System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 用于电气隔离的LCL-T谐振转换器的磁性组件制造技术_技高网

用于电气隔离的LCL-T谐振转换器的磁性组件制造技术

技术编号:41505618 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-30 14:46
本案提供一种用于电气隔离的LCL‑T谐振转换器的磁性组件,其包含第一及第二磁芯、初级绕组及次级绕组。第一磁芯包含第一边柱、第二边柱及中心柱。初级绕组包含绕设于第一边柱上的第一初级绕线和绕设于第二边柱上的第二初级绕线。次级绕组包含绕设于第一边柱上的第一次级绕线和绕设于第二边柱上的第二次级绕线。第一磁芯的中心柱与第二磁芯之间相隔第一气隙,第一及第二初级绕线的匝数、第一及第二次级绕线的匝数及第一气隙被用以形成及控制可控漏电感,其中中心柱是作为漏磁通量路径。

【技术实现步骤摘要】

本案是关于一种用于电气隔离的lcl-t谐振转换器的磁性组件,尤指一种用于电气隔离的lcl-t谐振转换器且形成可控漏电感的磁性组件。


技术介绍

1、图1a示出传统变压器的平板式磁件设计。于此图式中,采用了e型及i型磁芯,其中e型磁芯呈标准形状,即e型磁芯中边柱和底板的厚度为中心柱的厚度的一半。初级绕组和次级绕组均绕设于e型磁芯的中心柱上。具pcb(printed circuit board,印刷电路板)绕组的平板式磁件因其自动化生产、可控寄生参数、良好散热性能和扁平形状等特性而愈发受到广泛使用。例如:(i)“z.ouyang and m.a.e.andersen,"overview of planar magnetictechnology—fundamental properties,"in ieee transactions on powerelectronics”及(ii)“b.li,q.li and f.c.lee,"high-frequency pcb windingtransformer with integrated inductors for a bi-directional resonantconverter,"in ieee transactions on power electronics”。

2、于图1a中,还应注意到初级绕组和次级绕组的绕线相互交错,此交错现象对于高频变压器极为重要,是用以限制绕组中的交流损耗。e型磁芯和i型磁芯之间相隔一气隙g。由图1b所示的变压器的磁阻模型可看出,由于此磁件配置中不存在供漏磁通量流过的第一优先路径,故初级绕组所产生的所有磁通量必定连接于次级绕组,反之亦然。因此,在图1a所示的传统变压器的平板式磁件设计中,由于不存在供漏磁通量流过的第一优先路径,故无法形成可控漏电感。

3、类似地,图2a示出另一种现有做法,其以u型和i型磁芯取代e型和i型磁芯来构建高频变压器,且绕组绕设于u型磁芯的两个边柱。与图1a所示相比,磁芯形状和绕组分布皆有明显且重要的区别。为维持所需匝数比np:ns,须保持np=np1+np2且ns=ns1+ns2,其中np代表初级绕组的初级绕线np的总匝数,ns代表次级绕组的次级绕线ns的总匝数。初级绕线np包括绕设于第一边柱上的第一初级绕线np1以及绕设于第二边柱上的第二初级绕线np2,次级绕线ns包含绕设于第一边柱上的第一次级绕线ns1以及绕设于第二边柱上的第二次级绕线ns2,本案所列等式中的np1、np2、ns1和ns2分别代表第一初级绕线np1、第二初级绕线np2、第一次级绕线ns1和第二次级绕线ns2的匝数。可形成较佳交错和最小绕组损耗的最常见选择为和在任意情况下,由图2b所示的磁阻模型可看出,由于所有磁通量皆沿相同路径流经u型磁芯,故初级绕组所产生的所有磁通量必定连接于次级绕组,反之亦然。因此,此种磁件结构亦无法形成有效可控的漏电感。

