【技术实现步骤摘要】
本公开的一个或多个实施例涉及一种有机光电探测器和一种包括有机光电探测器的电子设备。
技术介绍
1、转换光和电信号的光电器件可以包括光电二极管和光电晶体管，并且可以应用于图像传感器、太阳能电池和/或有机发光器件等。
2、在光电二极管中使用硅的情况下，随着像素的尺寸减小，吸收面积可能减小，从而使灵敏度劣化。因此，正在研究可以替代硅的有机材料。
3、因为有机材料具有相对大的消光系数并且可以根据其分子结构选择性地吸收特定波长区中的光，所以有机材料可以并行地(例如，同时)替代光电二极管和滤色器，这可以有利于灵敏度和高集成度的改善。
4、包括这样的有机材料的有机光电探测器(opd)可以应用于例如显示设备或图像传感器。
技术实现思路
1、实施例的各方面可以涉及一种具有显著提高的效率的有机光电探测器和一种包括有机光电探测器的电子设备。
2、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地根据描述将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。
3、根据一个或多个实施例，一种有机光电探测器包括：
4、第一电极；
5、第二电极，面向所述第一电极；以及
6、激活层和光学辅助层，其中，所述激活层和所述光学辅助层可以在所述第一电极和所述第二电极之间，
7、其中，所述激活层包括p型半导体(例如，p半导体)化合物和n型半导体(例如，n半导体)化合物，
8、所述光学辅助层包括第一光
9、所述第一胺化合物的最高占据分子轨道(homo)能量绝对值小于所述第二胺化合物的homo能量绝对值，并且
10、所述第一光学辅助层面向所述第一电极。
11、在实施例中，所述激活层和所述光学辅助层可以彼此接触。
12、在实施例中，所述激活层和所述第二光学辅助层可以彼此接触。
13、在实施例中，所述激活层可以包括：包括所述p型半导体化合物的层；以及包括所述n型半导体化合物的层，并且
14、包括所述p型半导体化合物的所述层可以与所述第二光学辅助层接触。
15、在实施例中，所述第一胺化合物的所述homo能量绝对值可以为5.00ev或更大。
16、在实施例中，所述第二胺化合物的所述homo能量绝对值可以为5.20ev或更大。
17、在实施例中，所述第一光学辅助层和所述第二光学辅助层可以彼此接触。
18、在实施例中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述有机光电探测器还可以包括布置在所述光学辅助层和所述第一电极之间的空穴传输区，并且所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或它们的任何组合。
19、在实施例中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述有机光电探测器还可以包括布置在所述激活层和所述第二电极之间的电子传输区，并且所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
20、在实施例中，所述p型半导体化合物可以包括氯化硼亚酞菁(subpc)、酞菁铜(ii)(cupc)、四苯基二苯并二茚并芘(dbp)、由式1表示的化合物或它们的任何组合。
21、式1
22、
23、在式1中，
24、ar111和ar112可以各自独立地是未被取代的或被至少一个r10a取代的c6-c30亚芳基、或者未被取代的或被至少一个r10a取代的c3-c30亚杂芳基，
25、x111可以选自-se-、-te-、-s(＝o)-、-s(＝o)2-、-n(q111)-、-b(q111)-、-c(q111)(q112)-、-si(q111)(q112)-和-ge(q111)(q112)-，
26、x112和l111可以各自独立地选自-o-、-s-、-se-、-te-、-s(＝o)-、-s(＝o)2-、-n(q111)-、-b(q111)-、-c(q111)(q112)-、-si(q111)(q112)-、-ge(q111)(q112)-、-(c(q111)＝c(q112))-和-(c(q111)＝n))-，
27、当l111选自-n(q111)-、-b(q111)-、-c(q111)(q112)-、-si(q111)(q112)-、-ge(q111)(q112)-、-(c(q111)＝c(q112))-和-(c(q111)＝n)-时，l111可以可选地连接到ar111或ar112以形成稠合环，
28、z111可以是未被取代的或被至少一个r10a取代的、并且可以具有选自c＝o、c＝s、c＝se和c＝te中的至少一个官能团的c6-c30碳环基，或者z111可以是未被取代的或被至少一个r10a取代的、并且可以具有选自c＝o、c＝s、c＝se和c＝te中的至少一个官能团的c1-c30杂环基，
29、r111至r116可以各自独立地是氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c1-c30烷基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c1-c30烷氧基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c6-c30芳基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c3-c30杂芳基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c2-c30酰基、或者它们的任何组合，
30、r10a可以是：
31、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
32、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基，各自未被取代或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳氧基、c1-c60杂芳硫基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q11)(q12)或它们的任何组合取代；
33、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳氧基或c1-c60杂芳硫基，各自未被取代或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳氧基、c1-c60杂芳硫基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)、-p(＝o)(q21)(q22)或它们的任何组合取代；或者
34、-si(q31)(q32)(本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机光电探测器，其中，所述有机光电探测器包括：
2.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述激活层和所述光学辅助层彼此接触。
3.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述激活层和所述第二光学辅助层彼此接触。
4.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述激活层包括：包括所述p型半导体化合物的层以及包括所述n型半导体化合物的层，并且
5.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一胺化合物的所述最高占据分子轨道能量绝对值为5.00eV或更大。
6.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第二胺化合物的所述最高占据分子轨道能量绝对值为5.20eV或更大。
7.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一光学辅助层和所述第二光学辅助层彼此接触。
8.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一电极是阳极，
9.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一电极是阳极，
10.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述p型半导
11.根据权利要求10所述的有机光电探测器，其中，式1中的Z111由式111A至式111F中的一者表示：
12.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述n型半导体化合物包括C60富勒烯、C70富勒烯、由式2表示的化合物、由式3表示的化合物或它们的任何组合，
13.根据权利要求12所述的有机光电探测器，其中，由式2表示的所述化合物和由式3表示的所述化合物中的每一者包括下述化合物中的一者：
14.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一胺化合物是叔胺化合物，所述叔胺化合物包括：
15.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第二胺化合物是包括三个芴部分的叔胺化合物。
16.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一胺化合物包括下述化合物中的一者：
17.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第二胺化合物包括下述化合物中的一者：
18.一种电子设备，其中，所述电子设备包括根据权利要求1至17中任一项所述的有机光电探测器。
19.根据权利要求18所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括发光器件。
20.一种电子设备，其中，所述电子设备包括：
...【技术特征摘要】
1.一种有机光电探测器，其中，所述有机光电探测器包括：
2.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述激活层和所述光学辅助层彼此接触。
3.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述激活层和所述第二光学辅助层彼此接触。
4.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述激活层包括：包括所述p型半导体化合物的层以及包括所述n型半导体化合物的层，并且
5.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一胺化合物的所述最高占据分子轨道能量绝对值为5.00ev或更大。
6.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第二胺化合物的所述最高占据分子轨道能量绝对值为5.20ev或更大。
7.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一光学辅助层和所述第二光学辅助层彼此接触。
8.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一电极是阳极，
9.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述第一电极是阳极，
10.根据权利要求1所述的有机光电探测器，其中，所述p型半导体化合物包括氯化硼亚酞菁、酞菁铜(ii)、四苯基二苯并二茚并芘、由式1表示的化合物或它们的任何组合，
【专利技术属性】
技术研发人员：郑进秀，崔珉洙，金成昱，尹锡奎，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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