【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、晶体管具有控制输入和一对电流端子。在金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的实例中，控制输入是栅极并且电流端子是源极和漏极。栅极驱动器是接收数字控制信号并且产生用于接通和断开晶体管的合适量值的输出电压的电路。
技术实现思路
1、在一个实例中，栅极驱动器电路包含第一、第二和第三晶体管、第一电压箝位器和控制逻辑。所述第一晶体管具有第一控制输入以及第一和第二电流端子。所述第一电流端子耦合到第一电压端子。所述第一电压箝位器耦合在所述第一电压端子与所述第一控制输入之间。所述第二晶体管耦合在所述第一控制输入与所述第二电压端子之间。所述第三晶体管耦合在所述第一控制输入与所述第二电压端子之间。所述第三晶体管小于所述第二晶体管。所述控制逻辑经配置以接通所述第二和第三晶体管两者，由此接通所述第一晶体管。所述第一控制逻辑经配置以在所述第一晶体管接通之后断开所述第二晶体管，同时将所述第三晶体管维持在接通状态以将所述第一晶体管维持在所述接通状态。
【技术保护点】
1.一种栅极驱动器电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中：
3.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路，其进一步包含逻辑门，所述逻辑门具有第一输入、第二输入和逻辑门输出，所述逻辑门的所述第一输入耦合到所述触发器的所述输出并且所述逻辑门输出耦合到所述第一电流路径。
4.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路，其中所述触发器是置位-复位触发器。
5.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器是双拐点电压箝位器，并且所述第二电压箝位器也是双拐点电压箝位器。
6.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器包括：
7.根据权利要求6所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器进一步包括：
8.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述控制逻辑包括：
9.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述控制逻辑是第一控制逻辑，并且所述栅极驱动器电路进一步包括：
10.一种栅极驱动器电路，其包括：
11.根据权利要求10所述的栅极驱
12.根据权利要求10所述的栅极驱动器电路，其中：
13.根据权利要求12所述的栅极驱动器电路，其进一步包含逻辑门，所述逻辑门具有第一输入、第二输入和逻辑门输出，所述逻辑门的所述第一输入耦合到所述触发器的所述输出并且所述逻辑门输出耦合到所述第一电流路径。
14.根据权利要求10所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器是双拐点电压箝位器。
15.根据权利要求10所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器包括：
16.根据权利要求15所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器包含电压箝位器输出控制端子，并且所述第一电压箝位器经配置以在所述电压箝位器输出控制端子上生成信号，所述信号指示所述第一电压端子与所述第一控制输入之间的电压差达到箝位电压阈值。
17.一种栅极驱动器电路，其包括：
18.根据权利要求17所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器或第二电压箝位器中的至少一个包括：
19.根据权利要求18所述的栅极驱动器电路，其中所述第四晶体管大于所述第二晶体管。
20.根据权利要求17所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器或第二电压箝位器中的所述至少一个进一步包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种栅极驱动器电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中：
3.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路，其进一步包含逻辑门，所述逻辑门具有第一输入、第二输入和逻辑门输出，所述逻辑门的所述第一输入耦合到所述触发器的所述输出并且所述逻辑门输出耦合到所述第一电流路径。
4.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路，其中所述触发器是置位-复位触发器。
5.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器是双拐点电压箝位器，并且所述第二电压箝位器也是双拐点电压箝位器。
6.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器包括：
7.根据权利要求6所述的栅极驱动器电路，其中所述第一电压箝位器进一步包括：
8.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述控制逻辑包括：
9.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述控制逻辑是第一控制逻辑，并且所述栅极驱动器电路进一步包括：
10.一种栅极驱动器电路，其包括：
11.根据权利要求10所述的栅极驱动器电路，其进一步包括：
12.根据权利要求10所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·E·哈希姆，K·坎达斯瓦米，A·鲍道里纳特，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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