【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机电致发光材料，具体涉及一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物及其在制备有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
1、随着有机电致发光(oled)材料的不断发展，器件结构不断优化，oled技术已经在显示和照明领域展现出越来越广阔的应用。第三代有机发光材料热活化延迟荧光材料(tadf)通过反向隙间窜越(risc)，与第二代有机发光材料磷光材料一样，实现了三线态激子的有效利用，内量子效率达到100％，因此，在科研和产业方面其已经成为研究的重点。常见的tadf材料具有给受体(d-a)结构，其能量最高占据轨道(homo)、能量最低占据轨道(lumo)分离，基态和激发态之间的振动耦合和激发态结构弛豫过程突出，发光光谱谱宽泛(>40nm)。而具有多重振动(mr)效应的tadf材料，它的发光峰半峰宽(fwhm)相对窄化，但是其结构种类限于含有b/n的多环芳香烃(pahs)，并且其发光范围小是现阶段急需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光材料及其在制备有机电致发光器件中的应用。这类材料不但扩展了具有mr-tadf效应材料的种类，而且在保持高效发光的同时，实现了材料发光峰的红移。
2、本专利技术提供的核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其结构通式如(i)所示：
3、
4、x1、x2相同或不同，分别独立的选自nr、o或s；其中r相同或不同，分别独立选自氢、氘
5、r1-r20相同或不同，分别独立选自氢、氘、重氢、卤素、氰基、硝基、氨基、取代或未取代cl-c36的烷基、取代或未取代的cl-c36烷氧基、取代或未取代c6-c30的芳基、取代或未取代c3-c30的杂芳基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的二杂芳基氨基、取代或未取代的芳基杂芳基氨基；
6、或r1-r20中相邻两者之间彼此连接构成rz取代或未取代的c6-c30芳基、rz取代或未取代的c3-c30的杂芳基，rz选自氢、氘、氰基、卤素、硝基、氨基、取代或未取代cl-c36的烷基、取代或未取代cl-c36的烷氧基、取代或未取代c6-c30的芳基、取代或未取代c3-c30的杂芳基、取代或未取代的二芳基氨基；
7、当上述基团存在取代基时，取代基各自独立的选自氢、氰基、卤素、c1-c10的链烷基或环烷基、c2-c10烯基、c1-c6的烷氧基或硫代烷氧基、c6-c30的单环芳烃基或稠环芳烃基团、c3-c30的单环杂芳烃基或稠环杂芳烃基中的一种。
8、作为本专利技术的优选，r1-r20相同或不同，分别独立选自氢、氰基、取代或未取代c1-c36的烷基、取代或未取代c6-c30的芳基、取代或未取代c3-c30的杂芳基、取代或未取代的二芳基氨基；
9、rz选自氢、氰基、取代或未取代cl-c36的烷基、取代或未取代cl-c36的烷氧基、取代或未取代c6-c30的芳基、取代或未取代c3-c30的杂芳基、取代或未取代的二芳基氨基。
10、作为本专利技术的优选，r1-r20相同或不同，分别独立选自氢、氰基、c1-c4烷基、金刚烷基、苯基、氰基苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、呋喃基、苯并咲喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、二苯基氨基、二萘基氨基、x3独立的选自c(r21)(r22)或si(r23)(r24)、o、s，r21-r24相同或不同，分别独立选自氢、c1-c4烷基、苯基；
11、或r1-r20中相邻两者存在相邻基团彼此连接构成rz取代或未取代c6-c30芳基，rz选自氰基、c1-c4烷基、金刚烷基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、呋喃基、苯并咲喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、二苯基氨基、二萘基氨基。
12、作为本专利技术的优选，r1-r20相同或不同，分别独立选自氢、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、氰基苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、呋喃基、苯并咲喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、二苯基氨基、二萘基氨基、
13、或r1-r20中相邻两者存在相邻基团彼此连接构成rz取代或未取代的苯基、rz取代或未取代的萘基、rz取代或未取代的蒽基；
14、r21-r24相同或不同，分别独立选自甲基、苯基；
15、rz选自氰基、甲基、异丙基、叔丁基、苯基、呋喃基、苯并咲喃基、噻吩基、苯并噻吩基、吡咯基、咔唑基、吡啶基、喹啉基、二苯基氨基。
16、作为本专利技术的优选，当x1、x2选自nr时，所述含硼多环氮杂芳香烃的化合物具有如下所示的结构：
17、
18、其中，每一个x4独立的选自单键、c(r38)(r39)或si(r40)(r41)、羰基、o、s、砜基；r30-r41相同或不同，分别独立选自氢、c1-c4烷基。
19、作为本专利技术的优选，当x1、x2选自nr时，r选自取代或未取代的苯基，r30-r41相同或不同，分别独立选自氢、甲基、叔丁基。
20、进一步，本专利技术所述的含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，结构为如下化合物中的一种：
21、
22、
23、
24、
25、本专利技术还提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括发光层，所述发光层包括上述的含硼多环氮杂芳香烃的化合物中的任意一种或至少两种的组合物。
26、本专利技术的技术效果在于，本专利技术的化合物以氧、硫取代b/n结构中氮的角色，羰基、砜基取代b/n结构中硼的角色，扩展了具有mr-tadf效应材料的种类；同时，将d-a结构引入含有b/n结构的pahs材料中，在保证高效发光的前提下，使得具有mr-tadf效应材料发光峰红移，拓展了材料的发光范围。
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1.一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：其结构通式如(I)所示，
2.如权利要求1所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：R1-R20相同或不同，分别独立选自氢、氰基、取代或未取代C1-C36的烷基、取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代C3-C30的杂芳基、取代或未取代的二芳基氨基；
3.如权利要求1所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：R1-R20相同或不同，分别独立选自氢、氰基、C1-C4烷基、金刚烷基、苯基、氰基苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、呋喃基、苯并咲喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、二苯基氨基、二萘基氨基、X3独立的选自C(R21)(R22)或Si(R23)(R24)、O、S，R21-R24相同或不同，分别独立选自氢、C1-C4烷基、苯基；
4.如权利要求1所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，
5.如权利要求1所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：当X1、X2选自NR时，所述含硼多环氮杂芳香烃的化合物具有如下所示的结构，
6.如权利要求5所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：R30-R41相同或不同，分别独立选自氢、甲基、叔丁基。
7.如权利要求1～6任何一项所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：为如下结构化合物中的一种，
8.一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括发光层，其特征在于：发光层包括权利要求1-7任一项所述的含硼多环氮杂芳香烃的化合物中的任意一种或至少两种的组合物。
...【技术特征摘要】
1.一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：其结构通式如(i)所示，
2.如权利要求1所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：r1-r20相同或不同，分别独立选自氢、氰基、取代或未取代c1-c36的烷基、取代或未取代c6-c30的芳基、取代或未取代c3-c30的杂芳基、取代或未取代的二芳基氨基；
3.如权利要求1所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：r1-r20相同或不同，分别独立选自氢、氰基、c1-c4烷基、金刚烷基、苯基、氰基苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、呋喃基、苯并咲喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、二苯基氨基、二萘基氨基、x3独立的选自c(r21)(r22)或si(r23)(r24)、o、s，r21-r24相同或不同，分别独立选自氢、c1-c4烷基、苯基；
4.如权利要求1所述的一种核心结构为含硼多环氮杂芳香烃的有机电致发光化合物，其特征在于：r...
【专利技术属性】
技术研发人员：张佐伦，李成龙，刘宇，
申请(专利权)人：吉林省元合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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