一种G-PON三向45度滤光片及其制备方法技术

技术编号：41482469 阅读：5 留言：0更新日期：2024-05-30 14:31

本发明专利技术公开一种G‑PON三向45度滤光片，其包括基底层、第一镀膜结构和第二镀膜结构，第一镀膜结构和第二镀膜结构沉积于基底层的至少一个主面侧；其中，45度滤光片满足阻隔波长1540～1625nm的光，并且透射波长1260～1505nm的光；第一镀膜结构满足阻隔波长1540～1625nm的光，并且透射波长1260～1505nm的光；第二镀膜结构满足透射波长1260～1505nm的光；还公开一种G‑PON三向45度滤光片的制备方法。本发明专利技术可有效获得波长1540～1625nm的光阻隔性、及波长1260～1505nm的光透射性优异的45度滤光片，适用于G‑PON三向的45度分光应用上，滤光片性能稳定。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及滤光片，具体涉及一种g-pon三向45度滤光片及其制备方法。

技术介绍

1、g-pon(gigabit-capable pon)千兆无源光网络|吉比特无源光网络|无源光网络，技术是基于itu-tg.984.x标准的最新一代宽带无源光综合接入标准，具有高带宽、高效率、大覆盖范围、用户接口丰富等众多优点，被大多数运营商视为实现接入网业务宽带化，综合化改造的理想技术。

2、基于g-pon技术的设备基本结构与已有的pon类似，也是由局端的olt(光线路终端)，用户端的ont/onu(光网络终端或称作光网络单元)，连接前两种设备由单模光纤(smfiber)和无源分光器(splitter)组成的odn(光分配网络)以及网管系统组成。

3、对于其他的pon标准而言，g-pon标准提供了前所未有的高带宽，下行速率高达2.5gbit/s，其非对称特性更能适应宽带数据业务市场。提供qos的全业务保障，同时承载atm信元和/或gem帧，有很好的提供服务等级、支持qos保证和全业务接入的能力。承载gem帧时，可以将tdm业务映射到gem帧中，使用标准的8khz(125μs)帧能够直接支持tdm业务。作为电信级的技术标准，g-pon还规定了在接入网层面上的保护机制和完整的oam功能。

4、g-pon(vx)45度蓝色波段是在1550～1560nm，要求滤光片满足于1550～1625nm波段高反光、于1260～1500nm波段高透光，然而现有适用于g-pon三向用45度分光应用中的滤光片难以满足上述分光要求

技术实现思路

1、为了克服上述技术问题，本专利技术公开了一种g-pon三向45度滤光片及其制备方法。

2、本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案是：

3、一种g-pon三向45度滤光片，所述45度滤光片包括基底层、第一镀膜结构和第二镀膜结构，所述第一镀膜结构和所述第二镀膜结构沉积于所述基底层的至少一个主面侧；

4、其中，所述45度滤光片满足下述光学特性：阻隔波长1540～1625nm的光，并且透射波长1260～1505nm的光；

5、所述第一镀膜结构满足下述光学特性：阻隔波长1540～1625nm的光，并且透射波长1260～1505nm的光；

6、所述第二镀膜结构满足下述光学特性：透射波长1260～1505nm的光。

7、上述的g-pon三向45度滤光片，其中所述第一镀膜结构为若干层第一高折射率膜和第一低折射率膜交替层叠得到的层叠体；

8、所述第一镀膜结构的膜系结构为(aabb)m；

9、其中，a为所述第一高折射率膜，b为所述第一低折射率膜，aa表示所述第一高折射率膜的膜层厚度为a个基本厚度，bb表示所述第一低折射率膜的膜层厚度为b个基本厚度，m为循环次数。

