【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构以及封装方法。
技术介绍
1、对于单片芯片的尺寸，常规的芯片制造技术正在被推向它们的极限。然而，应用却渴望使用最新技术实现大尺寸集成电路的能力，芯片之间实现高速和小体积互连具有较大的挑战。
2、目前的一种解决方案是使用嵌入在硅衬底中的硅桥(si bridge)芯片的较小的集成电路，以通过硅桥芯片实现芯片与芯片之间的互连，进而提供异质芯片封装。
3、但是，转接板与芯片组之间的互连密度和互连性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构以及封装方法，提高转接板与芯片组之间的互连密度和互连性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种封装结构，包括：转接板，包括相背的第一面和第二面；转接板包括第一区域和位于第一区域之间的第二区域，第一区域形成有多个分立的导电柱，第二区域形成有互连芯片，导电柱和互连芯片侧部填充有第一封装层；互连芯片和导电柱露出于第一面；芯片组，包括一个或多个器件芯片，多个器件芯片沿平行于器件芯片的方向分布，器件芯片包括相背的第一表面和第二表面，相邻的器件芯片之间以及器件芯片的侧壁形成有第二封装层，第一表面上形成有第一再布线结构，第一再布线结构与器件芯片之间电连接；芯片组的第一表面键合于转接板的第一面上；微凸块，位于第一再布线结构与导电柱之间、以及与互连芯片之间，且微凸块与导电柱、以及与互连芯片之间电连接。
3、可选的，第一表面为芯片正
4、可选的，封装结构还包括：第二再布线结构，位于第一封装层和微凸块之间、导电柱和微凸块之间、以及互连芯片和微凸块之间。
5、可选的，封装结构还包括：第三再布线结构，位于转接板的第二面上，且第三再布线结构与导电柱之间电连接。
6、可选的，封装结构还包括：基板，键合于转接板的第二面上，且基板与第三再布线结构之间电连接。
7、可选的，封装结构还包括：导电凸块，位于第三再布线结构和基板之间，导电凸块电连接第三再布线结构和基板。
8、可选的，封装结构还包括：密封层，填充于转接板的第一面和芯片组之间，密封层填充于微凸块之间的缝隙且密封微凸块。
9、可选的，互连芯片上形成有互连垫；互连垫露出于转接板的第一面；微凸块与互连芯片的互连垫之间电连接。
10、可选的，第一再布线结构包括一层或多层的再布线层。
11、相应的，本专利技术实施例还提供一种封装方法，包括：形成转接板，包括相背的第一面和第二面；转接板包括第一区域和位于第一区域之间的第二区域，第一区域形成有多个分立的导电柱，第二区域形成有互连芯片，导电柱和互连芯片侧部填充有第一封装层；互连芯片和导电柱露出于第一面；提供芯片组，包括一个或多个器件芯片，多个器件芯片沿平行于器件芯片的方向分布，器件芯片包括相背的第一表面和第二表面，相邻的器件芯片之间以及器件芯片的侧壁形成有第二封装层，第一表面上形成有第一再布线结构，第一再布线结构与器件芯片之间电连接；将芯片组和转接板之间相键合，转接板的第一面与第一表面相对设置，第一再布线结构与导电柱之间、以及与互连芯片之间形成有微凸块，且微凸块与导电柱、以及与互连芯片之间电连接。
12、可选的，形成转接板的步骤包括：提供第一载板，第一载板包括第一区域和位于第一区域之间的第二区域；在第一区域的第一载板上形成分立的导电柱；在第二区域的第一载板上贴合互连芯片；在形成导电柱以及贴合互连芯片之后，在第一载板上形成填充于导电柱侧部和互连芯片侧部的第一封装层，第一封装层露出导电柱和互连芯片；在将芯片组和转接板相键合之后，封装方法还包括：去除第一载板。
13、可选的，在形成第一封装层之后，封装方法还包括：在第一封装层上形成第二再布线结构，第二再布线结构与导电柱和器件芯片之间电连接；在将芯片组和转接板之间相键合的步骤中，微凸块与第二再布线结构相接触。
14、可选的，在提供第一载板之后，且在形成导电柱以及贴合互连芯片之前，形成转接板的步骤还包括：在第一载板上形成第三再布线结构；在形成导电柱的步骤中，导电柱形成在第三再布线结构上且与第三再布线结构之间电连接；在贴合互连芯片的步骤中，互连芯片贴合于第三再布线结构上。
15、可选的，封装方法还包括：在去除第一载板之后，将转接板的第二面键合于基板上，第三再布线结构与基板相对设置且电连接。
16、可选的，封装方法还包括：在去除第一载板后，且在将转接板的第二面键合于基板上之前，在第三再布线结构上形成导电凸块；在将芯片组和转接板键合于基板上的步骤中，将导电凸块键合于基板上且与基板之间实现电连接。
17、可选的，将芯片组和转接板之间相键合的步骤包括：在第一再布线结构上形成多个微凸块；将微凸块与转接板的第一面相键合。
