【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空镀膜，特别涉及一种陶瓷基板大功率真空溅射设备。
技术介绍
1、陶瓷基板具有良好的绝缘和导热性能，在电子元器件封装和特殊线路板领域具有广阔的运用前景，陶瓷基板金属化成为近年来的研究热点。传统的陶瓷板金属化工艺多采用厚膜金属浆料印刷，而dbc工艺（直接绑定铜）和dpc工艺（直接镀铜）具有工艺温度低，线路厚度可控等优点，近年来发展迅速。其中dpc工艺因可实现高精细线路，材料低形变，在高精密半导体器件封装领域具有无可取代的优势。磁控溅射镀膜工艺，具有成膜效率高，膜层结合力好等优点，成为dpc陶瓷表面首层金属沉积的首选工艺。
2、现有的陶瓷基板大功率真空溅射设备一般主要由真空腔室、磁控靶以及设置于磁控靶周边的用于固定陶瓷基板的定位架组成，但是，现有技术中固定陶瓷基板的方式主要为夹持固定或挂接固定，二者均会存在与陶瓷基板侧面接触的情况，因此会造成接触部分镀膜效果较差，整体均匀性不佳，从而影响产品质量，而且现有的多数溅射设备不便于对陶瓷基板的双面进行镀膜，影响效率。
3、因此，提出一种陶瓷基板大功率真空溅射设备来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，包括真空腔体、设置于真空腔体中部的磁控靶、设置于磁控靶外围的固定架以及可拆卸固定于固定架上的陶瓷基板本体
4、所述固定架包括均匀设置于磁控靶外围且与磁控靶平行设置的立架以及设置于立架上用于对陶瓷基板本体定位的夹持组件，所述立架为方框状；
5、所述夹持组件包括对称固定连接于立架内侧两端的侧板，所述侧板远离立架的一端设置有凹口，所述凹口活动连接有夹持板，所述夹持板的一端与凹口的内壁之间设置有第二弹簧，所述夹持板远离侧板的一端设置有定位槽，且定位槽的横截面为等腰梯形或等腰三角形，所述夹持板通过定位槽与陶瓷基板本体的两端夹紧。
6、优选的，所述夹持组件沿着立架的高度方向均匀设置；
7、同一高度的两个侧板的底部对称固定连接有用于对陶瓷基板本体进行支撑的托板。
8、优选的，还包括用于驱动同一高度的两个夹持板开合的驱动组件，所述驱动组件包括设置于夹持板下端内侧的斜槽，所述斜槽的内侧活动设置有滑块，所述滑块的底部竖直固定连接有立柱，且所述立柱的下端延伸至侧板的底部，且同一高度的两个立柱的底部共同固定连接有拉板。
9、优选的，所述斜槽内腔的侧面为斜面，所述滑块与斜槽的内壁斜面配合。
10、优选的，所述磁控靶通过第三转轴转动连接于底板和顶板之间；
11、所述底板的底部固定连接有中空的底箱，所述底箱的底部设置有底盖，所述底盖的底部设置有用于驱动第三转轴旋转的第二电机。
12、优选的，还包括角度调整机构，所述角度调整机构包括设置于立架顶部且与顶板活动连接的第一转柱，所述立架的底部设置有第二转柱，所述底板上转动连接有与第二转柱一一对应的第二转轴，且第二转轴的下端延伸至底箱的内侧并固定连接有第一齿轮，相邻第一齿轮之间啮合，所述第二转柱的底部固定连接有直径小于第二转柱的第二圆杆，所述第二圆杆的底部固定连接有第二方形柱，所述第二转轴的顶部设置有内径与第二圆杆适配的第二圆孔，所述第二圆孔的内腔底部设置有与第二方形柱适配的第二方形孔，所述第二转轴的下端一侧固定连接有横臂，所述磁控靶底部的第三转轴延伸至底箱的内侧，且延伸至底箱内侧一端上固定连接有与横臂对应的拨动臂。
13、优选的，所述第二圆杆与第二圆孔活动连接，所述第二方形柱与第二方形孔活动插接。
14、优选的，所述第一齿轮的底部设置有复位组件，所述复位组件包括设置于第一齿轮底部一端的立杆，所述底盖的顶部均匀设置有与立杆一一对应的弧形槽，所述弧形槽的内侧中部活动连接有滑套，所述滑套的两侧与弧形槽的内腔末端之间对称固定连接有第一弹簧，所述弧形槽的弧度与立杆的运动轨迹适配，且所述立杆与滑套插接固定。
15、优选的，所述顶板的顶部设置有翻面组件，所述翻面组件包括设置于顶板顶部的升降架，所述升降架的底部设置有用于驱动升降架升降的顶升气缸，所述升降架的外侧设置有顶箱，所述顶箱的底部中部设置有第二齿轮，所述顶箱的顶部设置有驱动第二齿轮旋转的第一电机，所述顶箱内腔顶部的外围通过第一转轴转动连接有第三齿轮，且第三齿轮与立架一一对应，且多个第三齿轮均与第二齿轮啮合，所述第一转柱的上端延伸至升降架的上方，并且第一转柱与升降架通过轴承转动连接，所述第一转柱的顶部设置有直径小于第一转柱的第一圆杆，所述第一圆杆的顶部固定连接有第一方形柱，所述第一转轴的底部设置有与第一圆杆适配的第一圆孔，所述第一圆杆与第一圆孔活动插接，所述第一圆孔内腔的顶部设置有与第一方形柱适配的第一方形孔，所述第一方形柱与第一方形孔活动插接配合，配置为当第二方形柱位于第二方形孔的内腔时第一方形柱位于第一圆孔的内腔。
