【技术实现步骤摘要】
本申请涉及通信，尤其涉及一种存储单元耦合仿真方法及装置、存储介质、计算设备。
技术介绍
1、存储器阵列中单元之间耦合的仿真，需要通过写入和擦除仿真，来得到写入的单元和擦除的单元，然后再去看单元之间的耦合。写入和擦除仿真是仿真加电压的过程，使电流通过栅氧进入浮栅或流出浮栅的过程。
2、在仿真过程中，通过写入和擦除仿真来得到写入和擦除单元的方法，该仿真过程是非常耗时的，并且容易出现仿真中断的情况，也就是仿真不收敛造成仿真无法继续的情况。落实到技术人员使用的图形用户界面（graphics user interface, gui），则需要在界面添加十多个器件仿真工具和参数提取工具，而在gui界面添加多个器件仿真工具和参数提取工具，导致仿真过程操作非常复杂。
3、因此，简化仿真过程是本领域所共同面临的一项技术难题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种提升存储单元耦合仿真效率的技术方案。
2、为了达到上述目的，本申请提供了以下技术方案：
3、第一方面，提供了一种存储单元耦合仿真方法，存储单元耦合仿真方法包括：将仿真存储单元阵列进行擦除，直至中心仿真存储单元的控制栅电压达到第一目标开启电压；对所述中心仿真存储单元进行写入，直至所述中心仿真存储单元的控制栅电压达到第二目标开启电压；按照第一电荷对第一仿真存储单元进行写入，获取所述中心仿真存储单元的控制栅的第一电压，并按照第二电荷对第二仿真存储单元进行写入，获取所述中心仿真存储单元的控制栅的第二电压，所
4、可选的，所述第一目标开启电压表示待仿真存储单元的浮栅中电荷被移除后对应的开启电压，所述第二目标开启电压表示所述待仿真存储单元的浮栅中放入电荷后对应的开启电压。
5、可选的，获取所述第一电荷和所述第二电荷的步骤，包括：计算所述第一仿真存储单元和所述第二仿真存储单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压时所需写入的第一电荷和第二电荷。
6、可选的，所述计算所述第一仿真存储单元和第二仿真存储单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压时所需写入的第一电荷和第二电荷包括：对所述第一仿真存储单元的浮栅增加电荷，直至所述第一仿真存储单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压，并记录所需的电荷为所述第一电荷；对所述第二仿真存储单元的浮栅增加电荷，直至所述第二仿真存储单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压，并记录所需的电荷为所述第二电荷。
7、可选的，所述第一仿真存储单元包括在行方向上与所述中心仿真存储单元相邻的至少一个第一仿真存储子单元，所述按照所述第一电荷对所述第一仿真存储单元进行写入包括：按照所述第一电荷分别对所述至少一个第一仿真存储子单元进行写入，并记录写入完成后所述中心仿真存储单元的控制栅的第一电压。
8、可选的，所述第二仿真存储单元包括在列方向上与所述中心仿真存储单元相邻的至少一个第二仿真存储子单元，以及在行方向上分别与至少一个第二仿真存储子单元相邻的第三仿真存储子单元。
9、可选的，所述按照第二电荷对第二仿真存储单元进行写入之前还包括：对所述第二仿真存储子单元的浮栅增加电荷，直至所述第二仿真存储子单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压，并记录所需的电荷为所述第二电荷；对所述第三仿真存储子单元的浮栅增加电荷，直至所述第三仿真存储子单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压，并记录所需的电荷为第三电荷。
10、可选的，所述按照所述第二电荷对所述第二仿真存储单元进行写入，获取所述中心仿真存储单元的控制栅的第二电压包括：按照所述第二电荷对至少一个第二仿真存储子单元进行写入，并记录写入完成后所述中心仿真存储单元的控制栅的第二电压；按照所述第三电荷对部分或全部第三仿真存储子单元进行写入，并记录写入完成后所述中心仿真存储单元的控制栅的第三电压。
11、可选的，所述根据所述第二目标开启电压、所述第一电压和所述第二电压计算所述第一仿真存储单元以及所述第二仿真存储单元对所述中心仿真存储单元的干扰包括：计算所述第二电压与所述第一电压的第一差值，作为所述第二仿真存储子单元对所述中心仿真存储单元的干扰；计算所述第三电压与所述第二电压的第二差值，作为所述第三仿真存储子单元对所述中心仿真存储单元的干扰。
12、可选的，所述根据所述第二目标开启电压、所述第一电压和所述第二电压计算所述第一仿真存储单元以及所述第二仿真存储单元对所述中心仿真存储单元的干扰包括：计算所述第一电压与所述第二目标开启电压的第三差值，作为所述第一仿真存储单元对所述中心仿真存储单元的干扰。
13、可选的，所述将仿真存储单元阵列进行擦除之前还包括：初始化所述仿真存储单元阵列，以使所述仿真存储单元阵列中各个仿真存储单元的浮栅中的电荷为零。
14、第二方面，本申请还公开一种存储单元耦合仿真装置，存储单元耦合仿真装置包括：擦除模块，用于将仿真存储单元阵列进行擦除，直至中心仿真存储单元的控制栅电压达到第一目标开启电压；第一写入模块，用于对所述中心仿真存储单元进行写入，直至所述中心仿真存储单元的控制栅电压达到第二目标开启电压；第二写入模块，用于按照第一电荷对第一仿真存储单元进行写入，获取所述中心仿真存储单元的控制栅的第一电压，并按照第二电荷对第二仿真存储单元进行写入，获取所述中心仿真存储单元的控制栅的第二电压，所述第一仿真存储单元和所述第二仿真存储单元分别为在行、列方向上与所述中心仿真存储单元相邻的单元；干扰计算模块，用于根据所述第二目标开启电压、所述第一电压和所述第二电压计算所述第一仿真存储单元以及所述第二仿真存储单元对所述中心仿真存储单元的干扰。
15、第三方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行以执行第一方面提供的方法。
