【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种积层陶瓷电容，特别是提供一种具有高内电极连续性的积层陶瓷电容及其制作方法。
技术介绍
1、随着科技的进步，电子产品对于电容的要求越趋严格，且随着轻薄化的研发趋势，电容的尺寸规格也越趋微小化。为兼顾电容尺寸与电容特性的要求，具有多层金属电极片的积层陶瓷电容(multi-layer ceramic capacitor；mlcc)已成为极力被发展的产品。由于积层陶瓷电容将电量储存材料层压为梳形(comb)结构，故可在相同体积的条件下，具有较大的电极面积，而可提供较佳的电容特性，进而满足高阶产品的应用需求。
2、于积层陶瓷电容的工艺中，随着积层陶瓷电容的内电极层的堆叠层数增加，内电极层也越趋微细，但烧结工艺中所施加的高温热能易导致内电极层的金属粒子球化，而导致不连续的缺陷，进而降低积层陶瓷电容的电容特性。
3、有鉴于此，亟需提供一种积层陶瓷电容及其制作方法，以改进现有积层陶瓷电容及其制作方法的缺点。
技术实现思路
1、本专利技术的一态样提供一种积层陶瓷电容的制作方法，其中此方法通过特定的金属粒子来形成内电极层，而可有效提升积层陶瓷电容的内电极连续性。
2、本专利技术的另一态样提供一种积层陶瓷电容，其通过前述方法所制成。
3、根据本专利技术的一态样，提供一种积层陶瓷电容的制作方法。此制作方法为先形成多个内电极层，并形成多个陶瓷介电层。其中，每一个内电极层利用多个金属粒子所制成，且此些金属粒子的每一者包含镍金属核与氧化金属层。氧
4、依据本专利技术的一些实施例，前述金属粒子的形成方法先利用雾化溶液作为镍金属核的载体，再对含有镍金属核的雾化溶液进行成膜工艺，以形成氧化金属层。于形成氧化金属层后，进行磁选工艺，以获得金属粒子。
5、依据本专利技术的一些实施例，前述的雾化溶液包含化合物，且此化合物具有对应于氧化金属层的金属原子。
6、依据本专利技术的一些实施例，前述氧化金属层的厚度为1nm至50nm。
7、依据本专利技术的一些实施例，前述的氧化金属层包含锡氧化物，且金属层包含金属锡。
8、依据本专利技术的一些实施例，于进行高温烧结步骤前，前述的内电极层未于还原环境中处理。
9、依据本专利技术的一些实施例，前述还原环境的氧分压不大于10-10mpa。
10、依据本专利技术的一些实施例，前述还原环境的温度不小于1000℃。
11、依据本专利技术的一些实施例，前述高温烧结步骤的氧分压为10-12mpa至10-10mpa。
12、依据本专利技术的一些实施例，前述的高温烧结步骤包含进行加热阶段、持温阶段与冷却阶段。其中，加热阶段的加热速率不小于30℃/min，持温阶段的持温时间为不大于50分钟，而冷却阶段的冷却速率不小于10℃/min。
13、依据本专利技术的一些实施例，于进行前述的高温烧结步骤时，氧空缺形成于陶瓷介电层的每一者中，且此氧空缺相邻于陶瓷介电层的每一者与内电极层的每一者的界面。
14、依据本专利技术的一些实施例，由此界面起算，前述的氧空缺于陶瓷介电层的每一者中的厚度为10nm至100nm。
15、依据本专利技术的一些实施例，前述的界面形成肖特基能障。
16、根据本专利技术的另一态样，提出一种积层陶瓷电容。此积层陶瓷电容通过前述的制作方法所制成，且此积层陶瓷电容具有积层陶瓷体与两个端电极。积层陶瓷体包含多个内电极层与多个陶瓷介电层，其中此些内电极层与此些陶瓷介电层彼此交替堆叠。端电极分别设于积层陶瓷体的两端。此积层陶瓷电容具有不小于85％的内电极连续性。
17、依据本专利技术的一些实施例，前述陶瓷介电层的每一者具有氧空缺，且氧空缺相邻于陶瓷介电层的每一者与内电极层的每一者的界面。
18、依据本专利技术的一些实施例，由前述的界面起算，氧空缺于陶瓷介电层的每一者的厚度为10nm至100nm。
19、依据本专利技术的一些实施例，前述的界面为肖特基能障。
20、应用本专利技术的积层陶瓷电容及其制作方法，其通过含有镍金属核与氧化金属层的金属粒子来形成内电极层，并利用接续的烧结工艺来还原氧化金属层，而可制得由镍合金材料所形成的内电极层，进而可降低内电极层与陶瓷介电层间的收缩率差异，故可提升积层陶瓷电容的内电极连续性。再者，本专利技术特定的镍合金粒子有助于使陶瓷介电层形成半导体区域，而使内电极层与陶瓷介电层的界面可有效抑制漏电流，进而提升积层陶瓷电容的长期可靠性。据此，本专利技术的积层陶瓷电容可具有较佳的电容特性与信赖性。
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1.一种积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该制作方法包含：
2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，所述多个金属粒子的形成方法包含：
3.根据权利要求2所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该雾化溶液包含化合物，且该化合物具有对应于该氧化金属层的金属原子。
4.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层的厚度为1nm至50nm。
5.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层包含锡氧化物，且该金属层包含金属锡。
6.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，于进行该高温烧结步骤前，所述多个内电极层未于还原环境中处理。
7.根据权利要求6所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该还原环境的氧分压不大于10-10MPa。
8.根据权利要求6所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该还原环境的温度不小于1000℃。
9.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该高温烧结步骤的氧分压
10.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该高温烧结步骤包含：
11.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，于进行该高温烧结步骤时，氧空缺形成于所述多个陶瓷介电层的每一者中，且该氧空缺相邻于所述多个陶瓷介电层的每一者与所述多个内电极层的每一者的界面。
12.根据权利要求11所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，由该界面起算，该氧空缺于所述多个陶瓷介电层的每一者中的厚度为10nm至100nm。
13.根据权利要求11所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该界面形成肖特基能障。
14.一种积层陶瓷电容，其特征在于，该积层陶瓷电容通过根据权利要求1至13中的任一项所述的制作方法所制成，其中该积层陶瓷电容具有：
15.根据权利要求14所述的积层陶瓷电容，其特征在于，所述多个陶瓷介电层的每一者具有氧空缺，且该氧空缺相邻于所述多个陶瓷介电层的该每一者与所述多个内电极层的每一者的界面。
16.根据权利要求15所述的积层陶瓷电容，其特征在于，由该界面起算，该氧空缺于所述多个陶瓷介电层的该每一者中的厚度为10nm至100nm。
17.根据权利要求15所述的积层陶瓷电容，其特征在于，该界面为肖特基能障。
...【技术特征摘要】
1.一种积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该制作方法包含：
2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，所述多个金属粒子的形成方法包含：
3.根据权利要求2所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该雾化溶液包含化合物，且该化合物具有对应于该氧化金属层的金属原子。
4.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层的厚度为1nm至50nm。
5.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该氧化金属层包含锡氧化物，且该金属层包含金属锡。
6.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，于进行该高温烧结步骤前，所述多个内电极层未于还原环境中处理。
7.根据权利要求6所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该还原环境的氧分压不大于10-10mpa。
8.根据权利要求6所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该还原环境的温度不小于1000℃。
9.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制作方法，其特征在于，该高温烧结步骤的氧分压为10-12mpa至10-10mpa。
10.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤本正之，杨凯勋，郑义冠，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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