【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及旋转靶材分离回收领域，具体为一种含cd低熔点合金旋转靶退绑的方法。
技术介绍
1、太阳能光伏组件一般包括窗口层、吸收层，太阳能通过窗口层，到达吸收层，在吸收层将太阳能转化成电能。窗口层一般是透明的导电氧化物半导体薄膜，其应具有较高的光透过性及导电性。常用的窗口层半导体薄膜为锡酸镉透明导电薄膜，其一般热压烧结法制备，但近年来，为了加大产能也出现了通过浇铸液态金属的方式一体成型旋转靶材。
2、又因为，在溅射过程中，靶材的表面容易发生异常放电现象，并造成对应沉积在面板上的薄膜厚度不均而无法正常使用。在实际生产中需要将损坏的残靶解绑，将其背管与靶材分离，以二次利用背管，提高产能效益。
3、cn202011432887.3公开了一种旋转靶材的退绑修复方法，包括：已绑定的旋转靶材上包含若干退绑圆筒和若干非退绑圆筒，将旋转靶材竖直设置在旋转平台上，使退绑圆筒与背衬管加热至60～120℃，再使退绑圆筒与背衬管加热至170～200℃后铟就会融化，待铟完全融化并流出后，使用夹具将退绑圆筒从背衬管中取出即可完成退绑，将退绑圆筒进行金属化处理后，套设在背衬管上的原解绑位置，使退绑圆筒与背衬管加热至90～150℃，再使退绑圆筒与背衬管加热至180～230℃后，向退绑圆筒与背衬管之间的焊缝空间中注入铟液，待铟液填满焊缝空间后降温即可完成修复。该退绑方法主要适用于采用铟绑定靶材和背管的旋转靶材，通过加热使低熔点的铟熔化，从而分离靶材和背管，但其并不适用于退绑通过浇铸液态金属的方式一体成型的低熔点的旋转靶材，因为高温可能使
4、cn201811294930.7公开了一种平面和旋转靶材解绑定的装置及方法，包括油浴槽、热组件、平面靶材栅格托架、旋转靶材托架和集铟篮，油浴槽的底面为倾斜设置，油浴槽底面的最低处开有集铟篮放置凹槽，所述集铟篮放置在集铟篮放置凹槽内，所述加热组件是由连接杆和均匀安装在连接杆上的多个加热棒组成，加热组件安装在油浴槽内，所述平面靶材栅格托架包括多块其上开有小孔的隔板，多块隔板间隔一定距离倾斜排列，块隔板的两侧均是通过上连杆和下连杆连接，所述旋转靶材托架是由两根导轨和滑动安在导轨上的旋转靶材托构成。该解绑方法的作用原理与上述申请号为cn202011432887.3的方案类似，也主要适用于采用铟绑定靶材和背管的旋转靶材，通过加热使低熔点的铟熔化，从而分离靶材和背管，但其仍然不适用于退绑通过浇铸液态金属的方式一体成型的低熔点的旋转靶材。
5、基于此，本案解决的技术问题是：如何解决低熔点旋转靶材解绑困难的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种含cd低熔点合金旋转靶退绑的方法，该方法不仅解决了低熔点旋转靶材退绑困难的问题，而且能安全退绑含cd等对人体存在危害的旋转靶材。
2、本专利技术的技术方案是：
3、一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，包括如下步骤：
4、步骤1、将含cd的低熔点合金旋转靶材的表面清理洁净，然后置入密闭容器中；
5、步骤2、以5l/min～10l/min的通气速率对密闭容器持续通入惰性气体，同时以5℃/min～10℃/min的升温速率加热密闭容器，直至密闭容器温度达到加热终点，然后保温0.5h～2h，使靶材与背管受热分离成洁净的背管、靶材碎块；所述加热终点为200℃～400℃；
6、步骤3、停止加热，待温度降到降温终点后，停止通入惰性气体，然后自然冷却到常温；
7、步骤4、自密闭容器中将脱离后的洁净的背管取出并将靶材碎块回收，等待再利用；
8、其中，所述密闭容器设有用于通入惰性气体的进气口、用于排放cd的蒸汽的出气口；所述出气口与外部的废气处理装置连通；
9、需要说明的是，所述通气速率包括但不限于5l/min、6l/min、7l/min、8l/min、9l/min、10l/min；所述升温速率包括但不限于5℃/min、6℃/min、7℃/min、8℃/min、9℃/min、10℃/min；所述加热终点包括但不限于200℃、250℃、300℃、350℃、400℃；所述保温时间包括但不限于0.5h、1h、1.5h、2h；所述降温终点包括但不限于50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃。
10、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述步骤1中将旋转靶材保持悬空地置入密闭容器中。
11、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述步骤2中使旋转靶材在密闭容器中以3rpm～15rpm的速率转动，包括但不限于3rpm、5rpm、8rpm、10rpm、12rpm、15rpm。
12、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述步骤3中使旋转靶材在密闭容器中以3rpm～15rpm的速率转动，包括但不限于3rpm、5rpm、8rpm、10rpm、12rpm、15rpm。
