【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种检测高介电氧化层介电常数的方法。
技术介绍
1、随着技术的不断发展，为了满足器件性能的要求，集成电路栅氧化层的厚度不断减薄，使得栅氧化层的可靠性成为一个突出的问题和挑战。为了在降低栅氧eot(等效氧化物厚度)的同时，解决栅极漏电的问题，半导体业界利用高k介质材料代替氮氧化硅作为栅极介电层，从而达到在相同的等效栅氧化层厚度的情况下，得到物理厚度更大的栅介质层已经成为必然。intel公司在45nm技术节点的工艺已经采用了高k的栅极介质(主要是氧化铪基的材料)，器件的漏电大幅降低一个数量级。
2、高k栅极介质的介电常数k的直接影响了栅氧eot，更是直接影响了器件的漏电，如何准确检测超薄高介电氧化层的k值对研发人员来说至关重要。
3、为解决上述问题，需要提出一种新型的检测高介电氧化层介电常数的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种检测高介电氧化层介电常数的方法，用于解决现有技术中高k栅极介质的介电常数k的直接影响了栅氧等效氧化物厚度，更是直接影响了器件的漏电，如何准确检测超薄高介电氧化层的k值对研发人员来说至关重要的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种检测高介电氧化层介电常数的方法，包括：
3、步骤一、提供至少两片裸晶圆，对所述裸晶圆进行预清洁处理；
4、步骤二、在每片所述裸晶圆上形成氧化层，对所述氧化层进行预清洁处理；
...【技术保护点】
1.一种检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤一中利用HF溶液、SC1溶液和SC2溶液对所述裸晶圆进行预清洁处理。
3.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中的所述氧化层的厚度为30至40埃。
4.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中的在每片所述裸晶圆上形成的所述氧化层的厚度均相同。
5.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中的在每片所述裸晶圆上形成的所述氧化层的厚度全部不相同或部分不相同。
6.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中利用原位水汽生成工艺形成所述氧化层。
7.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中利用SC1溶液对所述氧化层进行预清洁处理。
8.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤三中的所述高介
9.根据权利要求4所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤五中所述高介电氧化层的厚度与所述等效氧化物厚度的关系为：HK TK＝k_HK*EOT/3.9+C，其中HKTK为所述高介电氧化层的厚度，k_HK为所述高介电氧化层的介电常数，ETO为所述等效氧化物厚度，C为常数。
10.根据权利要求5所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤五中所述高介电氧化层的厚度与所述等效氧化物厚度的关系为：HK TK/k_HK+IL TK/k_IL＝EOT/3.9，其中HK TK为所述高介电氧化层的厚度，k_HK为所述高介电氧化层的介电常数，ILTK为所述氧化层的厚度，k_IL为所述氧化层的介电常数，ETO为所述等效氧化物厚度。
11.根据权利要求9或10所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤五中利用线性拟合的方法获取所述高介电氧化层的介电常数。
...【技术特征摘要】
1.一种检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤一中利用hf溶液、sc1溶液和sc2溶液对所述裸晶圆进行预清洁处理。
3.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中的所述氧化层的厚度为30至40埃。
4.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中的在每片所述裸晶圆上形成的所述氧化层的厚度均相同。
5.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中的在每片所述裸晶圆上形成的所述氧化层的厚度全部不相同或部分不相同。
6.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中利用原位水汽生成工艺形成所述氧化层。
7.根据权利要求1所述的检测高介电氧化层介电常数的方法，其特征在于：步骤二中利用sc1溶液对所述氧化层进行预清洁处理。
8.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚周，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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