【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种基底处理设备和一种基底处理方法，并且更具体地，涉及能够基于施加到提升销的负载的测量结果来识别静电吸盘的脱吸(de-chucking)状态的一种基底处理设备和一种基底处理方法。
技术介绍
1、用于制造半导体装置的基底处理设备可以具有静电吸盘(esc)，静电吸盘被安装在室中，以吸引(chuck)诸如硅晶圆的基底。
2、这种静电吸盘允许在通过将电压施加到内置静电电极而生成的静电力的作用下，将基底吸附并固定到静电吸盘表面，并且可以广泛地用于现有真空吸盘未被应用的高真空环境。
3、静电吸盘可以包括在其中包含静电电极以及加热基底的加热器的静电吸盘主体、竖直移动基底的提升销或冷却装置。
技术实现思路
1、然而，当这种传统的静电吸盘施加静电力来吸引基底时，以及当静电电极为简单的单极型时，可能会生成防止静电吸盘对基底进行脱吸的残余电荷，并且提升销在静电吸盘吸引基底的同时提升基底，从而对基底造成损坏或在基底里产生应力。
2、而且，难以测量单极型静电吸盘中的残余电荷。因此，尤其是当工艺条件或室条件已经改变时，可能无法识别单极型静电吸盘的脱吸状态。因此，频繁发生对基底的损坏可能导致静电吸盘的可靠性严重受损。
3、本公开旨在解决包括上述问题的若干问题。因此，本公开的目的是为了提供一种基底处理设备和一种基底处理方法，其中，在卸载基底之前将基底初步升高，并且测量施加到提升销的负载，并且然后基于测量结果来识别脱吸状态。
4、根据本公开的目的
5、根据本公开的第一方面，一种基底处理设备包括：静电吸盘主体，配置为使用静电力吸引基底；基底提升装置，安装在所述静电吸盘主体处，并且配置为在基底装载操作中上升，使得所述基底坐落于所述基底提升装置上，或者配置为在基底卸载操作中从所述静电吸盘主体提升所述基底；以及控制器，配置为向所述基底提升装置施加控制信号，其中，所述基底提升装置包括：至少一个提升销，能够移动以与所述基底接触；提升销移动台，配置为支撑所述提升销移动台上的所述至少一个提升销，并且配置为能够竖直地移动；移动台提升装置，配置为使所述提升销移动台竖直地移动；以及负载测量装置，安装在所述至少一个提升销与所述提升销移动台之间，或者安装在所述提升销移动台与所述移动台提升装置之间，其中，所述负载测量装置配置为测量施加到所述至少一个提升销的负载。
6、在基底处理设备的一个实施方式中，在所述基底卸载操作之前，所述控制器配置为向所述移动台提升装置施加初步上升控制信号，以将所述提升销初步升高到所述基底的脱吸检查竖直高度，所述基底的脱吸状态在所述脱吸检查竖直高度处被识别。
7、在基底处理设备的一个实施方式中，所述脱吸检查竖直高度是在所述基底的作为所述基底被升高的范围的弹性变形范围内的竖直高度，使得所述基底不在所述基底已被吸引在所述静电吸盘主体上的状态下被损坏。
8、在基底处理设备的一个实施方式中，当所述至少一个提升销已被初步升高到所述脱吸检查竖直高度时，所述控制器配置为从所述负载测量装置接收负载测量信息，并且配置为将所述负载测量信息与参考值进行比较，并且配置为基于比较结果来确定所述基底的脱吸状态，并且配置为输出所确定的所述脱吸状态。
9、在基底处理设备的一个实施方式中，当所述负载测量信息在所述参考值的范围内时，所述控制器配置为确定所述基底的脱吸成功，其中，当所述负载测量信息超过所述参考值时，所述控制器配置为确定所述基底的脱吸失败。
10、在基底处理设备的一个实施方式中，当所述负载测量信息小于所述参考值时，所述控制器配置为确定所述基底已从所述静电吸盘主体脱离。
11、在基底处理设备的一个实施方式中，当所述负载测量信息偏离所述参考值时，所述控制器配置为向所述移动台提升装置施加提升销移动停止控制信号，并且配置为向通知装置施加通知信号。
12、在基底处理设备的一个实施方式中，在所述基底装载操作中，所述控制器配置为从所述负载测量装置接收负载测量信息，并且配置为将接收到的所述负载测量信息与参考值进行比较，并且配置为基于所述比较的结果来确定所述基底的对准状态，并且配置为输出所确定的所述基底的所述对准状态。
13、在基底处理设备的一个实施方式中，所述负载测量装置包括具有电阻图案的负载传感器或应变计，当在负载下变形时，所述电阻图案的电阻值改变。