10、上述的g-pon三向45度滤光片，其中所述第一镀膜结构共包括116层膜系，依次为：0.960a 0.419b 0.505a 0.735b 1.058a 0.996b 0.602a 0.430b 0.723a 1.008b 0.955a0.926b 0.596a 0.492b 0.719a 0.983b 0.950a 0.948b 0.660a 0.502b 0.649a 0.945b0.951a 0.994b 0.754a 0.519b 0.558a 0.897b 0.944a 1.013b 0.831a 0.615b 0.488a0.791b 0.913a 1.024b 0.894a 0.747b 0.482a 0.657b 0.852a 1.017b 0.935a 0.873b0.555a 0.545b 0.756a 0.988b 0.948a 0.954b 0.684a 0.523b 0.623a 0.920b 0.943a1.001b 0.806a 0.607b 0.512a 0.806b 0.911a 1.021b 0.891a 0.751b 0.492a 0.656b0.845a 1.014b 0.936a 0.888b 0.574a 0.538b 0.736a 0.980b 0.950a 0.971b 0.716a0.530b 0.593a 0.902b 0.940a 1.014b 0.838a 0.631b 0.490a 0.779b 0.905a 1.027b0.910a 0.782b 0.479a 0.635b 0.846a 1.016b 0.937a 0.884b 0.569a 0.536b 0.744a0.983b 0.950a 0.959b 0.666a 0.487b 0.644a 0.954b 0.962a 1.007b 0.713a 0.379b0.575a 1.011b 1.135a 1.439b 1.414a 0.527b。

11、上述的g-pon三向45度滤光片，其中所述第二镀膜结构为若干层第二高折射率膜和第二低折射率膜交替层叠得到的层叠体；

12、所述第二镀膜结构的膜系结构为(chdl)n；

13、其中，h为所述第二高折射率膜，l为所述第二低折射率膜，ch表示所述第二高折射率膜的膜层厚度为c个基本厚度，dl表示所述第二低折射率膜的膜层厚度为d个基本厚度，n为循环次数。

14、上述的g-pon三向45度滤光片，其中所述第二镀膜结构共包括7层膜系，依次为：1.599l 0.376h 0.390l 1.008h 2.268l 1.379h 1.052l。

15、上述的g-pon三向45度滤光片，其中所述第一高折射率膜和第二高折射率膜包括五氧化二钽膜层，所述第一低折射率膜和第二低折射率膜包括二氧化硅膜层。

16、一种g-pon三向45度滤光片的制备方法，所述制备方法用于制备上述的g-pon三向45度滤光片；

17、所述制备方法包括以下步骤：

18、步骤1，清洁基底层；

19、步骤2，真空抽至2×10-3pa；

20、步骤3，采用离子源辅助沉积技术，于所述基底层的一个主面侧上依次镀制若干层第一高折射率膜和第一低折射率膜，以获得第一镀膜结构；

21、步骤4，采用离子源辅助沉积技术，于所述基底层的一个主面侧上依次镀制若干层第二高折射率膜和第二低折射率膜，以获得第二镀膜结构。

22、上述的g-pon三向45度滤光片的制备方法，其中所述第一高折射率膜或第二高折射率膜的镀膜条件为：蒸发速率为离子源能量：beam电流为1327ma，beam电压为1327v，acc电压为800v，中和器的电流与离子源发射电流的比值为142％，离子源流入氧气流量为75sccm，离子源流入氩气流量为5sccm，中和器流入氩气流量为10sccm。

23、上述的g-pon三向45度滤光片的制备方法，其中所述第一低折射率膜或第二低折本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种G-PON三向45度滤光片，其特征在于，所述45度滤光片包括基底层、第一镀膜结构和第二镀膜结构，所述第一镀膜结构和所述第二镀膜结构沉积于所述基底层的至少一个主面侧；

2.根据权利要求1所述的G-PON三向45度滤光片，其特征在于，所述第一镀膜结构为若干层第一高折射率膜和第一低折射率膜交替层叠得到的层叠体；

3.根据权利要求2所述的G-PON三向45度滤光片，其特征在于，所述第一镀膜结构共包括116层膜系，依次为：0.960A 0.419B 0.505A 0.735B 1.058A 0.996B 0.602A 0.430B0.723A 1.008B 0.955A 0.926B 0.596A 0.492B 0.719A 0.983B 0.950A 0.948B 0.660A0.502B 0.649A 0.945B 0.951A 0.994B 0.754A 0.519B 0.558A 0.897B 0.944A 1.013B0.831A 0.615B 0.488A 0.791B 0.913A 1.024B 0.894A 0.747B 0.482A 0.6

