【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种倒装发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
2、现有的发光二极管因设计不当还存在抗过电应力差的问题。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中发光二极管存在的不足，本专利技术提供一种倒装发光二极管，包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极。
2、外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一接触电极位于所述外延结构上，且电连接所述第一半导体层；第二接触电极位于所述外延结构上，且电连接所述第二半导体层；所述第二接触电极在外延结构上的正投影面积与所述第一接触电极在外延结构上的正投影面积比介于2:1～3:1之间。
3、本专利技术还提供一种发光装置，采用如上实施例所述的倒装发光二极管。
4、基于上述，与现有技术相比，本专利技术提供的倒装发光二极管通过对第一接触电极和第二接触电极的面积比进行限定，能够有效提高发光二极管的抗过电能力，避免发光二极管在高过电应力情况下容易发生结构烧伤而造成发光二极管能力失效的风险。
5、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术
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1.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极包括间隔分布在第二半导体层上的多个块状结构，所述第一接触电极包括间隔分布在第一半导体层上的多个块状结构。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管还包括：
4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极为叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠在第一接触电极或第二接触电极上的首层结构、中间层结构和末层结构；所述首层结构包括第一钛层，所述第一钛层位于叠层结构的最下层且与所述第一接触电极或第二接触电极直接接触。
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一钛层的厚度介于5～15埃之间。
6.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述首层结构为无铬的单层结构或多层结构。
7.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述中间层结构包括多对交替堆叠的铝层和第二钛层。
8.根据权利
9.根据权利要求7所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第二钛层的厚度大于所述第一钛层的厚度。
10.根据权利要求7所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述铝层的厚度大于所述第二钛层的厚度；所述铝层的厚度大于第一钛层的厚度。
11.根据权利要求7所述的倒装发光二极管，其特征在于：每一层铝层的厚度为4500～5500埃之间。
12.根据权利要求7所述的倒装发光二极管，其特征在于：每一层第二钛层的厚度介于900～1100埃之间。
13.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述末层结构包含的材料还选自钛、铂、镍、锡、金中的一种或多种。
14.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述末层结构包括铂层和第三钛层，所述第三钛层的厚度大于第一钛层的厚度；所述第三钛层的厚度介于900～1100埃之间。
15.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极的厚度介于22500～27500埃之间。
16.根据权利要求1-15任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倒装发光二极管还包括以下结构的一种或多种：
17.一种发光装置，其特征在于：采用如权利要求1-16任一项所述的倒装发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极包括间隔分布在第二半导体层上的多个块状结构，所述第一接触电极包括间隔分布在第一半导体层上的多个块状结构。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管还包括：
4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极为叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠在第一接触电极或第二接触电极上的首层结构、中间层结构和末层结构；所述首层结构包括第一钛层，所述第一钛层位于叠层结构的最下层且与所述第一接触电极或第二接触电极直接接触。
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一钛层的厚度介于5～15埃之间。
6.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述首层结构为无铬的单层结构或多层结构。
7.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述中间层结构包括多对交替堆叠的铝层和第二钛层。
8.根据权利要求7所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述铝层和第二钛层的堆叠对数为4～8。
9.根据权利要求7所述的倒装发...
【专利技术属性】
技术研发人员：何敏游，王庆，洪灵愿，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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