System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种微波功率放大器小型化制备方法及微波功率放大器技术_技高网

一种微波功率放大器小型化制备方法及微波功率放大器技术

技术编号:41461228 阅读:11 留言:0更新日期:2024-05-28 20:46
本发明专利技术公开了一种微波功率放大器小型化制备方法及微波功率放大器,属于放大器技术领域。方法包括以下步骤:使用微波混合集成电路工艺制备微波功率放大器,所述微波混合集成电路工艺包括基片制作工艺和芯组装配工艺;所述基片制作工艺包括以下步骤:S1:根据版图电镀面积、布线疏密度和线宽设置电镀电流、电镀时间,创建电镀电流和电镀时间对应表;S2:选择电镀夹具、电镀槽的大小;S3:进行基片制作得到镀铜厚度为第一预设值的镀厚铜陶瓷基片;S4:对镀厚铜陶瓷基片进行组装。充分利用微波混合集成电路工艺的优势,并采用镀厚铜陶瓷基片,解决了大功率微波功率放大器的小型化的要求,并改善了传统应用方案一致性差的难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及放大器,尤其涉及一种微波功率放大器小型化制备方法及微波功率放大器


技术介绍

1、目前通讯及各种无线系统中,要求功率放大器具有较好的一致性,并且在较小的体积内实现大输出功率,以满足系统应用要求。以往实现大功率微波功率放大器的做法是,采用预匹配的技术方案,将绝大部分匹配电路在pcb板材上实现,并与位于管壳内的微波功率晶体管和部分匹配电路相连接。该方案体积大,且受限于pcb板材的加工精度,难以采用介电常数较高的介质以实现匹配电路的小型化,且产品一致性也较差。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种微波功率放大器小型化制备方法及微波功率放大器。

2、本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:本专利技术第一方面提供:一种微波功率放大器小型化制备方法,包括以下步骤:

3、使用微波混合集成电路工艺制备微波功率放大器,所述微波混合集成电路工艺包括基片制作工艺和芯组装配工艺;所述基片制作工艺包括以下步骤:

4、s1:根据版图电镀面积、布线疏密度和线宽设置电镀电流、电镀时间,创建电镀电流和电镀时间对应表;

5、s2:根据电镀电流和电镀时间选择电镀夹具、电镀槽的大小;

6、s3:进行基片制作得到镀铜厚度为第一预设值的镀厚铜陶瓷基片;

7、s4:对镀厚铜陶瓷基片进行组装,先对镀厚铜陶瓷基片的键合表面进行清洗,然后进行键合,最后进行质检。

8、优选的,所述的s3还包括以下步骤:</p>

9、s31:清洗基片,除去有机物;

10、s32:对基片进行粗化处理,蚀刻基片表面;

11、s33:对基片进行敏化处理,在基片表面吸附一层具有还原性的离子;

12、s34:在基片表面沉积种子层并进行电路制作得到镀厚铜陶瓷基片。

13、优选的,所述的s31包括以下步骤:

14、首先将基片在去离子水中浸泡,然后将基片依次放入丙酮溶液、酒精溶液、去离子水中分别超声清洗,除去有机物。

15、优选的,所述的s32包括以下步骤:

16、采用浓度为预设浓度的氢氟溶液在常温下刻蚀基片表面,然后取出使用去离子水对基片进行清洗。

17、优选的,所述的s33包括以下步骤:

18、配置敏化液,所述敏化液包括氯化亚锡、盐酸和单质锡,将基片放入敏化液中进行敏化处理,然后取出使用去离子水冲洗。

19、优选的,所述的s34包括以下步骤:

20、沉积厚度为第二预设值的种子层,将干膜贴在基片上,把基片放在热板上固化,接着在光刻机上进行曝光,然后将基片放入显影液中显影得到铜层线路,接着用甲基磺酸铜镀液电镀增厚铜层线路并在铜层上电镀一层金属镍,然后使用溅射工艺在基片上沉积金层,再使用去胶液除去干膜,最后使用双氧水和盐酸混合液去除种子层。

21、优选的,所述的第二预设值为500nm,所述干膜为杜邦sd250,所述显影液为3%的na2co3溶液,所述去胶液为3~5%naoh溶液。

22、优选的,去除种子层后,还包括以下步骤:清洗dpc陶瓷基板,使用氮气吹干dpc陶瓷基板并划片密封保存。

23、优选的,所述的s4,组装过程中采用全自动链式固化炉。

24、本专利技术第二方面提供:一种微波功率放大器,使用上述任一种微波功率放大器小型化制备方法制备而成,包括:

25、管壳,所述管壳内包括输入镀厚铜陶瓷基片、第二输入匹配电路、微波功率晶体管fet、第二输出匹配电路和输出镀厚铜陶瓷基片;所述输入镀厚铜陶瓷基片连接第二输入匹配电路,所述第二输入匹配电路连接微波功率晶体管fet,所述微波功率晶体管fet连接第二输出匹配电路,所述第二输出匹配电路;连接输出镀厚铜陶瓷基片;所述输入镀厚铜陶瓷基片上制备有第一输入匹配电路,所述输出镀厚铜陶瓷基片上制备有第一输出匹配电路;所述第一输入匹配电路的长度大于第二输入匹配电路的长度,所述第一输出匹配电路的长度大于第二输出匹配电路的长度。

26、本专利技术的有益效果是:

27、1)充分利用微波混合集成电路工艺的优势,并采用镀厚铜陶瓷基片,解决了大功率微波功率放大器的小型化的要求,并改善了传统应用方案一致性差的难题。

28、2)使用微波功率放大器小型化制备方法制备的微波功率放大器在同等功率量级,同等增益条件下将传统大功率微波功率放大器体积由原来的100mm*50mm*5mm缩小为现在的37mm*33mm*3mm,且保证电性能指标不差于传统大功率放大器。

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【技术保护点】

1.一种微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的S3还包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的S31包括以下步骤:

4.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的S32包括以下步骤:

5.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的S33包括以下步骤:

6.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的S34包括以下步骤:

7.根据权利要求6所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的第二预设值为500nm,所述干膜为杜邦SD250,所述显影液为3%的Na2CO3溶液,所述去胶液为3~5%NaOH溶液。

8.根据权利要求6所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:去除种子层后,还包括以下步骤:清洗DPC陶瓷基板,使用氮气吹干DPC陶瓷基板并划片密封保存。

9.根据权利要求1所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的S4,组装过程中采用全自动链式固化炉。

10.一种微波功率放大器,其特征在于:使用如权利要求1-9任一项所述的微波功率放大器小型化制备方法制备而成,包括:

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【技术特征摘要】

1.一种微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的s3还包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的s31包括以下步骤:

4.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的s32包括以下步骤:

5.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的s33包括以下步骤:

6.根据权利要求2所述的微波功率放大器小型化制备方法,其特征在于:所述的s34包括以下步骤:

7....

【专利技术属性】
技术研发人员:徐小强杨洋卫伟张良梁陶碧良代禹何葵蒲云林邓夏秋刘峰
申请(专利权)人:四川九洲电器集团有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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