System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器制造技术_技高网

一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器制造技术

技术编号:41469516 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-30 14:23
本发明专利技术公开了一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器,包括振荡器模块,以及与其相连接的偏置模块、输出模块,本发明专利技术设计的宽带压控振荡器能够应用于锁相环系统;采用电容反馈式Colpitts结构进行正反馈负阻电路设计,在负阻管基极和射极接变容管进行双调谐,在0‑5V VT调谐电压变化内实现了2.5‑3.2GHz频带范围;基极变容管采用双变容管串联方式,有效降低闪烁噪声贡献,相位噪声在整个频带均小于‑108dBc/Hz@100kHz Offset;输出级采用交流耦合电容和电阻衰减网络进行输出,获得较好的匹配特性;本发明专利技术提供的压控振荡器电路,具有宽的频带范围和良好的相位噪声性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频微波,具体涉及一种基于gaas hbt工艺的宽带压控振荡器。


技术介绍

1、压控振荡器电路(vco)是无线通信系统的一个关键模块,通常用于锁相环系统中,给收发机提供稳定的本地载波信号。现如今,移动终端将呈现2g/3g/4g/5g等共同发展的态势;在卫星导航领域等方面,目前全球卫星导航系统正从gps时代转向gps、北斗、伽利略等卫星导航系统共同协作,多模共存的局面。因此研发一款支持多种无线通信标准的多模宽带压控振荡器具有重大意义,而传统的宽带压控振荡器往往采用开关电感,开关电容或者变压器实现,这些结构会引入额外损耗导致相位噪声性能变差并且设计过程复杂。


技术实现思路

1、本专利技术目的:在于提供一种基于gaas hbt工艺的宽带压控振荡器,采用colpitts结构,在基极和发射级分别引入变容管进行双调谐,因此增加了可调谐范围,同时基极变容管采用串联方式,可以有效减小闪烁噪声贡献,电路结构简单且不造成相位噪声恶化。

2、为实现以上功能,本专利技术设计一种基于gaas hbt工艺的宽带压控振荡器,包括振荡器模块、偏置模块、输出模块;

3、其中,振荡器模块由负阻电路、谐振电路组成,负阻电路采用电容反馈型colpitts结构,形成正反馈网络,为谐振电路注入能量;

4、偏置模块与振荡器模块相连接,通过电阻分压方式给负阻电路提供偏置电压;

5、输出模块与振荡器模块相连接,作为输出端口,对振荡器模块进行输出匹配。

6、作为本专利技术的一种优选技术方案:振荡器模块的负阻电路包括第一hbt管q1、第六电感l6、第七电感l7、第三电阻r3、第三电容c3、第四电容c4;

7、谐振电路包括第一变容二极管dv1、第二变容二极管dv2、第三变容二极管dv3、第一电感l1、第二电感l2、第三电感l3、第四电感l4、第一电容c1、第二电容c2;

8、其中,第一电容c1一端分别连接第一电感l1、第二电感l2的一端,同时接入调谐电压vt,另一端接地;第一电感l1的另一端分别与第一变容二极管dv1的负极、第二变容二极管dv2的负极相连接,第二变容二极管dv2的正极接地;第一变容二极管dv1的正极分别与第三电感l3、第四电感l4的一端相连接,第三电感l3的另一端接地,第四电感l4的另一端与第二电容c2的一端相连接;第二电容c2的另一端分别与第三电容c3的一端,以及第一hbt管q1的基极相连接;第一hbt管q1的集电极与第六电感l6的一端相连接;第三电容c3的另一端分别与第一hbt管q1的发射极、第四电容c4、第七电感l7的一端相连接,第四电容c4的另一端分别与第二电感l2的另一端、第三变容二极管dv3的负极相连接,第三变容二极管dv3的正极接地;第七电感l7的另一端与第三电阻r3的一端相连接,第三电阻r3的另一端接地。

9、作为本专利技术的一种优选技术方案:偏置模块包括第五电感l5、第一电阻r1、第二电阻r2、第五电容c5;

10、其中,第五电感l5的一端与振荡器模块的第一hbt管q1的基极相连接,另一端分别与第一电阻r1、第二电阻r2的一端相连接,第一电阻r1的另一端接地,第二电阻r2的另一端接入电源电压vdd,并分别与第五电容c5的一端,以及振荡器模块的第六电感l6的一端相连接;第五电容c5的另一端接地。

11、作为本专利技术的一种优选技术方案:输出模块包括第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6、第六电容c6、第七电容c7;

12、其中,第六电容c6的一端与振荡器模块的第一hbt管q1的发射极相连接,另一端与第四电阻r4的一端相连接,第四电阻r4的另一端分别与第五电阻r5、第六电阻r6的一端相连接,第六电阻r6的另一端接地;第五电阻r5的另一端与第七电容c7的一端相连接,第七电容c7的另一端连接到输出端out,作为输出模块的输出端口。

13、有益效果:相对于现有技术,本专利技术的优点包括:

14、本专利技术与现有的宽带压控振荡器电路相比,在负阻管基极和射极接变容管进行双调谐,在0-5v vt调谐电压变化内能够实现较宽的频带范围,结构简单;基极变容管采用双变容管串联方式,有效降低闪烁噪声贡献,相噪性能优秀。能够适应多模多频段的无线通信标准。

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【技术保护点】

1.一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器,其特征在于,包括振荡器模块、偏置模块、输出模块;

2.根据权利要求1所述的一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器,其特征在于,振荡器模块的负阻电路包括第一HBT管Q1、第六电感L6、第七电感L7、第三电阻R3、第三电容C3、第四电容C4;

3.根据权利要求2所述的一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器,其特征在于,偏置模块包括第五电感L5、第一电阻R1、第二电阻R2、第五电容C5;

4.根据权利要求2所述的一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器,其特征在于,输出模块包括第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第六电容C6、第七电容C7;

【技术特征摘要】

1.一种基于gaas hbt工艺的宽带压控振荡器,其特征在于,包括振荡器模块、偏置模块、输出模块;

2.根据权利要求1所述的一种基于gaas hbt工艺的宽带压控振荡器,其特征在于,振荡器模块的负阻电路包括第一hbt管q1、第六电感l6、第七电感l7、第三电阻r3、第三电容c3、第四电容c4;

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【专利技术属性】
技术研发人员:周领林宗伟何勇畅潘晓枫
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
类型:发明
国别省市:

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