【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及集成电路(ic)器件，更具体地，涉及包括接触结构的ic器件。
技术介绍
1、由于电子技术的发展，ic器件的小型化已迅速进展。因此，包括在ic器件中的接触结构的平面尺寸已逐渐减小，并且接触结构的高宽比已逐渐增大。因此，有必要开发具有能够提高接触结构的电性能和可靠性的结构的ic器件。
技术实现思路
1、专利技术构思提供了一种集成电路(ic)器件，其具有能够改善接触结构的电性能和可靠性的结构。
2、根据专利技术构思的一实施方式，一种ic器件可以包括：衬底；在衬底上的中间绝缘结构，中间绝缘结构具有在衬底上的第一垂直水平处沿横向方向延伸的顶表面；在垂直方向上穿过中间绝缘结构的第一接触结构，第一接触结构从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸第一垂直长度；以及在横向方向上与第一接触结构间隔开的第二接触结构，第二接触结构在垂直方向上穿过中间绝缘结构，第二接触结构从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸第二垂直长度。第二垂直长度可以大于第一垂直长度。第一接触结构可以具有沿着中间绝缘结构的顶表面的延长线平面延伸的第一顶表面。第二接触结构可以具有第二顶表面。第二顶表面可以在远离衬底的方向上从中间绝缘结构的顶表面凸出。
3、根据专利技术构思的一实施方式，一种ic器件可以包括：衬底，包括从衬底突出的鳍型有源区；在鳍型有源区上的源极/漏极区；在鳍型有源区上的栅极线，栅极线在与鳍型有源区交叉的方向上延伸；覆盖源极/漏极区的下绝缘结构；在垂直方向上穿过下绝缘结构的源极/漏极接触，源极
4、根据专利技术构思的一实施方式，一种ic器件可以包括：衬底；在衬底上的源极/漏极区；在衬底上的栅极线；覆盖栅极线的顶表面的覆盖绝缘图案；连接到源极/漏极区的源极/漏极接触；在源极/漏极接触和覆盖绝缘图案上的中间绝缘结构；穿过中间绝缘结构的第一接触结构，第一接触结构连接到源极/漏极接触；以及穿过中间绝缘结构和覆盖绝缘图案的第二接触结构，第二接触结构连接到栅极线。第一接触结构可以包括与中间绝缘结构接触的第一钨衬垫以及具有与第一钨衬垫接触的底表面和侧壁的第一钨插塞。第一接触结构可以具有沿着中间绝缘结构的顶表面的延长线平面延伸的第一顶表面。第二接触结构可以包括与中间绝缘结构和覆盖绝缘图案接触的第二钨衬垫、具有被第二钨衬垫围绕的底表面和侧壁的第二钨插塞、以及在第二钨衬垫和第二钨插塞之间的钨成核层。第二接触结构可以具有第二顶表面。第二顶表面可以在远离衬底的方向上从中间绝缘结构的顶表面凸出，非金属或半金属元素可以不规则地分散在钨成核层中。
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1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中
7.根据权利要求5所述的集成电路器件，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一接触结构和所述第二接触结构每个不包括金属氮化物膜。
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二接触结构的电阻高于所述第一接触结构的电阻。
10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二接触结构的高宽比高于所述第一接触结构的高宽比。
11.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：
12.一种集成电路器件，包括：
13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中
14.根据权利要求13所述的集成电路器件，其中
15.根据权利要求12所述的集
16.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中所述第一接触结构和所述第二接触结构每个不包括金属氮化物膜。
17.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中所述第二接触结构的电阻高于所述第一接触结构的电阻。
18.根据权利要求12所述的集成电路器件，进一步包括：
19.根据权利要求12所述的集成电路器件，进一步包括：
20.一种集成电路器件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中
7.根据权利要求5所述的集成电路器件，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一接触结构和所述第二接触结构每个不包括金属氮化物膜。
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二接触结构的电阻高于所述第一接触结构的电阻。
10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二接触结构的高宽比高于所述第一接触结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐东熙，金洛焕，金桢益，申忠桓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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