16、第四方面，提供了一种存储单元耦合仿真装置，包括存储器和处理器，存储器上存储有可在处理器上运行的计算机程序，处理器运行计算机程序以执行第一方面提供的一种方法。
17、第五方面，提供了一种计算机程序产品，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行以执行第一方面提供的方法。
18、第六方面，本申请实施例还提供一种芯片（或者说数据传输装置），该芯片上存储有计算机程序，在计算机程序被芯片执行时，实现上述方法的步骤。
19、第七方面，本申请实施例还提供一种系统芯片，应用于终端中，所述芯片系统包括至少一个处理器和接口电路，所述接口电路和所述至少一个处理器通过线路互联，所述至少一个处理器用于执行指令，以执行第一方面提供的一种方法。
20、与现有技术相比，本申请技术方案具有以下有益效果：
21、本申请技术方案中，将仿真存储本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储单元耦合仿真方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述第一目标开启电压表示待仿真存储单元的浮栅中电荷被移除后对应的开启电压，所述第二目标开启电压表示所述待仿真存储单元的浮栅中放入电荷后对应的开启电压。
3.根据权利要求1或2所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，获取所述第一电荷和所述第二电荷的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述计算所述第一仿真存储单元和第二仿真存储单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压时所需写入的第一电荷和第二电荷包括：
5.根据权利要求1-2或4任一项所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述第一仿真存储单元包括在行方向上与所述中心仿真存储单元相邻的至少一个第一仿真存储子单元，所述按照所述第一电荷对所述第一仿真存储单元进行写入包括：
6.根据权利要求5所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述第二仿真存储单元包括在列方向上与所述中心仿真存储单元相邻的至少一个第二仿真存储子单元，以及在行方向上分别与
7.根据权利要求6所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述按照第二电荷对第二仿真存储单元进行写入之前还包括：
8.根据权利要求7所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述按照所述第二电荷对所述第二仿真存储单元进行写入，获取所述中心仿真存储单元的控制栅的第二电压包括：
9.根据权利要求8所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述根据所述第二目标开启电压、所述第一电压和所述第二电压计算所述第一仿真存储单元以及所述第二仿真存储单元对所述中心仿真存储单元的干扰包括：
10.根据权利要求1-2、4、6-9任一项所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述根据所述第二目标开启电压、所述第一电压和所述第二电压计算所述第一仿真存储单元以及所述第二仿真存储单元对所述中心仿真存储单元的干扰包括：
11.根据权利要求1所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述将仿真存储单元阵列进行擦除之前还包括：
12.一种存储单元耦合仿真装置，其特征在于，包括：
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器运行时执行权利要求1至11中任一项所述存储单元耦合仿真方法的步骤。
14.一种计算设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至11中任一项所述存储单元耦合仿真方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种存储单元耦合仿真方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述第一目标开启电压表示待仿真存储单元的浮栅中电荷被移除后对应的开启电压，所述第二目标开启电压表示所述待仿真存储单元的浮栅中放入电荷后对应的开启电压。
3.根据权利要求1或2所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，获取所述第一电荷和所述第二电荷的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述计算所述第一仿真存储单元和第二仿真存储单元的控制栅电压达到所述第二目标开启电压时所需写入的第一电荷和第二电荷包括：
5.根据权利要求1-2或4任一项所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述第一仿真存储单元包括在行方向上与所述中心仿真存储单元相邻的至少一个第一仿真存储子单元，所述按照所述第一电荷对所述第一仿真存储单元进行写入包括：
6.根据权利要求5所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述第二仿真存储单元包括在列方向上与所述中心仿真存储单元相邻的至少一个第二仿真存储子单元，以及在行方向上分别与至少一个第二仿真存储子单元相邻的第三仿真存储子单元。
7.根据权利要求6所述的存储单元耦合仿真方法，其特征在于，所述按照第二电荷对第二仿真存储单元进行写入之前还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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