【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种衬底处理装置和衬底处理方法。
技术介绍
1、随着半导体器件日益小型化，已经提出了使用极短波长(约13.5nm)的极紫外(euv)光刻。使用这种euv光刻，可以形成具有小临界尺寸和高纵横比的光刻胶图案。虽然已经研究了使用超临界流体的技术以防止在形成精细光刻胶图案的过程中光刻胶图案的塌陷，但仍然存在要解决/改进的问题，例如，在针对半导体器件的生产过程期间形成在衬底上的颗粒缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术构思的各个方面提供了一种用于提高衬底处理的均匀性的衬底处理装置和衬底处理方法。
2、此外，本专利技术构思的各个方面不限于上述内容，并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解本专利技术构思的附加方面。
3、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种衬底处理装置，包括：处理容器，具有处理空间；衬底支撑件，被配置为在处理容器内支撑衬底；流体供应器，被配置为通过容器供应管将处于超临界状态的处理流体供应给处理空间；喷头组件，被配置为将从流体供应器供应的处理流体扩散到处理空间；第一激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的水平对齐；第二激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的竖直对齐；以及控制器，被配置为基于所测量的水平对齐和竖直对齐来校正衬底、喷头组件和处理容器之一的位置，其中，第一激光部和第二激光部被配置为在处理容器内定位，并且在衬底上方移动。
4、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种衬底处理装置，包括：处理容器，具有处理空间
5、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种衬底处理方法，包括：将陀螺仪传感器安装到夹具；使用陀螺仪传感器来测量衬底的倾斜度和处理容器的下主体的倾斜度；基于所测量的下主体的倾斜度来校正衬底的位置和下主体的位置；将第一激光部安装到夹具；使用第一激光部来测量处理容器的上主体和喷头组件之间的水平宽度；基于水平宽度来校正喷头组件的位置；将第二激光部安装到夹具；使用第二激光部来测量从第二激光部的顶表面到处理容器的上主体和喷头组件之一的竖直距离；以及基于竖直距离来校正处理容器的上主体和喷头组件之一的位置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，
8.根据权利要求6所述的衬底处理装置，
9.根据权利要求6所述的衬底处理装置，
10.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
11.一种衬底处理装置，包括：
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置，
13.根据权利要求11所述的衬底处理装置，
14.根据权利要求11所述的衬底处理装置，
15.根据权利要求11所述的衬底处理装置，
16.根据权利要求15所述的衬底处理装置，
17.根据权利要求15所述的衬底处理装置，
18.一种衬底处理方法，包括：
19.根据权利要求18所述的衬底处理方法，
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...【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，
8.根据权利要求6所述的衬底处理装置，
9.根据权利要求6所述的衬底处理装置，
10.根据权利要求1所述的衬底处理装置，
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