16、优选的，所述顶板的顶部外围设置有导柱，且所述导柱与升降架的外围通过导套活动连接。
17、与现有技术相比，本专利技术提供了一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，具备以下有益效果：
18、1、该陶瓷基板大功率真空溅射设备，通过设置的固定架由立架和夹持组件组成，便于对陶瓷基板本体进行夹持，且夹持时不会存在对陶瓷基板本体两个面的接触情况，进而便于对陶瓷基板本体侧面溅射镀膜，可提高溅射镀膜效果，提高了产品质量，驱动组件便于夹持组件的开合，便于实现对陶瓷基板本体的取放，操作方便，提高了效率。
19、2、该陶瓷基板大功率真空溅射设备，通过设置的角度调整机构便于对陶瓷基板本体进行角度的调整，在磁控靶的溅射区域与陶瓷基板本体靠近夹持板的边缘对应时可实现陶瓷基板本体的方位变化，从而使得陶瓷基板本体与定位槽内侧的间隙处与磁控靶的溅射区域对应，便于磁控靶对陶瓷基板本体和定位槽内侧之间的间隙处实现溅射镀膜，进而可提高了整个陶瓷基板本体溅射镀膜的均匀性，且磁控靶旋转的同时自动实现陶瓷基板本体的角度变化，精度高，复位组件便于方位变化后的立架复位。
20、3、该陶瓷基板大功率真空溅射设备，通过设置的翻面组件便于实现陶瓷基板本体的翻面，从而便于对陶瓷基板本体另一面的溅射镀膜，提高了效率。
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1.一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，包括真空腔体、设置于真空腔体中部的磁控靶（6）、设置于磁控靶（6）外围的固定架以及可拆卸固定于固定架上的陶瓷基板本体（8），其特征在于：所述真空腔体由筒体（1）、设置于筒体（1）顶端的顶板（10）以及设置于筒体（1）底部的底板（9）组成；
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述夹持组件沿着立架（7）的高度方向均匀设置；
3.根据权利要求2所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：还包括用于驱动同一高度的两个夹持板（38）开合的驱动组件，所述驱动组件包括设置于夹持板（38）下端内侧的斜槽（45），所述斜槽（45）的内侧活动设置有滑块（46），所述滑块（46）的底部竖直固定连接有立柱（42），且所述立柱（42）的下端延伸至侧板（25）的底部，且同一高度的两个立柱（42）的底部共同固定连接有拉板（41）。
4.根据权利要求3所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述斜槽（45）内腔的侧面为斜面，所述滑块（46）与斜槽（45）的内壁斜面配合。
5.根据
6.根据权利要求5所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：还包括角度调整机构，所述角度调整机构包括设置于立架（7）顶部且与顶板（10）活动连接的第一转柱（26），所述立架（7）的底部设置有第二转柱（29），所述底板（9）上转动连接有与第二转柱（29）一一对应的第二转轴（32），且第二转轴（32）的下端延伸至底箱（2）的内侧并固定连接有第一齿轮（12），相邻第一齿轮（12）之间啮合，所述第二转柱（29）的底部固定连接有直径小于第二转柱（29）的第二圆杆（30），所述第二圆杆（30）的底部固定连接有第二方形柱（31），所述第二转轴（32）的顶部设置有内径与第二圆杆（30）适配的第二圆孔（33），所述第二圆孔（33）的内腔底部设置有与第二方形柱（31）适配的第二方形孔（37），所述第二转轴（32）的下端一侧固定连接有横臂（34），所述磁控靶（6）底部的第三转轴（47）延伸至底箱（2）的内侧，且延伸至底箱（2）内侧一端上固定连接有与横臂（34）对应的拨动臂（36）。
7.根据权利要求6所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述第二圆杆（30）与第二圆孔（33）活动连接，所述第二方形柱（31）与第二方形孔（37）活动插接。
8.根据权利要求7所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述第一齿轮（12）的底部设置有复位组件，所述复位组件包括设置于第一齿轮（12）底部一端的立杆（35），所述底盖（13）的顶部均匀设置有与立杆（35）一一对应的弧形槽（21），所述弧形槽（21）的内侧中部活动连接有滑套（22），所述滑套（22）的两侧与弧形槽（21）的内腔末端之间对称固定连接有第一弹簧（23），所述弧形槽（21）的弧度与立杆（35）的运动轨迹适配，且所述立杆（35）与滑套（22）插接固定。