14、在基底处理设备的一个实施方式中，所述至少一个提升销包括呈三角形布置的第一销、第二销和第三销，以呈三角形地支撑所述至少一个提升销上的所述基底，其中，所述负载测量装置包括：第一负载传感器，安装在所述第一销下方；第二负载传感器，安装在所述第二销下方；以及第三负载传感器，安装在所述第三销下方，其中，所述控制器配置为：将从所述第一负载传感器接收的第一负载测量信息、从所述第二负载传感器接收的第二负载测量信息、以及从所述第三负载传感器接收的第三负载测量信息相互比较；确定所述第一负载测量信息、所述第二负载测量信息和所述第三负载测量信息是否在允许的范围内以相互相等的方式分布；基于所述确定的结果来确定所述基底的存在/缺失状态、对准状态和/或脱吸状态；以及输出所确定的所述基底的所述存在/缺失状态、所述对准状态和/或所述脱吸状态。
15、在基底处理设备的一个实施方式中，为了允许所述负载测量装置在磁力作用下根据需要被更换或移除，第一磁体安装在所述提升销下方，朝向所述第一磁体施加吸引力的第二磁体安装在所述负载测量装置的上表面上，第三磁体安装在所述负载测量装置的下表面下方，以及朝向所述第三磁体施加吸引力的第四磁体安装在所述提升销移动台的顶面上。
16、根据本公开的第二方面，一种基底处理方法，包括：(a)将基底装载到升高的基底提升装置上；(b)使所述基底提升装置降低，并且使用静电力将所述基底吸引在静电吸盘主体上，使得工艺准备进行；(c)通过停用所述静电力来使所述基底从所述静电吸盘主体脱吸；(d)使用所述基底提升装置将所述基底初步升高到脱吸检查竖直高度，使得所述基底的脱吸状态能够在脱吸检查竖直高度处被识别；以及(e)通过使所述基底提升装置升高，将所述基底从所述静电吸盘主体提升，使得被识别为成功脱吸的所述基底从所述静电吸盘主体被卸载。
17、在基底处理方法的一个实施方式中，所述脱吸检查竖直高度是在所述基底的作为所述基底被升高的范围的弹性变形范围内的竖直高度，使得所述基底不从所述基底已经被吸引在所述静电吸盘主体上的状态下被损坏。
18、在基底处理方法的一个实施方式中，所述(d)包括：当至少一个提升销已被初步升高到所述脱吸检查竖直高度时，从负载测量装置接收负载测量信息，并且将所述负载测量信息与参考值进行比较，并且基于所述比较的结果来确本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，在所述基底卸载操作之前，所述控制器配置为向所述移动台提升装置施加初步上升控制信号，以将所述提升销初步升高到所述基底的脱吸检查竖直高度，所述基底的脱吸状态在所述脱吸检查竖直高度处被识别。
3.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，所述脱吸检查竖直高度是在所述基底的作为所述基底被升高的范围的弹性变形范围内的竖直高度，使得所述基底不在所述基底已被吸引在所述静电吸盘主体上的状态下被损坏。
4.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，当所述至少一个提升销已被初步升高到所述脱吸检查竖直高度时，所述控制器配置为从所述负载测量装置接收负载测量信息，并且配置为将所述负载测量信息与参考值进行比较，并且配置为基于比较结果来确定所述基底的脱吸状态，并且配置为输出所确定的所述脱吸状态。
5.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，当所述负载测量信息在所述参考值的范围内时，所述控制器配置为确定所述基底的脱吸成功，
6.根据权利要求5所述的基底处理设备，其中，当所述负载测量信
7.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，当所述负载测量信息偏离所述参考值时，所述控制器配置为向所述移动台提升装置施加提升销移动停止控制信号，并且配置为向通知装置施加通知信号。
8.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，在所述基底装载操作中，所述控制器配置为从所述负载测量装置接收负载测量信息，并且配置为将接收到的所述负载测量信息与参考值进行比较，并且配置为基于所述比较的结果来确定所述基底的对准状态，并且配置为输出所确定的所述基底的所述对准状态。
