【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种半导体加工设备、一种半导体加工设备的控制方法以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体加工领域，前驱体气体注入与工艺过程中气流量的控制至关重要。本领域目前的现有技术，通过气体分流装置分流不同腔室的气体，一方面由于管路加工不可能达到完全一致，另一方面由于各个腔室的体积也可能有偏差。多方面的偏差组合进而会导致各个腔室的腔流阻不同导致通入各个腔室的腔气流量会有差异，导致沉积膜的厚度会出现偏差。并且，本领域目前的现有技术在传统的气体流量控制器之上通过气体分流后无法得知具体流入各腔室的气流量大小。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种半导体加工设备，通过后端可补偿组件调节流入腔体的气流量，进而监控以及平衡流入腔体的气流量，从而减少各个工艺腔的不匹配，使各个工艺腔的沉积的薄膜表现达到工艺要求的一致性。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种半导体加工设备、一种半导体加工设备的控制方法以及一种计算机可读存储介质，能够通过后端可补偿组件调节流入腔体的气流量，进而监控以及平衡流入腔体的气流量，从而减少各个工艺腔的不
3、具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的上述半导体加工设备包括进气管路、出气管路及多个腔室，其中，所述进气管路经由多个进气分路连接各所述腔室的进气口，所述出气管路经由多个出气分路连接各所述腔室的出气口。所述半导体加工设备还包括：多个后端补偿模块，分别设于各所述出气分路，用于监测各所述腔室的出气气压，并根据各所述腔室的出气气压进行后端补偿，以均衡流经各所述腔室的气体流量。
4、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述后端补偿模块包括压力计、补偿执行机构及处理器，其中，各所述后端补偿模块的压力计被分别设于各所述出气分路，以监测各所述腔室的出气气压，各所述后端补偿模块的补偿执行机构被分别设于各所述出气分路，以调节各所述出气分路的气体流量，所述处理器通信连接多个所述后端补偿模块的压力计及补偿执行机构，并被配置为：经由多个所述压力计，确定多个所述腔室的出气气压；根据各所述腔室的出气气压，确定对应的后端补偿值；以及根据各所述后端补偿值控制对应的补偿执行机构，以均衡流经各所述腔室的气体流量。
5、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述根据各所述腔室的出气气压，确定对应的后端补偿值的步骤包括：响应于第一腔室的第一出气气压大于第二腔室的第二出气气压，为第二补偿执行机构配置大于第一补偿执行机构的后端补偿值，其中，所述第二补偿执行机构对应所述第二腔室，所述第一补偿执行机构对应所述第一腔室。
6、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述补偿执行机构为流量控制器，所述根据各所述后端补偿值控制对应的补偿执行机构，以均衡流经各所述腔室的气体流量的步骤包括：响应于所述第一腔室的第一出气气压大于所述第二腔室的第二出气气压，经由第二流量控制器向第二出气分路补气，均衡各所述腔室的出气气压，以均衡流经各所述腔室的气体流量。
7、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述补偿执行机构为节流阀，所述根据各所述后端补偿值控制对应的补偿执行机构，以均衡流经各所述腔室的气体流量的步骤包括：响应于所述第一腔室的第一出气气压大于所述第二腔室的第二出气气压，增大第一节流阀的开度和/或减小第二节流阀的开度，均衡各所述腔室的出气气压，以均衡流经各所述腔室的气体流量。
8、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述后端补偿模块包括压力控制器，其中，各所述后端补偿模块的压力控制器被分别设于各所述出气分路，相互通信连接，并被配置为：确定多个所述腔室的出气气压；根据各所述腔室的出气气压，确定对应的后端补偿值；以及根据各所述后端补偿值，均衡流经各所述腔室的气体流量。
9、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述根据各所述后端补偿值，均衡流经各所述腔室的气体流量的步骤包括：响应于第一腔室的第一出气气压大于第二腔室的第二出气气压，经由第一压力控制器降低第一出气分路的气压，和/或经由第二压力控制器提升第二出气分路的气压，均衡各所述腔室的出气气压，以均衡流经各所述腔室的气体流量。
10、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，上述半导体加工设备还包括：第三流量控制器，设于所述进气管路的入口，其中，所述半导体加工设备经由所述第三流量控制器连接气源；和/或控制流量开关和/或第三节流阀，设于所述出气管路的出口，其中，所述半导体加工设备经由所述控制流量开关和/或所述第三节流阀连接抽气泵。
11、此外，根据本专利技术的第二方面提供的上述半导体器件的控制方法包括以下步骤：经由设于所述半导体加工设备的出气管路的多个出气分路的多个后端补偿模块，监测所述半导体加工设备的多个腔室的出气气压，其中，所述多个腔室的进气口分别连接所述半导体加工设备的进气管路的多个进气分路，所述多个腔室的出气口分别连接所述多个出气分路；以及经由所述多个后端补偿模块，根据各所述腔室的出气气压进行后端补偿，以均衡流经各所述腔室的气体流量。
12、此外，根据本专利技术的第三方面提供的计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，上述计算机指令被处理器执行时，实施上述的半导体器件的控制方法。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体加工设备，包括进气管路、出气管路及多个腔室，其中，所述进气管路经由多个进气分路连接各所述腔室的进气口，所述出气管路经由多个出气分路连接各所述腔室的出气口，其特征在于，所述半导体加工设备还包括：
2.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述后端补偿模块包括压力计、补偿执行机构及处理器，其中，
3.如权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述根据各所述腔室的出气气压，确定对应的后端补偿值的步骤包括：
4.如权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述补偿执行机构为流量控制器，所述根据各所述后端补偿值控制对应的补偿执行机构，以均衡流经各所述腔室的气体流量的步骤包括：
5.如权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述补偿执行机构为节流阀，所述根据各所述后端补偿值控制对应的补偿执行机构，以均衡流经各所述腔室的气体流量的步骤包括：
6.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述后端补偿模块包括压力控制器，其中，各所述后端补偿模块的压力控制器被分别设于各所述出气分路，相互通信连接，并被配
7.如权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述根据各所述后端补偿值，均衡流经各所述腔室的气体流量的步骤包括：
8.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，还包括：
9.一种半导体加工设备的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令被处理器执行时，实施如权利要求9所述的半导体加工设备的控制方法。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备，包括进气管路、出气管路及多个腔室，其中，所述进气管路经由多个进气分路连接各所述腔室的进气口，所述出气管路经由多个出气分路连接各所述腔室的出气口，其特征在于，所述半导体加工设备还包括：
2.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述后端补偿模块包括压力计、补偿执行机构及处理器，其中，
3.如权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述根据各所述腔室的出气气压，确定对应的后端补偿值的步骤包括：
4.如权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述补偿执行机构为流量控制器，所述根据各所述后端补偿值控制对应的补偿执行机构，以均衡流经各所述腔室的气体流量的步骤包括：
5.如权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述补偿执行机构...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙萌萌，王志华，赵郁晗，陈新益，吴凤丽，野沢俊久，吕志鹏，刘振，杨华龙，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。