【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于油气田开发，尤其涉及一种低渗非均质含水气藏气井产能解释方法。
技术介绍
1、气井产能解释是气田开发和气藏动态分析重要的内容之一，根据回压、等时或修正等时试井对低渗透气藏气井进行二项式产能试井解释时，由于低渗透气藏不同渗透率储层启动压力梯度的差异，产能指示曲线容易呈现负斜率，即紊流系数为负数，无法采用二项式进行产能解释，目前针对该问题的处理方法是增加一个附加阻力项来修正产能指示曲线，使产能方程的紊流系数为正数，从而实现产能解释。增加的附加阻力项是各种附加阻力的综合反应，需要人为不断调整，具有很大的不确定性，也会给解释结果的准确性带来影响。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，根据低渗透气藏层间渗流特征差异，在二项式产能方程的基础上，建立一种新的产能试井解释方法，克服利用附加阻力系数进行产能解释的弊端，使二项式产能解释结果更合理。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，包括：
3、构建启动压力梯度与渗透率和含水饱和度之间的二元函数；
4、收集气井产能试井测试数据，计算不同测点的生产压差；
5、确定气井的泄流半径；
6、计算不同小层的启动压力；
7、根据生产压差与启动压力的大小判断每个测点下各个小层是否参与流动，计算动用层厚度、地层系数和平均渗透率；
8、计算各个测点的产能方程层流和紊流对比系数；
9、绘制产能指示曲线，确定产能方程系数，计算无阻流量。
10、根据本专利技术提供的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，构建启动压力梯度与渗透率和含水饱和度之间的二元函数的方法为
11、
12、其中，λ为启动压力梯度，k为渗透率，sw为含水饱和度，a、b、s、t分别为待定系数。
13、根据本专利技术提供的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，所述气井产能试井测试数据包括：不同测点的日产气量qi、不同测点产层中部井底流压pwfi、不同测点产层中部关井压力pwsi。
14、根据本专利技术提供的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，确定气井的泄流半径的方法包括：
15、根据压力恢复试井数据或产量不稳定分析数据，确定气井的泄流半径。
16、根据本专利技术提供的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，计算不同小层的启动压力的方法为：
17、δpsj＝λj·re
18、其中，λj为第j层的启动压力梯度，re为气井的泄流半径。
19、根据本专利技术提供的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，计算各个测点的产能方程层流和紊流对比系数的方法为：
20、对于有n个测点的产能试井，各个测点稳定流动时，满足如下产能方程：
21、
22、式中：
23、
24、
25、式中：
26、
27、式中：
28、
29、
30、其中，pr为产层中部关井压力，a为层流系数，b为紊流系数，a为层流对比系数，b为紊流对比系数，s为表皮系数，β为速度系数，γg为天然气相对密度，q为标准状态下的产气量，μ为气体粘度，z为气体偏差系数；t为气层温度，h为小层有效厚度，rw为井底半径，pwf为井底流压，re为泄流半径，h为动用层总厚度，kh为动用层总地层系数，k为动用层平均渗透率，下标i为第i个测点。
31、根据本专利技术提供的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，绘制产能指示曲线，确定产能方程系数，计算无阻流量的方法包括：
32、计算(pr2-pwfi2)/aiqi，绘制(pr2-pwfi2)/aiqi与qi关系的产能指示曲线，线性回归该曲线，确定回归直线斜率和截距，通过计算获取无阻流量。
33、根据本专利技术提供的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，获取无阻流量的方法为：
34、
35、其中，a为层流系数，b为紊流系数，pr为产层中部关井压力。
36、本专利技术技术效果：本专利技术公开了一种低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，根据低渗透气藏层间渗流特征差异，在二项式产能方程的基础上，建立一种新的产能试井解释方法，克服利用附加阻力系数进行产能解释的弊端，使二项式产能解释结果更合理；本专利技术产能解释方法的理论更科学合理，解释结果更可靠。
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1.一种低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，构建启动压力梯度与渗透率和含水饱和度之间的二元函数的方法为
3.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，所述气井产能试井测试数据包括：不同测点的日产气量qi、不同测点产层中部井底流压pwfi、不同测点产层中部关井压力pwsi。
4.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，确定气井的泄流半径的方法包括：
5.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，计算不同小层的启动压力的方法为：
6.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，计算各个测点的产能方程层流和紊流对比系数的方法为：
7.如权利要求6所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，绘制产能指示曲线，确定产能方程系数，计算无阻流量的方法包括：
8.如权利要求7所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方
...【技术特征摘要】
1.一种低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，构建启动压力梯度与渗透率和含水饱和度之间的二元函数的方法为
3.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，所述气井产能试井测试数据包括：不同测点的日产气量qi、不同测点产层中部井底流压pwfi、不同测点产层中部关井压力pwsi。
4.如权利要求1所述的低渗非均质含水气藏气井产能解释方法，其特征在于，确定气井的泄流...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞进，霍俞辰，张震，李祖兵，郑雪峰，徐召圳，段睿枭，
申请(专利权)人：重庆科技大学，
类型：发明
国别省市：
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