9.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述负载测量装置包括具有电阻图案的负载传感器或应变计，当在负载下变形时，所述电阻图案的电阻值改变。
10.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述至少一个提升销包括呈三角形布置的第一销、第二销和第三销，以呈三角形地支撑所述至少一个提升销上的所述基底，
11.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，为了允许所述负载测量装置在磁力作用下根据需要被更换或移除，
12.一种基底处理方法，包括：
13.根据权利要求12所述的基底处理方法，其中，所述脱吸检查竖直高度是在所述基底的作为所述基底被升高的范围的弹性变形范围内的竖直高度，使得所述基底不从所述基底已经被吸引在所述静电吸盘主体上的状态下被损坏。
14.根据权利要求12所述的基底处理方法，其中，所述(d)包括：当至少一个提升销已被初步升高到所述脱吸检查竖直高度时，从负载测量装置接收负载测量信息，并且将所述负载测量信息与参考值进行比较，并且基于所述比较的结果来确定所述基底的脱吸状态，并且输出所确定的所述脱吸状态。
15.根据权利要求14所述的基底处理方法，其中，所述(d)包括：
16.根据权利要求15所述的基底处理方法，其中，所述(d)包括：当所述负载测量信息偏离所述参考值时，向移动台提升装置施加提升销移动停止控制信号，并且向通知装置施加通知信号。
17.根据权利要求12所述的基底处理方法，其中，所述(a)包括：在所述基底装载操作中，从负载测量装置接收负载测量信息，并且将接收到的所述负载测量信息与参考值进行比较，并且基于所述比较的结果来确定所述基底的对准状态，并且输出所确定的所述基底的所述对准状态。
18.根据权利要求12所述的基底处理方法，其中，所述(a)包括：
19.根据权利要求12所述的基底处理方法，其中，所述(d)包括：
20.一种基底处理设备，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，在所述基底卸载操作之前，所述控制器配置为向所述移动台提升装置施加初步上升控制信号，以将所述提升销初步升高到所述基底的脱吸检查竖直高度，所述基底的脱吸状态在所述脱吸检查竖直高度处被识别。
3.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，所述脱吸检查竖直高度是在所述基底的作为所述基底被升高的范围的弹性变形范围内的竖直高度，使得所述基底不在所述基底已被吸引在所述静电吸盘主体上的状态下被损坏。
4.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，当所述至少一个提升销已被初步升高到所述脱吸检查竖直高度时，所述控制器配置为从所述负载测量装置接收负载测量信息，并且配置为将所述负载测量信息与参考值进行比较，并且配置为基于比较结果来确定所述基底的脱吸状态，并且配置为输出所确定的所述脱吸状态。
5.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，当所述负载测量信息在所述参考值的范围内时，所述控制器配置为确定所述基底的脱吸成功，
6.根据权利要求5所述的基底处理设备，其中，当所述负载测量信息小于所述参考值时，所述控制器配置为确定所述基底已从所述静电吸盘主体脱离。
7.根据权利要求4所述的基底处理设备，其中，当所述负载测量信息偏离所述参考值时，所述控制器配置为向所述移动台提升装置施加提升销移动停止控制信号，并且配置为向通知装置施加通知信号。
8.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，在所述基底装载操作中，所述控制器配置为从所述负载测量装置接收负载测量信息，并且配置为将接收到的所述负载测量信息与参考值进行比较，并且配置为基于所述比较的结果来确定所述基底的对准状态，并且配置为输出所确定的所述基底的所述对准状态。
9.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述负载测量装置包括具有电阻...
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