【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产，具体是半导体尾气处理分析方法。
技术介绍
1、半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分，在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放，这些废气中混合着危险污染物，将其直接排放到大气中会对环境造成不良影响，因此需要对其进行净化，并对研究结果进行分析得知自身所使用的净化装置的净化效率，可以用以改进生产设备。
2、在中国专利202110603927.4中，本专利技术公开了一种半导体设备的尾气处理装置和半导体设备，其中，所述半导体设备包括基座环，所述尾气处理装置包括设置在所述基座环排气端的导流块、设置在所述基座环中的吹扫通道和与所述吹扫通道连通的供气组件，其中：所述供气组件，用于为所述吹扫通道提供吹扫气体；所述吹扫通道用于使用所述吹扫气体对所述导流块与所述基座环之间的间隙进行吹扫，以使工艺气体从所述间隙排出。本专利技术能够减少导流块外表面产生coating现象，避免导流块和基座环的粘结，方便导流块的拆卸。
3、目前存在半导体尾气处理装置，其利用吹扫通道提供吹扫气体，吹扫气体对导流块与基座环之间的间隙进行吹扫，以使工艺气体从间隙排出，而对半导体尾气处理的分析方法没有详细描述，另外目前的分析方法存在无法通过两种不同长度的气体池切换对废气净化前后进行分析，而池体长度影响组分定量以及无法对组分进行定性分析的问题。
4、因此，针对上述问题提出半导体尾气处理分析方法。
技术实现思路
1、本专利技术对
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术所述的半导体尾气处理分析方法，包括以下步骤：
3、s1、安装固定气体池；
4、s2、进口与出口的连接；
5、s3、分类密闭收集尾气；
6、s4、吹扫光路系统及气体池；
7、s5、液氮制冷；
8、s6、检测样品并导出数据校正；
9、s7、检测并记录未净化废气数据；
10、s8、净化废气并检测记录；
11、s9、对比废气前后数据，确认净化装置的净化效率。
12、优选的，所述步骤s1中将气体池安装到设备处连接内六角螺丝固定后，连接主机和气体池。
13、优选的，所述步骤s2中气体池有进口出口两路，均为1/4卡套式连接，在进口处连接1/4三通球阀，出口处连接1/4两通球阀用于保护气体池，一路检测样品，一路吹扫惰性气体，另一路连接进口。
14、优选的，所述步骤s3中半导体产生的废气的主体是vocs，同时还混合了hcl、氨、hf等危险污染物，这些都是通过分类密闭收集起来，在半导体工业生产过程中，废气会通过排气管道排放出来，半导体尾气处理系统需要将这些废气收集到气体池中。
15、优选的，所述步骤s4中6n惰性气体吹扫主机和气体池，吹扫流量为2-3l/min，6n高纯度氮气被用作反应过程中的惰性气体，以阻止意外反应和杂质的干扰，由可调流量计控制，可调流量计的量程为0-10l/min。
16、优选的，所述步骤s5中主机上方有1/4大小空洞开口处放入漏斗，加入液氮制冷，ftir采用液氮冷却mct检测器再搭载1cm、15cm气体池，气体池温度为60摄氏度，使用前用超纯氮气分别对光路系统及气体池进行吹扫，确认光路无杂质干扰，加液氮使mct检测器冷却，网线连接midac接口处与电脑网络端口通讯，开机使用，将所得数据信息输入到电脑中。
17、优选的，所述步骤s6中将所需检测废气组分添加到ftir内部的“数据采集系统”软件中，同时将数据库数据导出校正。
18、优选的，所述步骤s7中将未净化废气通入到1cm气体池，ftir设备中对废气中组分含量进行检测并记录数据。
19、优选的，所述步骤s8中将废气通过净化装置后连接到15cm气体池，ftir设备对其中组分含量进行检测并记录。
20、优选的，所述步骤s9中采用移动式小车搭载傅里叶红外光谱，配1cm、15cm气体池分别对处理前、后的废气含量进行分析，通过比对净化前后的数据，确认处理装置的净化效率。
21、本专利技术的有益之处在于：
22、本专利技术对半导体尾气处理提供了一种详细的分析方法，利用傅里叶红外光谱仪，配1cm、15cm气体池分别对处理前、后的废气含量进行分析，进一步对废气经过处理装置后净化效率进行分析，确认处理装置的净化效率，本专利技术便于通过两种不同长度气体池的切换对废气净化前后进行分析，不会导致因池体长度影响组分定量，且ftir拥有庞大的数据库还可对组分进行定性分析。
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1.半导体尾气处理分析方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S1中将气体池安装到设备处连接内六角螺丝固定后，连接主机和气体池。
3.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S2中气体池有进口出口两路，均为1/4卡套式连接，在进口处连接1/4三通球阀，出口处连接1/4两通球阀用于保护气体池，一路检测样品，一路吹扫惰性气体，另一路连接进口。
4.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S3中半导体产生的废气的主体是VOCs，同时还混合了HCl、氨、HF等危险污染物，这些都是通过分类密闭收集起来，在半导体工业生产过程中，废气会通过排气管道排放出来，半导体尾气处理系统需要将这些废气收集到气体池中。
5.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S4中6N惰性气体吹扫主机和气体池，吹扫流量为2-3L/MIN，6N高纯度氮气被用作反应过程中的惰性气体，以阻止意外反应和杂质的干扰，由可调流量计控制，可调流量计的量程
6.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S5中主机上方有1/4大小空洞开口处放入漏斗，加入液氮制冷，FTIR采用液氮冷却MCT检测器再搭载1cm、15cm气体池，气体池温度为60摄氏度，使用前用超纯氮气分别对光路系统及气体池进行吹扫，确认光路无杂质干扰，加液氮使MCT检测器冷却，网线连接MIDAC接口处与电脑网络端口通讯，开机使用，将所得数据信息输入到电脑中。
7.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S6中将所需检测废气组分添加到FTIR内部的“数据采集系统”软件中，同时将数据库数据导出校正。
8.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S7中将未净化废气通入到1cm气体池，FTIR设备中对废气中组分含量进行检测并记录数据。
9.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S8中将废气通过净化装置后连接到15cm气体池，FTIR设备对其中组分含量进行检测并记录。
10.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤S9中采用移动式小车搭载傅里叶红外光谱，配1cm、15cm气体池分别对处理前、后的废气含量进行分析，通过比对净化前后的数据，确认处理装置的净化效率。
...【技术特征摘要】
1.半导体尾气处理分析方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤s1中将气体池安装到设备处连接内六角螺丝固定后，连接主机和气体池。
3.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤s2中气体池有进口出口两路，均为1/4卡套式连接，在进口处连接1/4三通球阀，出口处连接1/4两通球阀用于保护气体池，一路检测样品，一路吹扫惰性气体，另一路连接进口。
4.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤s3中半导体产生的废气的主体是vocs，同时还混合了hcl、氨、hf等危险污染物，这些都是通过分类密闭收集起来，在半导体工业生产过程中，废气会通过排气管道排放出来，半导体尾气处理系统需要将这些废气收集到气体池中。
5.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在于：所述步骤s4中6n惰性气体吹扫主机和气体池，吹扫流量为2-3l/min，6n高纯度氮气被用作反应过程中的惰性气体，以阻止意外反应和杂质的干扰，由可调流量计控制，可调流量计的量程为0-10l/min。
6.根据权利要求1所述的半导体尾气处理分析方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：李贺楠，刘伟龙，
申请(专利权)人：北京高麦克仪器科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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