【技术实现步骤摘要】
本技术涉及液晶显示器，具体地涉及一种低断线不良的tft-lcd阵列基板。
技术介绍
1、液晶显示器中的数据信号线是负责将指定的数据信号传递到像素tft器件的源极，通过像素tft器件写入到特定的画素电极，进而显示我们需要的画面；扫描信号线是负责将gip电路产生的信号传递到像素tft的栅极，控制像素tft器件的开与关。
2、如图1所示，传统tft-lcd阵列基板之中，数据信号线纵向设置，扫描信号线横向设置，一条扫描信号线对应控制一行像素tft器件的开与关，一条数据信号线提供一列像素tft器件的数据信号。如图2所示，传统tft-lcd阵列基板之中，tft器件的有源块、源极、漏极都在第一绝缘层的上表面，有源块在栅极的正上方，有源块的两端分别与源极、漏极直接相连。由于栅极所在的第一金属层的存在，数据信号线在第一绝缘层就会存在较多爬坡走线的位置，如图3所示，一条数据信号线经过一列像素tft器件产生爬坡走线的示意图，这些爬坡走线的位置都存在发生数据信号线断开的风险。
3、尤其对于高分辨率的显示面板，数据信号线是金属线，金属线要求做得更细，数据信号线断线的风险就会相对更高。在批量生产时，断线不良直接会造成产品整体良率偏低，给产品盈利造成重大压力。因此需要一种低断线不良的tft-lcd阵列基板。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种低断线不良的tft-lcd阵列基板，数据信号线有效地避开爬坡，降低数据信号线发生断线不良。
2、本技术是这样实现的：
3、玻璃衬底；
4、第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成gip栅极、面内栅极和扫描信号线，所述面内栅极与所述扫描信号线连接；
5、第一绝缘层，固定设置在所述玻璃衬底与所述第一金属层的上表面，所述第一绝缘层开设有第一gip连接孔；
6、有源层，固定设置在所述第一绝缘层的上表面，形成gip有源块和面内有源块，所述gip有源块位于所述gip栅极的正上方，所述面内有源块位于所述面内栅极的正上方；
7、第二金属层，固定设置在所述第一绝缘层的上表面，形成桥接块和tp走线，所述桥接块通过所述第一gip连接孔与所述扫描信号线连接，所述tp走线位于所述面内有源块的右方；
8、第二绝缘层，固定设置在所述第二金属层、所述有源层与所述第一绝缘层的上表面；
9、有机平坦层，固定设置在所述第二绝缘层的上表面，所述有机平坦层开设有第二gip连接孔、第三gip连接孔、第四gip连接孔、第一面内连接孔和第二面内连接孔；
10、第三金属层，固定设置在所述有机平坦层的上表面，形成gip源极、gip漏极、面内源极、面内漏极和数据信号线，所述gip源极通过所述第二gip连接孔与所述gip有源块的左端连接，所述gip漏极通过所述第三gip连接孔与所述gip有源块的右端连接，所述gip漏极还通过所述第四gip连接孔与所述桥接块连接，所述面内漏极通过所述第一面内连接孔与所述面内有源块的左端连接，所述面内源极通过所述第二面内连接孔与所述面内有源块的右端连接，所述数据信号线与所述面内源极连接，所述数据信号线还遮挡所述tp走线。
11、进一步地，还包括：
12、第三绝缘层，固定设置在所述第三金属层与所述有机平坦层的上表面，所述第三绝缘层开设有第三面内连接孔；
13、画素电极，固定设置在所述第三绝缘层的上表面，所述画素电极通过所述第三面内连接孔与所述面内漏极连接；
14、第四绝缘层，固定设置在所述画素电极与所述第三绝缘层的上表面，所述第四绝缘层开设有第四面内连接孔；
15、公共电极，固定设置在所述第四绝缘层的上表面，所述公共电极通过所述第四面内连接孔与所述tp走线连接。
16、进一步地，还包括：
17、液晶，所述液晶的下端与所述画素电极连接，所述液晶的上端与所述公共电极连接。
18、进一步地，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料都是mo/al/mo叠层结构或者ti/al/ti叠层结构。
19、进一步地，所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层的材料都是siox单层结构或者sinx/siox双层结构。
20、进一步地，所述有源层的材料是金属氧化物半导体。
21、进一步地，所述画素电极与所述公共电极的材料都是ito。
22、相较于
技术介绍
，本技术的优点在于：1、数据信号线、源极、漏极都设置在有机平坦层的上表面，然后通过打孔方式，将源极、漏极连接到对应有源块的两端，以及将gip电路区对应tft器件的漏极连接到桥接块，桥接块与有源块在同一层，桥接块与扫描信号线连接，由于有机平坦层具有平坦化的作用，所以数据信号线有效地避开爬坡，降低数据信号线断线风险，从而降低数据信号线发生断线不良。2、设置的桥接块，有助于第二gip连接孔与其他连接孔的蚀刻深度一致，避免有源块过刻情况。3、tp走线与数据信号线不是做在相同层，数据信号线遮挡tp走线，提高显示开口率。4、有机平坦层增大了栅极和源漏极之间的距离，可以降低栅极和源漏极产生的寄生电容，提高画面显示质量。
【技术保护点】
1.一种低断线不良的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种低断线不良的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的一种低断线不良的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的一种低断线不良的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料都是MO/AL/MO叠层结构或者Ti/AL/Ti叠层结构。
5.根据权利要求2所述的一种低断线不良的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层的材料都是SiOx单层结构或者SiNx/SiOx双层结构。
6.根据权利要求2所述的一种低断线不良的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料是金属氧化物半导体。
7.根据权利要求2所述的一种低断线不良的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述画素电极与所述公共电极的材料都是ITO。
【技术特征摘要】
1.一种低断线不良的tft-lcd阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种低断线不良的tft-lcd阵列基板，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的一种低断线不良的tft-lcd阵列基板，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的一种低断线不良的tft-lcd阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料都是mo/al/mo叠层结构或者ti/al/ti叠层结构。
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