【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种芯片及其布局方法。
技术介绍
1、传统的堆叠芯片中，3dic作为存储晶圆和逻辑晶圆的堆叠键合，一个器件需要多步光刻工艺，这个时候需要以对版标记确保每次曝光时基片所在位置不变，在进行3dic对版标记时，基于其三维集成的特殊性，其中一部分层需要与存储芯片对齐，产生基于存储芯片的对版标记，但还有一部分层需要与逻辑芯片对齐，产生基于逻辑芯片的对版标记，在两种标记混合存在的情况下，由于进行标记占位的空间区域一定，在进行芯片叠加对准的对版标记堆叠时，容易出现位置占位受限的情况，需要重新设计或改动，从而增加制造成本。
2、目前采用传统的对版标记方法会导致逻辑芯片内部布局严重受限，以及对版标记各方占位位置沟通复杂的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本申请实施例提供了一种芯片及其布局方法，能够达到提前布局，无需进行占位沟通，不影响逻辑芯片的布局走线，提高逻辑芯片对存储芯片容量选择的兼容性的技术效果。
2、第一方面，本申请提供了一种芯片，包括：n个芯片单元，n为正整数；第一区域，所述第一区域位于所述存储芯片外围，所述第一区域用于放置第一类对版标记；第二区域，所述第二区域位于所述第一区域外围，所述第二区域用于放置第二类对版标记。
3、进一步地，所述第一类对版标记包括需要占位的对版标记；所述第二类对版标记包括不需要占位的对版标记。
4、进一步地，所述第一区域为三维集成电路环。
5、进一步地，所述第
6、进一步地，每个所述芯片单元包括m层芯片，每层所述芯片堆叠互联。
7、进一步地，每层所述芯片均设置有所述第一区域和所述第二区域。
8、进一步地，所述芯片中逻辑芯片的面积为所述第一单位dram面积的m倍，m为正整数。
9、进一步地，所述第一单位dram的容量包括512m。
10、进一步地，本申请还提供了一种芯片的布局方法，所述方法应用上述芯片结构，所述芯片具有多层芯片结构，所述方法包括：设定第一单位dram；在预定单位曝光区域内配置n个所述第一单位dram，构成存储芯片，n为正整数；对所述三维堆叠芯片的对版标记进行类别划分，得到第一类对版标记和第二类对版标记；在所述存储芯片外围扩展第一区域，所述第一区域用于放置第一类对版标记；在所述第一区域外围扩展第二区域，所述第二区域用于放置第二类对版标记。
11、本说明书实施例提供的一种芯片及布局方法中，在预定单位曝光区域内配置多个单位容量的存储芯片作为一个芯片，在此基础上包含向外额外拓展一定宽度的区域，用于专门放置和3dic相关的对版标记和专门放置各工厂自己模拟工艺的对版标记。从而达到提前布局，无需进行占位沟通，不影响逻辑芯片的布局走线，提高逻辑芯片对存储芯片容量选择的兼容性的技术效果。
12、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片，其特征在于，包括：N个芯片单元，N为正整数；
2.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述第一类对版标记包括需要占位的对版标记；所述第二类对版标记包括不需要占位的对版标记。
3.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述第一区域为三维集成电路环。
4.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述第二区域为外划片槽。
5.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，每个所述芯片单元包括M层芯片，每层所述芯片堆叠互联。
6.根据权利要求5所述的一种芯片，其特征在于，每层所述芯片均设置有所述第一区域和所述第二区域。
7.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述芯片中逻辑芯片的面积为所述芯片单元面积的M倍，M为正整数。
8.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述芯片单元的容量包括512M。
9.一种芯片的布局方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1～8的芯片，所述芯片具有多层芯片结构，所述方法包括：
10.一种电子设备，其特征在于，包括芯片，
...【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，包括：n个芯片单元，n为正整数；
2.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述第一类对版标记包括需要占位的对版标记；所述第二类对版标记包括不需要占位的对版标记。
3.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述第一区域为三维集成电路环。
4.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，所述第二区域为外划片槽。
5.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于，每个所述芯片单元包括m层芯片，每层所述芯片堆叠互联。
6.根据权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员：王嵩，薛小飞，龙晓东，韩艳，韩彦武，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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