【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备，特别是涉及一种背面镀膜工艺腔室及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、在晶圆(wafer)正面进行薄膜沉积或结构堆叠时，薄膜会对晶圆的正面产生拉、压应力，导致晶圆发生翘曲的现象，晶圆翘曲会影响晶圆与加热装置的接触，从而影响后道沉积其他薄膜时晶圆表面的温度分布，进而影响后道薄膜性能的均匀性，以及光刻时临界尺寸的均匀性等问题，影响产品良率。正常在反应腔内消除翘曲的方法是用静电卡盘或者真空吸附等方法来实现，但是，由于某些来自前道的晶圆的弯曲程度较大，上述两种方法会将晶圆上的薄膜拉坏或者有剥离风险。
2、现有的技术方案是通过cvd、ald等工艺沉积背面膜层(backside film)，利用背面的应力薄膜表现出的应力来消除晶圆正面成膜时所带来的翘曲问题，但现有技术中针对在晶圆背面沉积应力薄膜的设备，通常存在反应源外散至晶圆正面形成晶圆正面镀膜、喷淋头与晶圆之间的间距不易调节等技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种背面镀膜工艺腔室及化学气相沉积设备，用于解决现有技术中的晶圆背面沉积应力薄膜的设备，存在反应源外散至晶圆正面形成晶圆正面镀膜、喷淋头与晶圆之间的间距不易调节等技术问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种背面镀膜工艺腔室，所述工艺腔室包括：
3、壳体，所述壳体内形成有空腔；
4、盖体，所述盖体上连接有加热器，且所述盖体扣盖在所述壳体上可将所述空
5、所述空腔内由下向上依次设置有密封套、抽气环、若干个可伸缩支撑装置及中空的环箍；其中，
6、所述密封套中设置有喷淋装置，以向晶圆喷淋反应气体；
7、所述喷淋装置上设置有若干个顶针孔，以用于容置顶针，所述顶针用于承载晶圆；
8、所述抽气环的侧壁开设有若干个通孔，且所述抽气环的上表面设置有翻边；
9、若干个所述可伸缩支撑装置的上端及下端分别固定在所述环箍上及所述抽气环的所述翻边上，且所述可伸缩支撑装置可沿上下方向伸缩；
10、所述环箍由上向下设置有第一台阶槽及第二台阶槽，且所述第一台阶槽的口径大于所述第二台阶槽的口径，所述第一台阶槽用于容置所述加热器，所述第二台阶槽用于容置晶圆，且所述第二台阶槽的高度大于晶圆厚度。
11、可选地，所述第二台阶槽的高度与晶圆厚度差为1mm~2mm。
12、可选地，所述可伸缩支撑装置为弹簧或气缸。
13、可选地，所述可伸缩支撑装置的数量不小于三个，且沿周向均匀设置。
14、进一步地，所述可伸缩支撑装置的数量为四个。
15、可选地，所述可伸缩支撑装置沿上下方向伸缩的范围在5mm以内。
16、可选地，所述密封套、所述抽气环及所述环箍的材料为陶瓷材料。
17、可选地，所述抽气环侧壁开设的若干个所述通孔尺寸相同且沿周向均匀设置。
18、可选地，所述顶针与所述壳体外部的升降装置连接，以控制所述顶针的升降；所述密封套底部与所述壳体外部的真空管道连通，以对所述背面镀膜工艺腔室抽真空。
19、本专利技术还提供一种化学气相沉积设备，包括如上任意一项所述的背面镀膜工艺腔室。
20、如上所述，本专利技术的背面镀膜工艺腔室及化学气相沉积设备，通过在环箍上设置口径较大的第一台阶槽及口径较小的第二台阶槽，且使第二台阶槽的高度大于晶圆的厚度，当加热器容置在第一台阶槽，晶圆容置在第二台阶槽后，加热器与环箍紧密贴合且与晶圆隔着第二台阶槽，保证了晶圆上表面不会与加热器接触且晶圆上表面被加热器和环箍包裹起来，如此在镀膜过程中可有效隔绝喷淋装置喷出的反应气体进入晶圆正面污染晶圆正面的膜层，同时由于晶圆不会与加热器直接接触还可避免加热器碰触到晶圆正面膜层损伤正面膜层甚至压碎晶圆的风险，并且晶圆与加热器始终保持固定距离还可提高加热器的加热均匀性使镀膜均匀性更佳；另外，通过在环箍与抽气环之间固定连接若干个可伸缩支撑装置，可使加热器在下降过程中带动环箍向下运动，即带动晶圆向下运动，从而实现晶圆与喷淋装置之间距离的调节，这种加热器带动环箍运动实现晶圆与喷淋装置之间距离的调节避免了通过调整喷淋装置调节晶圆与喷淋装置之间的距离，避免了喷淋装置作为运动件带来的运动成本以及安全隐患；最后，由于镀膜反应的主要过程在抽气环内进行，所以还可保护密封套不易被腐蚀延长其使用寿命，降低设备成本。
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1.一种背面镀膜工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括：
2.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述第二台阶槽的高度与晶圆厚度差为1mm~2mm。
3.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置为弹簧或气缸。
4.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置的数量不小于三个，且沿周向均匀设置。
5.根据权利要求4所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置的数量为四个。
6.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置沿上下方向伸缩的范围在5mm以内。
7.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述密封套、所述抽气环及所述环箍的材料为陶瓷材料。
8.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述抽气环侧壁开设的若干个所述通孔尺寸相同且沿周向均匀设置。
9.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述顶针与所述壳体外部的升降装置连接，以控制所述顶针的升降；所述
10.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括权利要求1~9中任意一项所述的背面镀膜工艺腔室。
...【技术特征摘要】
1.一种背面镀膜工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括：
2.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述第二台阶槽的高度与晶圆厚度差为1mm~2mm。
3.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置为弹簧或气缸。
4.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置的数量不小于三个，且沿周向均匀设置。
5.根据权利要求4所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置的数量为四个。
6.根据权利要求1所述的背面镀膜工艺腔室，其特征在于：所述可伸缩支撑装置沿上...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓，刘祥，周东平，宋维聪，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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