18、可选的，在提供芯片组的步骤中，形成微凸块；提供芯片组的步骤包括：提供第二载板；提供一个或多个器件芯片，器件芯片包括相背的第一表面和第二表面将一个或多个器件芯片的第二表面贴合于第二载板上；在器件芯片侧部的第二载板上形成第二封装层，第二封装层暴露出第一表面；在第二封装层上形成第一再布线结构，第一再布线结构与第一表面电连接；在第一再布线结构上形成多个微凸块；去除第二载板。
19、可选的，形成第二封装层的步骤包括：在第二载板上形成覆盖器件芯片侧部和第一表面的封装材料层；去除高于第一表面的封装材料层，暴露出第一表面，剩余的封装材料层用于作为第二封装层。
20、可选的，封装方法还包括：在将芯片组和转接板之间相键合之后，在转接板的第一面和芯片组之间填充密封层，密封层填充于微凸块之间的缝隙且密封微凸块。
21、可选的，互连芯片上形成有互连垫；互连垫露出于转接板的第一面；在将芯片组和转接板之间相键合的步骤中，微凸块与互连芯片的互连垫之间电连接。
22、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
23、本专利技术实施例提供的封装结构，第二表面、相邻的器件芯片之间以及器件芯片的侧壁形成有第二封装层，第一表面上形成有第一再布线结构，芯片组的第一表面键合于转接板的第一面上，且第一再布线结构与导电柱之间、以及与互连芯片之间设置有微凸块，本专利技术实施例在第一表面上直接设置第一再布线结构能够获得间距更小的第一再布线结构，从而提高第一再布线结构的密度，相应有利于提高转接板与芯片组之间的互连密度和互连性能。
24、本专利技术实施例提供的封装方法中，分别形成转接板和芯片组，之后将芯片组与转接板之间键合，转接板的第一面与第一表面相对设置，且微凸块与导电柱、以及与互连芯片之间电连接，与在形成转接板之后，在转接板的第一面上形成再布线结构，之后在再布线结构上键合器件芯片以及形成第二封装层方案相比，本专利技术无需在第一封装层上形成与导电柱和互连芯片电连接的再布线结构，能够在第一表面上形成第一再布线结构、以及在第一再布线结构上形成微凸本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面为芯片正面，所述第二表面为芯片背面。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二再布线结构，位于所述第一封装层和微凸块之间、导电柱和微凸块之间、以及互连芯片和微凸块之间。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：第三再布线结构，位于所述转接板的第二面上，且第三再布线结构与导电柱之间电连接。
5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：基板，键合于转接板的第二面上，且基板与第三再布线结构之间电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：导电凸块，位于第三再布线结构和基板之间，导电凸块电连接第三再布线结构和基板。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：密封层，填充于转接板的第一面和芯片组之间，所述密封层填充于微凸块之间的缝隙且密封微凸块。
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述互连芯片上形成有
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一再布线结构包括一层或多层的再布线层。
10.一种封装方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，形成转接板的步骤包括：提供第一载板，所述第一载板包括第一区域和位于第一区域之间的第二区域；在所述第一区域的第一载板上形成分立的导电柱；在所述第二区域的第一载板上贴合互连芯片；
12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在形成第一封装层之后，封装方法还包括：在所述第一封装层上形成第二再布线结构，所述第二再布线结构与所述导电柱和器件芯片之间电连接；
13.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在提供第一载板之后，且在形成导电柱以及贴合互连芯片之前，形成转接板的步骤还包括：在第一载板上形成第三再布线结构；在形成导电柱的步骤中，导电柱形成在第三再布线结构上且与第三再布线结构之间电连接；在贴合互连芯片的步骤中，互连芯片贴合于第三再布线结构上。
14.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，封装方法还包括：在去除所述第一载板之后，将转接板的第二面键合于基板上，第三再布线结构与基板相对设置且电连接。