4.根据权利要求3所述的G-PON三向45度滤光片，其特征在于，所述第二镀膜结构为若干层第二高折射率膜和第二低折射率膜交替层叠得到的层叠体；

5.根据权利要求4所述的G-PON三向45度滤光片，其特征在于，所述第二镀膜结构共包括7层膜系，依次为：1.599L 0.376H 0.390L 1.008H 2.268L 1.379H1.052L。

6.根据权利要求5所述的G-PON三向45度滤光片，其特征在于，所述第一高折射率膜和第二高折射率膜包括五氧化二钽膜层，所述第一低折射率膜和第二低折射率膜包括二氧化硅膜层。

7.一种G-PON三向45度滤光片的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1～6任一所述的G-PON三向45度滤光片；

8.根据权利要求7所述的G-PON三向45度滤光片的制备方法，其特征在于，所述第一高折射率膜或第二高折射率膜的镀膜条件为：蒸发速率为离子源能量：Beam电流为1327mA，Beam电压为1327V，ACC电压为800V，中和器的电流与离子源发射电流的比值为142％，离子源流入氧气流量为75sccm，离子源流入氩气流量为5sccm，中和器流入氩气流量为10sccm。

9.根据权利要求7所述的G-PON三向45度滤光片的制备方法，其特征在于，所述第一低折射率膜或第二低折射率膜的镀膜条件为：蒸发速率为离子源能量：Beam电流为1227mA，Beam电压为1227V，ACC电压为800V，中和器的电流与离子源发射电流的比值为142％，离子源流入氧气流量为65sccm，离子源流入氩气流量为2sccm，中和器流入氩气流量为10sccm。

10.根据权利要求7所述的G-PON三向45度滤光片的制备方法，其特征在于，在镀制所述第一镀膜结构和第二镀膜结构时，不规整膜系镀膜过程用离子源辅助镀膜，镀膜采用反射式光控来监控膜层的光学厚度，反射监控所用的监控波长通过Essential Macleod软件计算，得到每一膜层的正确光量走势，每一膜层的厚度用所述反射式光控方式来判停。

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【技术特征摘要】

1.一种g-pon三向45度滤光片，其特征在于，所述45度滤光片包括基底层、第一镀膜结构和第二镀膜结构，所述第一镀膜结构和所述第二镀膜结构沉积于所述基底层的至少一个主面侧；

2.根据权利要求1所述的g-pon三向45度滤光片，其特征在于，所述第一镀膜结构为若干层第一高折射率膜和第一低折射率膜交替层叠得到的层叠体；

3.根据权利要求2所述的g-pon三向45度滤光片，其特征在于，所述第一镀膜结构共包括116层膜系，依次为：0.960a 0.419b 0.505a 0.735b 1.058a 0.996b 0.602a 0.430b0.723a 1.008b 0.955a 0.926b 0.596a 0.492b 0.719a 0.983b 0.950a 0.948b 0.660a0.502b 0.649a 0.945b 0.951a 0.994b 0.754a 0.519b 0.558a 0.897b 0.944a 1.013b0.831a 0.615b 0.488a 0.791b 0.913a 1.024b 0.894a 0.747b 0.482a 0.657b 0.852a1.017b 0.935a 0.873b 0.555a 0.545b 0.756a 0.988b 0.948a 0.954b 0.684a 0.523b0.623a 0.920b 0.943a 1.001b 0.806a 0.607b 0.512a 0.806b 0.911a 1.021b 0.891a0.751b 0.492a 0.656b 0.845a 1.014b 0.936a 0.888b 0.574a 0.538b 0.736a 0.980b0.950a 0.971b 0.716a 0.530b 0.593a 0.902b 0.940a 1.014b 0.838a 0.631b 0.490a0.779b 0.905a 1.027b 0.910a 0.782b 0.479a 0.635b 0.846a 1.016b 0.937a 0.884b0.569a 0.536b 0.744a 0.983b 0.950a 0.959b 0.666a 0.487b 0.644a 0.954b 0.962a1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周荣铿，卢彬，
申请(专利权)人：贵州铜仁旭晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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