器件的光效与半导体发光器件(发光芯片)的温度、电流分布存在密不可分的关系。现阶段对于光效与电流的研究中，通常将发光芯片的电流看做是均一值，但从大量研究发现电流会在发光芯片中存在拥挤效应，并且随着发光芯片尺寸的减小急速加剧。然而随着半导体发光器件尺寸越来越小，甚至低于10μm，半导体发光器件的电流分布的高分辨检测手段仍然十分匮乏。因此，如何实现对微型半导体发光器件不同区域电流的检测，成为本领域人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种半导体发光器件电流分布的确定方法和确定装置，以实现对微型半导体发光器件不同区域电流的检测。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体发光器件电流分布的确定方法，包括：
3、获取待测半导体发光器件表面不同区域的光效成像数据以及热学成像数据；
4、根据各区域的所述光效成像数据、所述热学成像数据以及各区域对应的电流计算模型，得到各区域的电流数据；
5、根据各区域的电流数据，确定所述待测半导体发光器件的电流分布信息。
6、可选的，所述光效成像数据包括质心波长，所述热学成像数据包
7、通过高光谱相机获取所述待测半导体发光器件表面不同区域的质心波长；
8、通过红外热像仪获取所述待测半导体发光器件表面不同区域的结温。
9、可选的，根据各区域的所述光效成像数据、所述热学成像数据以及各区域对应的电流计算模型，得到各区域的电流数据，包括：
10、根据各区域的所述质心波长、所述结温以及各区域对应的电流计算模型，得到各区域的电流数据；
11、其中，所述电流计算模型的表达式为：
12、if＝ln[λc-λ0-k(t-t0)]-lnλ1+i0；
13、其中，if为所述电流数据，λc为所述质心波长，t为所述结温；k为温度敏感系数，t0为温度常量，λ0为第一波长常量，λ1为第二波长常量，i0为电流常量。
14、可选的，根据各区域的所述质心波长、所述结温以及各区域对应的电流计算模型，得到各区域的电流数据之前，还包括：
15、确定每一区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数以及与质心波长相关的常量参数；其中，与结温相关的常量参数包括所述温度敏感系数和所述温度常量，与质心波长相关的常量参数包括所述第一波长常量、所述第二波长常量和所述电流常量。
16、可选的，确定每一区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数，包括：
17、将样品半导体发光器件放置到温控台上，并固定输入样品半导体发光器件的驱动电流；
18、调节温控台的温度，以使样品半导体发光器件依次处于不同的温度，并在每次调节温度后，通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面各区域的质心波长，以及通过红外热像仪获取半导体发光器件表面各区域的结温；
19、根据所得的样品半导体发光器在不同温度下的各区域的质心波长和结温，拟合得到各区域的质心波长与结温之间的一次线性关系表达式；
20、根据各区域的一次线性关系表达式中的温度敏感系数和温度常量，确定各区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数；
21、确定每一区域的电流计算模型中与质心波长相关的常量参数，包括：
22、将样品半导体发光器件放置到温控台上，并固定所述温控台的温度；
23、依次向所述样品半导体发光器件输入不同的驱动电流，并在每次输入驱动电流后，通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面各区域的质心波长；
24、根据所得的样品半导体发光器在不同驱动电流下的各区域的质心波长，拟合得到各区域的质心波长与驱动电流之间的一阶指数函数表达式；
25、根据各区域的一次线性关系表达式中的第一波长常量、第二波长常量和电流常量，确定各区域的电流计算模型中与质心波长相关的常量参数。
26、可选的，确定每一区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数，还包括：
27、调节输入样品半导体发光器件的驱动电流，并重复执行调节温控台的温度，以及在每次调节温度后，通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面各区域的质心波长，以及通过红外热像仪获取半导体发光器件表面各区域的结温的步骤，以获得样品半导体发光器件在不同驱动电流下，各区域的质心波长与结温之间的一次线性关系表达式；
28、根据样品半导体发光器件在不同驱动电流下各区域的质心波长与结温之间的一次线性关系表达式，确定不同驱动电流对应的各区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数，或者，校正各区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数；
29、确定每一区域的电流计算模型中与质心波长的常量参数，还包括：
30、调节所述温控台的温度，并重复执行依次向所述样品半导体发光器件输入不同的驱动电流，以及在每次调节驱动电流后，通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面各区域的质心波长的步骤，以获得样品半导体发光器件在不同温度下，各区域的质心波长与驱动电流之间的一阶指数函数表达式；
31、根据样品半导体发光器件在不同温度下各区域的质心波长与驱动电流之间的一阶指数函数表达式，确定不同温度对应的各区域的电流计算模型中与质心波长相关的常量参数，或者，校正各区域的电流计算模型中与质心波长相关的常量参数。
32、可选的，通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面各区域的质心波长，包括：
33、通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面的目标检测区中各区域的质心波长；其中，目标检测区中各区域之间的质心波长的差值小于第一预设值；
34、和/或，通过红外热像仪获取半导体发光器件表面各区域的结温，包括：
35、通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面的目标检测区中各区域的结温；其中，目标检测区中各区域之间的结温的差值小于第二预设值。
36、可选的，所述半导体发光器件电流分布的确定方法还包括：
37、向所述样品半导体发光器件输入驱动电流时，通过脉冲信号控制驱动电流的输入。
38、根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体发光器件电流分布的确定装置，用于执行上述任一实施例所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，包括：
39、获取模块，用于获取待测半导体发光器件表面不同区域的光效成像数据以及热学成像数据；
40、计算模块，用于根据各区域的所述光效成像数据、所述热学成像数据以及各区域对应的电流计算模型，得到各区域的电流数本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，所述光效成像数据包括质心波长，所述热学成像数据包括结温；获取待测半导体发光器件表面不同区域的光效成像数据以及热学成像数据，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，根据各区域的所述质心波长、所述结温以及各区域对应的电流计算模型，得到各区域的电流数据之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，确定每一区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，确定每一区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数，还包括：
7.根据权利要求5所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，通过高光谱相机获取样品半导体发光器件表面各区域的质心波长，包括：
8.根据权利
9.一种半导体发光器件电流分布的确定装置，其特征在于，用于执行上述权利要求1～8任一所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体发光器件电流分布的确定装置，其特征在于，所述光效成像数据包括质心波长，所述热学成像数据包括结温；所述获取模块包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，所述光效成像数据包括质心波长，所述热学成像数据包括结温；获取待测半导体发光器件表面不同区域的光效成像数据以及热学成像数据，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，根据各区域的所述质心波长、所述结温以及各区域对应的电流计算模型，得到各区域的电流数据之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件电流分布的确定方法，其特征在于，确定每一区域的电流计算模型中与结温相关的常量参数，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：周梦凡，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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