15.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，封装方法还包括：在去除第一载板后，且在将转接板的第二面键合于基板上之前，在第三再布线结构上形成导电凸块；在将芯片组和转接板键合于基板上的步骤中，将导电凸块键合于基板上且与基板之间实现电连接。
16.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，将芯片组和转接板之间相键合的步骤包括：在第一再布线结构上形成多个微凸块；将微凸块与转接板的第一面相键合。
17.如权利要求16所述的封装方法，其特征在于，在提供芯片组的步骤中，形成所述微凸块；提供芯片组的步骤包括：提供第二载板；提供一个或多个器件芯片，器件芯片包括相背的第一表面和第二表面将一个或多个器件芯片的第二表面贴合于所述第二载板上；在器件芯片侧部的第二载板上形成第二封装层，第二封装层暴露出第一表面；在第二封装层上形成第一再布线结构，第一再布线结构与第一表面电连接；在所述第一再布线结构上形成多个微凸块；去除第二载板。
18.如权利要求17所述的封装方法，其特征在于，形成第二封装层的步骤包括：在第二载板上形成覆盖器件芯片侧部和第一表面的封装材料层；去除高于第一表面的封装材料层，暴露出所述第一表面，剩余的封装材料层用于作为所述第二封装层。
19.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：在将芯片组和转接板之间相键合之后，在转接板的第一面和芯片组之间填充密封层，所述密封层填充于微凸块之间的缝隙且密封微凸块。
20.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述互连芯片上形成有互连垫；所述互连垫露出于转接板的第一面；在将芯片组和转接板之间相键合的步骤中，所述微凸块与互连芯片的互连垫之间电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面为芯片正面，所述第二表面为芯片背面。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二再布线结构，位于所述第一封装层和微凸块之间、导电柱和微凸块之间、以及互连芯片和微凸块之间。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：第三再布线结构，位于所述转接板的第二面上，且第三再布线结构与导电柱之间电连接。
5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：基板，键合于转接板的第二面上，且基板与第三再布线结构之间电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：导电凸块，位于第三再布线结构和基板之间，导电凸块电连接第三再布线结构和基板。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：密封层，填充于转接板的第一面和芯片组之间，所述密封层填充于微凸块之间的缝隙且密封微凸块。
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述互连芯片上形成有互连垫；所述互连垫露出于转接板的第一面；所述微凸块与互连芯片的互连垫之间电连接。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一再布线结构包括一层或多层的再布线层。
10.一种封装方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，形成转接板的步骤包括：提供第一载板，所述第一载板包括第一区域和位于第一区域之间的第二区域；在所述第一区域的第一载板上形成分立的导电柱；在所述第二区域的第一载板上贴合互连芯片；
12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在形成第一封装层之后，封装方法还包括：在所述第一封装层上形成第二再布线结构，所述第二再布线结构与所述导电柱和器件芯片之间电连接；
13.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在提供第一载板之后，且在形成导电柱以及贴合互连芯片之前，形成转接板的步骤还包括：在第一载板上形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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