【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种通过氦气流和温度检测晶圆偏移的装置和方法。
技术介绍
1、半导体去胶工艺中，为了防止晶圆滑片，要将其牢牢固定在衬底当中，虽然目前的氦气检测和esc可以检测晶圆是否固定在平面内以及吸附晶圆，但是仍然不能解决如何确定晶圆偏移方向的问题。
技术实现思路
1、本公开提供一种应用于去胶腔中的、确定晶圆滑片方向的方法和装置，通过氦气流带走通电铜片热量的方式来检测晶圆是否被固定住，以及没有被固定情况下的晶圆偏移方向。
2、本公开提供的晶圆偏移检测方案如下：
3、放置和固定晶圆的衬底上，在沿晶圆一周的不同位置上设有多个氦气通孔；
4、氦气流通过衬底底端的氦气通孔流入衬底内部；
5、氦气孔中设有金属片，金属片两端连接电极；各个氦气孔中的金属片为并联关系；
6、接通电源，对金属片进行加热；
7、由于金属的电阻率与温度成正比，即随着金属片温度的增加，电阻也会随之变大，那么：如果晶圆被牢牢固定在衬底表面而无滑偏，那么晶圆下方的氦气通孔中的氦气流会充满整个氦气孔，随着金属片温度不断增长，对应阻值增加，电流会逐渐减小；
8、如果晶圆出现了滑偏，那么被暴露出上端出口的氦气孔里，氦气流会持续向上流动，不断将金属片产生的热量带走，因此金属片的温度值将低于氦气不流动的孔，对应的阻值也会相对更小，所以它的电流会保持在一个相对其他未被暴露出的孔更大的状态；
9、因此，比较各个孔里流过金属片
10、基于上述原理，本公开提供的晶圆偏移检测装置，包括：
11、用于放置和固定晶圆的衬底；
12、衬底晶圆限位区中，沿晶圆一周的不同位置上设置多个氦气通孔，氦气流沿所述通孔从衬底下表面流入，从上表面流出；
13、所述氦气通孔中分别设有一金属片，金属片两端连接电极，对金属片进行加热；
14、不同角度方向的氦气通孔中的金属片通过两端连接的电极形成并联电路，比较在同一电压下流过各金属片的电流大小，确定晶圆是否发生滑偏以及滑偏的方向。
15、进一步的，衬底沿晶圆的一周设有均匀分布的8个氦气孔。
16、进一步的，氦气孔的孔径为0.2mm。
17、进一步的，金属片选用长方体的铜片。
18、进一步的，连接氦气通孔中金属片两端的电极埋在衬底中。
19、应用上述装置的晶圆偏移检测方法，包括以下步骤：
20、通过电极对氦气通孔中的金属片进行通电加热；
21、氦气流从衬底底端的氦气通孔流入衬底内部；
22、比较流过不同氦气通孔中金属片的电流大小，以判断晶圆是否发生偏移及偏移的方向。
23、进一步的，所述比较流过不同氦气通孔中金属片的电流大小以判断晶圆是否发生偏移及偏移的方向的步骤，具体包括：
24、如果有哪个孔的金属片电流比其他孔的电流值大，那么晶圆就是向远离该孔的方向发生了滑偏。
25、与现有技术相比，本公开的有益效果是：在氦气孔中设置电阻温度计，通过比较不同氦气孔中金属片的电流，反映氦气流动情况，从而确定晶圆是否发生滑偏，以及滑偏的方向。该方法不需要增加复杂的设备，简便易行。
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1.一种晶圆偏移检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述衬底沿晶圆的一周设有均匀分布的8个氦气通孔。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述氦气通孔的孔径为0.2mm。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述金属片采用长方体的铜片。
5.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，连接氦气通孔中金属片的电极埋在衬底中。
6.一种应用权利要求1-5中任一所述装置的晶圆偏移检测方法，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述比较流过不同氦气通孔中金属片的电流大小以判断晶圆是否发生偏移及偏移的方向的步骤，具体包括：
【技术特征摘要】
1.一种晶圆偏移检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述衬底沿晶圆的一周设有均匀分布的8个氦气通孔。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述氦气通孔的孔径为0.2mm。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述金属片采用长方体的铜片。
【专利技术属性】
技术研发人员：谭小龙，王兆祥，涂乐义，梁洁，吴磊，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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