9.根据权利要求8所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述顶板（10）的顶部设置有翻面组件，所述翻面组件包括设置于顶板（10）顶部的升降架（11），所述升降架（11）的底部设置有用于驱动升降架（11）升降的顶升气缸（15），所述升降架（11）的外侧设置有顶箱（3），所述顶箱（3）的底部中部设置有第二齿轮（16），所述顶箱（3）的顶部设置有驱动第二齿轮（16）旋转的第一电机（5），所述顶箱（3）内腔顶部的外围通过第一转轴（18）转动连接有第三齿轮（17），且第三齿轮（17）与立架（7）一一对应，且多个第三齿轮（17）均与第二齿轮（16）啮合，所述第一转柱（26）的上端延伸至升降架（11）的上方，并且第一转柱（26）与升降架（11）通过轴承转动连接，所述第一转柱（26）的顶部设置有直径小于第一转柱（26）的第一圆杆（27），所述第一圆杆（27）的顶部固定连接有第一方形柱（28），所述第一转轴（18）的底部设置有与第一圆杆（27）适配的第一圆孔（19），所述第一圆杆（27）与第一圆孔（19）活动插接，所述第一圆孔（19）内腔的顶部设置有与第一方形柱（28）适配的第一方形孔（20），所述第一方形柱（28）与第一方形孔（20）活动插接配合，配置为当第二方形柱（31）位于第二方形孔（37）的内腔时第一方形柱（28）位于第一圆孔（19）的内腔。
10.根据权利要求9所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述顶板（10）的顶部外围设置有导柱（...
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，包括真空腔体、设置于真空腔体中部的磁控靶（6）、设置于磁控靶（6）外围的固定架以及可拆卸固定于固定架上的陶瓷基板本体（8），其特征在于：所述真空腔体由筒体（1）、设置于筒体（1）顶端的顶板（10）以及设置于筒体（1）底部的底板（9）组成；
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述夹持组件沿着立架（7）的高度方向均匀设置；
3.根据权利要求2所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：还包括用于驱动同一高度的两个夹持板（38）开合的驱动组件，所述驱动组件包括设置于夹持板（38）下端内侧的斜槽（45），所述斜槽（45）的内侧活动设置有滑块（46），所述滑块（46）的底部竖直固定连接有立柱（42），且所述立柱（42）的下端延伸至侧板（25）的底部，且同一高度的两个立柱（42）的底部共同固定连接有拉板（41）。
4.根据权利要求3所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述斜槽（45）内腔的侧面为斜面，所述滑块（46）与斜槽（45）的内壁斜面配合。
5.根据权利要求4所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：所述磁控靶（6）通过第三转轴（47）转动连接于底板（9）和顶板（10）之间；
6.根据权利要求5所述的一种陶瓷基板大功率真空溅射设备，其特征在于：还包括角度调整机构，所述角度调整机构包括设置于立架（7）顶部且与顶板（10）活动连接的第一转柱（26），所述立架（7）的底部设置有第二转柱（29），所述底板（9）上转动连接有与第二转柱（29）一一对应的第二转轴（32），且第二转轴（32）的下端延伸至底箱（2）的内侧并固定连接有第一齿轮（12），相邻第一齿轮（12）之间啮合，所述第二转柱（29）的底部固定连接有直径小于第二转柱（29）的第二圆杆（30），所述第二圆杆（30）的底部固定连接有第二方形柱（31），所述第二转轴（32）的顶部设置有内径与第二圆杆（30）适配的第二圆孔（33），所述第二圆孔（33）的内腔底部设置有与第二方形柱（31）适配的第二方形孔（37），所述第二转轴（32）的下端一侧固定连接有横臂（34），所述磁控靶（6）底部的第三转轴（47）延伸至底箱（2）的内侧，且延伸至底箱（2）内侧一端上固定连接有与横臂（34）对应的拨动臂（36）。
【专利技术属性】
技术研发人员：张卫星，何江淼，
申请(专利权)人：江苏透波光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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