13、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述步骤2和步骤3使旋转靶材在密闭容器中均以8rpm～10rpm的速率转动，包括但不限于8rpm、9rpm、10rpm。
14、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述步骤1中采用无水乙醇擦拭旋转靶材的表面。
15、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述步骤2中升温速率为6℃/min～9℃/min，包括但不限于6℃/min、7℃/min、8℃/min、9℃/min，加热温度达到250℃～350℃，包括但不限于250℃、275℃、300℃、325℃、350℃，保温时长为1h～1.5h，包括但不限于1h、1.1h、1.2h、1.3h、1.4h、1.5h。
16、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述含cd的低熔点合金旋转靶材为熔融浇铸而成的cdin合金靶材或cdsn合金靶材；
17、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述含cd的低熔点合金旋转靶材为熔融浇铸而成的cdin合金靶材或cdsn合金靶材；
18、当含cd的低熔点合金旋转靶材为cdin合金靶材时，in的质量占比为1％～30％；
19、当含cd的低熔点合金旋转靶材为cdsn合金靶材时，sn的质量占比为1％～60％。
20、在某些实施例中，优选地，当含cd的低熔点合金旋转靶材为cdin合金靶材时，in的质量占比为20％～30％；
21、当含cd的低熔点合金旋转靶材为cdsn合金靶材时，sn的质量占比为30％～60％。
22、在上述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法中，所述惰性气体为氩气。
23、本专利技术上述技术方案中的一个技术方案至少具有如下优点或有益效果之一：
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述出气口与外部的废气处理装置连通。
3.根据权利要求1所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述步骤1中将旋转靶材保持悬空地置入密闭容器中；所述步骤2中使旋转靶材在密闭容器中以3RPM～15RPM的速率转动。
4.根据权利要求1所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述步骤1中将旋转靶材保持悬空地置入密闭容器中；所述步骤3中使旋转靶材在密闭容器中以3RPM～15RPM的速率转动。
5.根据权利要求3或4任一所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述旋转靶材在密闭容器中以8RPM～10RPM的速率转动。
6.根据权利要求1所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述步骤1中采用无水乙醇擦拭旋转靶材的表面。
7.根据权利要求1所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特
8.根据权利要求1所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述含Cd的低熔点合金旋转靶材为熔融浇铸而成的CdIn合金靶材或CdSn合金靶材；
9.根据权利要求8所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，
10.根据权利要求1～9任一所述的一种含Cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
...【技术特征摘要】
1.一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述出气口与外部的废气处理装置连通。
3.根据权利要求1所述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述步骤1中将旋转靶材保持悬空地置入密闭容器中；所述步骤2中使旋转靶材在密闭容器中以3rpm～15rpm的速率转动。
4.根据权利要求1所述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述步骤1中将旋转靶材保持悬空地置入密闭容器中；所述步骤3中使旋转靶材在密闭容器中以3rpm～15rpm的速率转动。
5.根据权利要求3或4任一所述的一种含cd的低熔点合金旋转靶材的退绑方法，其特征在于，所述旋转靶材在密闭容器中以8rpm...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢小林，潘泓羽，张世翔，文崇斌，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。