【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电流输出领域，特别是涉及一种偏置电流产生电路。
技术介绍
1、偏置电流指的是因为电路内部的半导体元件特性而产生的电流，在一些运算放大电路或者其他的电子电路中，需要使用偏置电流作为电路的直流输入。由于不合适的偏置电流可能会产生输入误差和输出偏移等问题，因此需要合理地设计偏置电流产生电路以输出合理的偏置电流。
2、但是，在目前的偏置电流产生电路中，偏置电流的大小和方向不仅会受到偏置电流产生电路中的半导体元件特性的影响，还会受到整个偏置电流产生电路的电路结构的影响以及输入电源的电压的影响，影响偏置电流的参数种类较多，导致整个偏置电流产生电路的设计困难，提高了电路设计成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种偏置电流产生电路，可以减少整个电路中影响偏置电流的参数种类，降低了整个偏置电流产生电路的设计难度，降低了电路的设计成本。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种偏置电流产生电路，包括：
3、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管以及第一电阻；
4、所述第一mos管的第一端分别与所述第二mos管的第一端以及电源连接，所述第一mos管的第二端与所述第三mos管的第一端连接，所述第一mos管的控制端分别与所述第二mos管的控制端以及所述第一mos管的第二端连接；
5、所述第二mos管的第二端与所述第四mos管的第一端连接；
6、所述第三mos管的第二端接地，所述
7、所述第一电阻与所述第三mos管并联；
8、所述第五mos管的第一端与所述第四mos管的第一端连接并作为所述偏置电流产生电路的第一输出端，所述第五mos管的第二端接地，所述第五mos管的控制端作为所述偏置电流产生电路的第二输出端。
9、一方面，还包括第二电阻；
10、所述第二电阻的第一端分别与所述第一mos管的控制端以及所述第一mos管的第二端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第三mos管的控制端以及所述第三mos管的第一端连接；
11、其中，所述第二电阻的电阻值大于所述第一电阻的电阻值。
12、一方面，还包括第三电阻；
13、所述第三电阻的第一端与所述第二mos管的第二端连接，所述第三电阻的第二端与所述第四mos管的第一端连接；
14、其中，所述第三电阻的电阻值大于所述第一电阻的电阻值。
15、一方面，所述第一mos管与所述第二mos管的宽长比相同，所述第三mos管、所述第四mos管和所述第五mos管的宽长比相同。
16、一方面，还包括电流镜电路；
17、所述电流镜电路的第一输入端与所述第五mos管的第一端连接，所述电流镜电路的第二输入端与所述第五mos管的控制端连接；
18、所述电流镜电路的两个输出端分别作为所述偏置电流产生电路的第一输出端和第二输出端；
19、所述电流镜电路用于稳定所述第五mos管处的偏置电流。
20、一方面，所述电流镜电路包括：
21、第六mos管、第七mos管、第八mos管和第九mos管；
22、所述第六mos管的第一端与所述第八mos管的第二端连接，所述第六mos管的第二端接地，所述第六mos管的控制端分别与所述第五mos管的控制端、所述第五mos管的第一端以及所述第七mos管的控制端连接；
23、所述第七mos管的第一端作为所述偏置电流产生电路的第二输出端，所述第七mos管的第二端接地；
24、所述第八mos管的第一端与电源连接，所述第八mos管的控制端分别与所述第九mos管的控制端以及所述第八mos管的第二端连接；
25、所述第九mos管的第一端与电源连接，所述第九mos管的第二端作为所述偏置电流产生电路的第一输出端。
26、一方面，当所述第七mos管和所述第九mos管的数量相同且均大于1时，还包括：
27、各个所述第七mos管依次连接，且各个所述第七mos管的第一端分别作为所述偏置电流产生电路的不同的第二输出端；
28、各个所述第九mos管依次连接，且各个所述第九mos管的第二端分别作为所述偏置电流产生电路的不同的第一输出端。
29、本申请的有益效果在于，提供了一种偏置电流产生电路，包括五个开关和第一电阻；第一mos管和第三mos管串联，第二mos管和第四mos管串联，第一mos管和第二mos管的控制端相互连接，第三mos管和第四mos管的控制端相互连接，第一电阻与第三mos管并联，第五mos管与第四mos管并联，将第五mos管处的电流作为偏置电流产生电路的输出。基于对称设计，第五mos管处的电流等于最终输出的偏置电流，因为第五mos管的电流等于第一电阻的电流，又因为第一电阻的电流只和第三mos管的阈值电压以及第一电阻本身阻值有关，与电源电压以及电路结构的特性无关，所以最终输出的偏置电流与电源电压及电路结构的特性无关。通过这种方式，降低了整个偏置电流产生电路的设计难度，降低了电路的设计成本。
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1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，还包括第二电阻；
3.如权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，还包括第三电阻；
4.如权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述第一mos管与所述第二mos管的宽长比相同，所述第三mos管、所述第四mos管和所述第五mos管的宽长比相同。
5.如权利要求1至4任一项所述的偏置电流产生电路，其特征在于，还包括电流镜电路；
6.如权利要求5所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：
7.如权利要求6所述的偏置电流产生电路，其特征在于，当所述第七mos管和所述第九mos管的数量相同且均大于1时，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，还包括第二电阻；
3.如权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，还包括第三电阻；
4.如权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述第一mos管与所述第二mos管的宽长比相同，所述第三mos管、所述第四mo...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈廷仰，廖志洋，谢玉轩，陈威志，
申请(专利权)人：禹创半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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