【技术实现步骤摘要】
本专利技术的一实施方式涉及使用氧化物半导体作为沟道的半导体器件。
技术介绍
1、近年来，代替无定形硅、低温多晶硅、及单晶硅等硅半导体，将氧化物半导体用作沟道的半导体器件的开发不断发展(例如，参见专利文献1～专利文献6)。包含这样的氧化物半导体的半导体器件与包含无定形硅的半导体器件同样地能够以简单的结构和低温工艺形成。另外，已知包含氧化物半导体的半导体器件具有比包含无定形硅的半导体器件更高的场效应迁移率。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021-141338号公报
5、专利文献2：日本特开2014-099601号公报
6、专利文献3：日本特开2021-153196号公报
7、专利文献4：日本特开2018-006730号公报
8、专利文献5：日本特开2016-184771号公报
9、专利文献6：日本特开2021-108405号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在氧化物半导体中，若氢被氧缺陷捕获，则生成载流子。当在包含氧化物半导体层的半导体器件中利用该机理时，即，当在氧化物半导体层中形成氧缺陷并且氢被供给至所形成的氧缺陷时，能够在氧化物半导体层中形成载流子浓度比沟道区域的载流子浓度高的源极区域及漏极区域。氮化硅包含大量氢。因此，通过将氮化硅成膜为半导体器件的保护绝缘层，并将氮化硅所包含的氢供给至氧化物半导体层，能够形成低电阻的源极区域及漏
3、本专利技术的一实施方式的目的之一在于提供包含以不依赖于保护绝缘层所包含的氮化硅的方式被低电阻化的源极区域及漏极区域的半导体器件。
4、用于解决课题的手段
5、本专利技术的一实施方式涉及的半导体器件包含氧化物绝缘层、氧化物绝缘层之上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层之上与氧化物半导体层相接的栅极绝缘层、和栅极绝缘层之上的栅电极，氧化物半导体层包含与栅电极重叠的沟道区域、和与栅电极不重叠的源极区域及漏极区域，在源极区域及漏极区域与栅极绝缘层的界面处，源极区域及漏极区域的表面中的杂质的浓度为1×1019cm-3以上。
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1.半导体器件，其包含：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述杂质为选自由硼、磷、氩、及氮组成的组中的一种。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层包含多种金属元素，
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层具有多晶结构。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述源极区域及漏极区域中的所述至少一者的晶体结构与所述沟道区域的晶体结构相同。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极区域及漏极区域中的所述至少一者的薄层电阻为1×102kΩ/sq.以下。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物绝缘层包含氧化铝。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其还包含与所述源极区域及漏极区域中的各自电连接的源电极及漏电极，
9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极绝缘层包含捕获氢的氢捕获区域。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述氢捕获区域由以所述栅电极为掩模而注入的所述杂质形成。
11.如权利要
...【技术特征摘要】
1.半导体器件，其包含：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述杂质为选自由硼、磷、氩、及氮组成的组中的一种。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层包含多种金属元素，
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层具有多晶结构。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述源极区域及漏极区域中的所述至少一者的晶体结构与所述沟道区域的晶体结构相同。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极区域及漏极区域中的所述至少一者的薄层电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡壁创，津吹将志，佐佐木俊成，田丸尊也，望月真里奈，小野寺凉，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：
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