【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种超级结器件深沟槽浓度监测方法。
技术介绍
1、超级结器件通过深沟槽掺杂外延填充结构与周围的外延层形成pn结，通过匹配深沟槽掺杂外延填充结构的掺杂浓度以使得pn结浓度匹配耗尽达到需求耐压，一旦pn结浓度失衡，则器件的耐压失效，从而需要对深沟槽掺杂外延填充结构的掺杂浓度进行监测。
2、相关技术通常在深沟槽掺杂外延填充结构中开设形成多个宽度不同长度相同的深沟槽以进行深沟槽掺杂外延填充结构的电阻量测，通过量测的电阻表征该深沟槽掺杂外延填充结构浓度。
3、但是随着技术的发展，超级结器件的尺寸越来越小，所需要用到的外延浓度逐渐变浓，相关技术采用深沟槽掺杂外延填充结构电阻的方法容易受到深沟槽的尺寸大小和深沟槽侧壁倾斜度的影响，从而容易导致深沟槽掺杂外延填充结构电阻量测的精度较差，不利于深沟槽掺杂外延填充结构浓度的监测。
技术实现思路
1、本申请提供了一种超级结器件深沟槽浓度监测方法，可以解决相关技术中用于表征深沟槽掺杂外延填充结构浓度的量测电阻量测精度较差的问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，所述超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法包括以下步骤：
3、获取超级结器件中所有深沟槽掺杂外延填充结构的长度参数和宽度参数；
4、沿长度方向将各条所述深沟槽掺杂外延填充结构从一端至另一端设置多个等间隔的量测位；所述量测位包括位于所
5、量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻；
6、分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系；
7、确定所述第一线性关系的斜率为对应深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率；
8、根据各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率，计算对应各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率；
9、按宽度将所有深沟槽掺杂外延填充结构进行分类，线性拟合多个不同宽度深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率，得到深沟槽掺杂外延填充结构的宽度与单位长度电导率之间的第二线性关系；
10、确定所述第二线性关系的斜率为所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度及单位宽度电导率；所述单位长度及单位宽度电导率用于表征深沟槽掺杂外延填充结构浓度。
11、可选地，所述量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻的步骤，包括：
12、遍历所有的深沟槽掺杂外延填充结构，依次将各个深沟槽掺杂外延填充结构作为当前深沟槽掺杂外延填充结构；
13、遍历当前深沟槽掺杂外延填充结构中的所有量测位，依次将各个量测位作为当前量测位；
14、向当前深沟槽掺杂外延填充结构中的当前量测位与当前深沟槽掺杂外延填充结构中的首端量测位之间施加量测电流；所有当前量测位与所述首端量测位之间的量测电流相等；
15、读取所述当前量测位与所述首端量测位之间的量测电压；
16、根据所述量测电流和所述量测电压，计算量测电阻所述量测电阻作为所述当前深沟槽掺杂外延填充结构中当前量测位的长度电阻。
17、可选地，所述当前深沟槽掺杂外延填充结构中当前量测位的长度电阻为：当前深沟槽掺杂外延填充结构的首端量测位电阻、当前量测位电阻，以及所述首端量测位与所述当前量测位之间电阻之和。
18、可选地，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤，包括：
19、去除深沟槽掺杂外延填充结构中所述首端量测位处的电阻和所述末端量测位的长度电阻后，将剩余量测位的长度电阻线性拟合得到所述深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系。
20、可选地，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤中，所述第一线性关系为：r＝ρ*l+2r0；其中，r为深沟槽掺杂外延填充结构的长度电阻变量，l为深沟槽掺杂外延填充结构各量测位对应的长度变量，ρ为深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率常量，r0为量测位电阻常量。
21、可选地，所述根据各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率，计算对应各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率的步骤，包括：
22、根据各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率，计算对应各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻δr；
23、根据g＝1/δr计算所述深沟槽掺杂外延填充结构单位长度电导率g。
24、可选地，所述按宽度将所有深沟槽掺杂外延填充结构进行分类，线性拟合多个不同宽度深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率，得到深沟槽掺杂外延填充结构的宽度与单位长度电导率之间的第二线性关系的步骤中，所述第二线性关系为：g＝w*σ-2g0；其中，g为各个宽度深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率变量，w为各个宽度深沟槽掺杂外延填充结构的宽度变量，σ为深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度及单位宽度电导率常量，g0为各个宽度深沟槽掺杂外延填充结构三角边缘区域的单位长度电导率常量。
25、可选地，所有量测位中任意两个相邻量测位之间的距离相等。
26、本申请技术方案，至少包括如下优点：通过先计算各个深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率，再对各个深沟槽掺杂外延填充结构按宽度分类，根据该各个深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率计算各种宽度深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度及单位宽度电导率，用该单位长度及单位宽度电导率表征深沟槽掺杂外延填充结构浓度以更为精确地监控该表征深沟槽掺杂外延填充结构浓度。
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1.一种超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述当前深沟槽掺杂外延填充结构中当前量测位的长度电阻为：当前深沟槽掺杂外延填充结构的首端量测位电阻、当前量测位电阻，以及所述首端量测位与所述当前量测位之间电阻之和。
4.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤，包括：
5.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤中，所述第一线性关系为：R＝ρ*L+2R0；其中，R为深沟槽掺杂
6.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述根据各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率，计算对应各个所述深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率的步骤，包括：
7.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述按宽度将所有深沟槽掺杂外延填充结构进行分类，线性拟合多个不同宽度深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率，得到深沟槽掺杂外延填充结构的宽度与单位长度电导率之间的第二线性关系的步骤中，所述第二线性关系为：G＝W*σ-2G0；其中，G为各个宽度深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率变量，W为各个宽度深沟槽掺杂外延填充结构的宽度变量，σ为深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度及单位宽度电导率常量，G0为各个宽度深沟槽掺杂外延填充结构三角边缘区域的单位长度电导率常量。
8.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所有量测位中任意两个相邻量测位之间的距离相等。
...【技术特征摘要】
1.一种超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述当前深沟槽掺杂外延填充结构中当前量测位的长度电阻为：当前深沟槽掺杂外延填充结构的首端量测位电阻、当前量测位电阻，以及所述首端量测位与所述当前量测位之间电阻之和。
4.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤，包括：
5.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤中，所述第一线性关系为：r＝ρ*l+2r0；其中，r为深沟槽掺杂外延填充结构的长度电阻变量，l为深...
【专利技术属性】
技术研发人员：支立明，徐昊文，张国华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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