4、因此,如何专利技术一种可改善上述现有技术的磁性组件,实为目前迫切的需求。


技术实现思路

1、本案的目的在于提供一种用于电气隔离的lcl-t谐振转换器的磁性组件,其中磁性组件可形成可控漏电感。

2、为达上述目的,本案提供一种用于电气隔离的lcl-t谐振转换器的磁性组件,其包含第一磁芯、第二磁芯、初级绕组及次级绕组。第一磁芯包含第一边柱、第二边柱及中心柱,其中中心柱设置于第一边柱与第二边柱之间。初级绕组包含绕设于第一边柱上的第一初级绕线和绕设于第二边柱上的第二初级绕线。次级绕组包含绕设于第一边柱上的第一次级绕线和绕设于第二边柱上的第二次级绕线。第一初级绕线和第二初级绕线的匝数不相等且/或第一次级绕线和第二次级绕线的匝数不相等。第一磁芯的中心柱与第二磁芯之间相隔第一气隙,第一初级绕线的匝数、第二初级绕线的匝数、第一次级绕线的匝数、第二次级绕线的匝数及第一气隙被用以形成及控制可控漏电感,其中中心柱是作为漏磁通量路径。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁性组件,用于电气隔离的LCL-T谐振转换器,且包含:

2.如权利要求1所述的磁性组件,其中所有该磁芯及该绕组形成一变压器,该磁性组件磁集成了该变压器和该可控漏电感而作为一谐振电感。

3.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一初级绕线和该第二初级绕线的匝数和与该第一次级绕线和该第二次级绕线的匝数和不相等。

4.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一磁芯的该第一边柱与该第二边柱之间相隔一第二气隙,该第二气隙被用于控制该磁性组件的一磁化电感。

5.如权利要求4所述的磁性组件,其中该磁化电感大于该可控漏电感。

6.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一初级绕线的该匝数、该第二初级绕线的该匝数、该第一次级绕线的该匝数、该第二次级绕线的该匝数被控制而使该磁性组件的一总损耗小于一预设值,该总损耗包含一磁芯损耗及一绕组损耗。

7.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一边柱上的该第一初级绕线与该第一次级绕线之间相隔一可控间隙,该可控间隙用以降低寄生电容和最小化与边缘场相关的涡电流损耗。

8.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第二边柱上的该第二初级绕线与该第二次级绕线之间相隔一可控间隙,该可控间隙用以降低寄生电容和最小化与边缘场相关的涡电流损耗。

9.如权利要求1所述的磁性组件,还包含一三级绕组,包含绕设于该第一边柱上的一第一三级绕线和绕设于该第二边柱上的一第二三级绕线。

10.如权利要求9所述的磁性组件,其中该第一三级绕线的匝数与该第二三级绕线的匝数不相等。

11.如权利要求1所述的磁性组件,还包含绕设于该中心柱上的一三级绕组。

12.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一磁芯还包含一底板,该第一边柱、该第二边柱及该中心柱设置于该底板上,且该第一边柱、该第二边柱、该中心柱及该底板具有相同的厚度。

13.如权利要求12所述的磁性组件,其中该第二磁芯的厚度等于该第一边柱、该第二边柱、该中心柱及该底板的该厚度。

...

【技术特征摘要】

1.一种磁性组件,用于电气隔离的lcl-t谐振转换器,且包含:

2.如权利要求1所述的磁性组件,其中所有该磁芯及该绕组形成一变压器,该磁性组件磁集成了该变压器和该可控漏电感而作为一谐振电感。

3.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一初级绕线和该第二初级绕线的匝数和与该第一次级绕线和该第二次级绕线的匝数和不相等。

4.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一磁芯的该第一边柱与该第二边柱之间相隔一第二气隙,该第二气隙被用于控制该磁性组件的一磁化电感。

5.如权利要求4所述的磁性组件,其中该磁化电感大于该可控漏电感。

6.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一初级绕线的该匝数、该第二初级绕线的该匝数、该第一次级绕线的该匝数、该第二次级绕线的该匝数被控制而使该磁性组件的一总损耗小于一预设值,该总损耗包含一磁芯损耗及一绕组损耗。

7.如权利要求1所述的磁性组件,其中该第一边柱上的该第一初级绕线与该第一次级绕线之...

【专利技术属性】
技术研发人员:萨蒂亚基·穆克吉包彼得
申请(专利权)人:台达电子工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1