【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制备，具体涉及mini led蓝绿芯片结构及其制造方法。
技术介绍
1、mini led芯片用于直显和背光是一种具有小型化、高亮度、高分辨率等特点的led芯片，具有广阔的应用前景。mini led芯片的制造难点之一是金属迁移问题。现有技术中通常使用铂作为抗迁移层，但铂本身也是一种活泼金属，在电流和水汽的作用下，仍然会发生迁移。此外，铂的价格较高，也增加了mini led芯片的成本。为了解决mini led芯片的金属迁移问题，目前业界主要有以下几种解决方案：
2、采用新型抗迁移材料：例如，使用镍、铜等惰性金属作为抗迁移层，或者使用陶瓷、金刚石等高介电常数材料作为钝化层，来抑制金属迁移。如公开号为：cn117637962a公开的一种防止金属迁移失效的led芯片。
3、优化芯片结构：例如，增加pn区电极之间的距离，降低电位差，减少金属迁移的趋势。
4、采用改进的制造工艺：例如，使用更精密的制造工艺来减少芯片表面的缺陷，降低金属迁移的风险。这些方案各有优缺点，需要根据实际情况进行选择。例如，采用新型抗迁移材料可以有效抑制金属迁移，但需要考虑材料的成本和工艺可行性。优化芯片结构可以减少金属迁移的趋势，但需要对芯片结构进行重新设计。改进的制造工艺可以降低金属迁移的风险，但需要投入较大的研发成本。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了mini led蓝绿芯片结构及其制造方法。
2、本专利技术为
3、所述注入金属层包括p型电流扩展注入金属层及n型电流扩展注入金属层，所述p型电流扩展注入金属层位于透明导电层上，所述n型电流扩展注入金属层位于n型氮化镓层的上。
4、防迁移金属为铌。防迁移金属的厚度为50～100nm。
5、还包括衬底，所述衬底上依次设置n型氮化镓层、多层量子阱层、p型氮化镓层，所述p型氮化镓层上镀有透明导电层；
6、芯片外圈切割道刻穿n型氮化镓层露出所述衬底，刻穿的侧壁、所述n型氮化镓层及透明导电层上设置有缓冲绝缘层及绝缘反射层。
7、所述p型电流扩展注入金属层连接有p型焊接结合界面金属层；
8、所述n型电流扩展注入金属层连接有n型焊接结合界面金属层。
9、所述衬底为宝石蓝衬底。
10、应用于上述的mini led蓝绿芯片结构制造方法，包括以下步骤：
11、步骤一：进行基础层的生长制备；
12、步骤二：制备n型氮化镓台阶；
13、步骤三：制备电流注入金属层；
14、步骤四：制备缓冲绝缘层和绝缘反射层；缓冲绝缘层的材料可以选择sio2、si3n4等；绝缘反射层的材料可以选择tio2、al2o3等。缓冲绝缘层的厚度一般为500nm,反射层通常使用ti3o5和sio2形成的布拉格反射层。
15、步骤五：制备焊接结合界面金属层。
16、步骤一中基础层包括衬底上依次层叠的n型氮化镓层、多层量子阱层、p型氮化镓层，所述p型氮化镓层上设置有透明导电层。
17、所述步骤二中通过光刻设施进行图形转移，使用化学腐蚀和icp刻蚀的方式裸露出n型氮化镓台阶，并使透明导电层与icp刻蚀边缘镂空。
18、所述步骤三中电流注入金属层包括n型电流扩展注入金属层及p型电流扩展注入金属层，电流扩展注入金属层由合金制备，所述合金成分包括cr、al、ti、pt、au、nb。
19、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本申请在mini led芯片的n/p型电流扩展注入金属层中使用一种新型的抗迁移层材料，该材料具有较高的耐过驱能力和耐高温特性，耐电流冲击，能够实现更高的抗电迁移效果。
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1.Mini LED蓝绿芯片结构，其特征在于，包括注入金属层，所述注入金属层包括防迁移金属。
2.根据权利要求1所述的Mini LED蓝绿芯片结构，其特征在于，所述注入金属层包括P型电流扩展注入金属层(6)及N型电流扩展注入金属层(7)，所述P型电流扩展注入金属层(6)位于透明导电层(5)上，所述N型电流扩展注入金属层(7)位于N型氮化镓层(2)的上。
3.根据权利要求1所述的Mini LED蓝绿芯片结构，其特征在于，防迁移金属为铌。
4.根据权利要求1所述的Mini LED蓝绿芯片结构，其特征在于，还包括衬底(1)，所述衬底(1)上依次设置N型氮化镓层(2)、多层量子阱层(3)、P型氮化镓层(4)，所述P型氮化镓层(4)上镀有透明导电层(5)；
5.根据权利要求4所述的Mini LED蓝绿芯片结构，其特征在于，所述P型电流扩展注入金属层(6)连接有P型焊接结合界面金属层(10)；
6.根据权利要求4所述的Mini LED蓝绿芯片结构，其特征在于，所述衬底(1)为宝石蓝衬底。
7.应用于权利要求1-6任一所述
8.根据权利要求7所述的Mini LED蓝绿芯片结构制造方法，其特征在于，所述步骤一中基础层包括衬底(1)上依次层叠的N型氮化镓层(2)、多层量子阱层(3)、P型氮化镓层(4)，所述P型氮化镓层(4)上设置有透明导电层。
9.根据权利要求8所述的Mini LED蓝绿芯片结构制造方法，其特征在于，所述步骤二中通过光刻设施进行图形转移，使用化学腐蚀和ICP刻蚀的方式裸露出N型氮化镓台阶，并使透明导电层与ICP刻蚀边缘镂空。
10.根据权利要求7所述的Mini LED蓝绿芯片结构制造方法，其特征在于，所述步骤三中电流注入金属层包括N型电流扩展注入金属层及P型电流扩展注入金属层，电流扩展注入金属层由合金制备，所述合金成分包括Cr、Al、Ti、Pt、Au、Nb。
...【技术特征摘要】
1.mini led蓝绿芯片结构，其特征在于，包括注入金属层，所述注入金属层包括防迁移金属。
2.根据权利要求1所述的mini led蓝绿芯片结构，其特征在于，所述注入金属层包括p型电流扩展注入金属层(6)及n型电流扩展注入金属层(7)，所述p型电流扩展注入金属层(6)位于透明导电层(5)上，所述n型电流扩展注入金属层(7)位于n型氮化镓层(2)的上。
3.根据权利要求1所述的mini led蓝绿芯片结构，其特征在于，防迁移金属为铌。
4.根据权利要求1所述的mini led蓝绿芯片结构，其特征在于，还包括衬底(1)，所述衬底(1)上依次设置n型氮化镓层(2)、多层量子阱层(3)、p型氮化镓层(4)，所述p型氮化镓层(4)上镀有透明导电层(5)；
5.根据权利要求4所述的mini led蓝绿芯片结构，其特征在于，所述p型电流扩展注入金属层(6)连接有p型焊接结合界面金属层(10)；
6.根据权利要求4所述的m...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚金龙，朱帅，
申请(专利权)人：湖南蓝芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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