【技术实现步骤摘要】
本公开涉及封装包括具有玻璃芯的衬底的光子集成电路(pic)。更具体地，本公开涉及针对pic架构的技术、方法和设备，所述pic架构包括衬底，所述衬底具有玻璃芯和穿过玻璃芯的光学通路。
技术介绍
1、电子电路当通常在诸如硅的半导体材料的晶片上被制作时被称为集成电路(ic)。具有这样的ic的晶片通常被切割成许多单独的管芯。包括pic的管芯可以被封装进ic封装，所述ic封装包含一个或多个管芯连同诸如电阻器、电容器和电感器的其他电子部件。光子ic封装可以被集成到诸如消费电子系统的电子系统上。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种光子组件，包括：
2.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述第一光学部件包括玻璃块、具有反射器的玻璃块、具有弯曲表面的玻璃块、具有镜面反射器的玻璃块、具有多方向反射器的玻璃块、具有波导的玻璃块、具有激光写入波导的玻璃块、光学透镜、微透镜、平面透镜或梯度折射率(GRIN)透镜、以及其组合。
3.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述第二光学部件是光纤连接器。
4.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述光学通路包括穿过所述芯的波导。
5.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述光学通路包括穿过所述第一光学部件的波导。
6.如权利要求1所述的光子组件，其中，通过光学胶或通过熔融接合将所述第一光学部件耦合到所述PIC。
7.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述光学通路是第一光学通路，所述PIC是第一PIC，并且所述光子组件进一步包括：
8.如权利要求7所述的光子组件，并且其中，通过穿过所述第一光学部件、所述芯和所述第三光学部件的第三光学通路将所述第一PIC光学耦合到所述第二PIC。
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10.如权利要求1所述的光子组件，进一步包括：
11.如权利要求10所述的光子组件，其中，通过所述电介质材料中的所述导电通路将所述IC电耦合到所述PIC。
12.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述芯的所述表面是第二表面，所述芯进一步包括与所述第二表面相对的第一表面，所述电介质材料是包括第二导电通路的第二电介质材料，并且所述光子组件进一步包括：
13.一种光子组件，包括：
14.如权利要求13所述的光子组件，其中，所述第一光学部件包含玻璃块、具有反射器的玻璃块、具有弯曲表面的玻璃块、具有镜面反射器的玻璃块、具有多方向反射器的玻璃块、具有波导的玻璃块、具有激光写入波导的玻璃块、光学透镜、微透镜、平面透镜或梯度折射率(GRIN)透镜、以及其组合。
15.如权利要求13所述的光子组件，其中，所述第二光学部件是光纤连接器。
16.如权利要求13所述的光子组件，其中，所述光学通路是第一光学通路，所述PIC是第一PIC，所述侧表面是第一侧表面，并且所述光子组件进一步包括：
17.如权利要求16所述的光子组件，并且其中，通过穿过所述第一光学部件、所述芯和所述第三光学部件的第三光学通路将所述第一PIC光学耦合到所述第二PIC。
18.一种光子组件，包括：
19.如权利要求18所述的光子组件，其中，所述多个第一光学部件包括玻璃块、具有反射器的玻璃块、具有弯曲表面的玻璃块、具有镜面反射器的玻璃块、具有多方向反射器的玻璃块、具有波导的玻璃块、具有激光写入波导的玻璃块、光学透镜、微透镜、平面透镜或梯度折射率(GRIN)透镜。
20.如权利要求18所述的光子组件，其中，所述多个第二光学部件包含光纤连接器。
...【技术特征摘要】
1.一种光子组件，包括：
2.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述第一光学部件包括玻璃块、具有反射器的玻璃块、具有弯曲表面的玻璃块、具有镜面反射器的玻璃块、具有多方向反射器的玻璃块、具有波导的玻璃块、具有激光写入波导的玻璃块、光学透镜、微透镜、平面透镜或梯度折射率(grin)透镜、以及其组合。
3.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述第二光学部件是光纤连接器。
4.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述光学通路包括穿过所述芯的波导。
5.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述光学通路包括穿过所述第一光学部件的波导。
6.如权利要求1所述的光子组件，其中，通过光学胶或通过熔融接合将所述第一光学部件耦合到所述pic。
7.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述光学通路是第一光学通路，所述pic是第一pic，并且所述光子组件进一步包括：
8.如权利要求7所述的光子组件，并且其中，通过穿过所述第一光学部件、所述芯和所述第三光学部件的第三光学通路将所述第一pic光学耦合到所述第二pic。
9.如权利要求1所述的光子组件，其中，所述第二光学部件在所述芯的所述侧表面处被光学耦合到所述光学通路。
10.如权利要求1所述的光子组件，进一步包括：
11.如权利要求10所述的光子组件，其中，通过所述电介质材料中的所述导电通路将所述ic电耦合到所述pic。
12.如权利要求1所述的光子...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·埃克顿，B·C·马林，C·刘，S·V·皮坦巴拉姆，H·塔纳卡，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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