【技术实现步骤摘要】
以下的专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台。
技术介绍
1、在使用等离子体来处理半导体晶片等的基片的系统中，为了调整等离子体的蚀刻速度和/或蚀刻轮廓，有时在基片的径向外缘部附近配置环状的部件。
2、例如，专利文献1的基片处理系统中，边缘连结环部件与处理腔室内的台座的径向外缘部相邻地配置。边缘连结环部件在蚀刻时被等离子体侵蚀。因此，在专利文献1中，采用了能够用致动器使边缘连结环部件上升并用机械臂进行更换的结构。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2016-146472号公报。
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件的技术。
3、用于解决问题的技术手段
4、本专利技术的载置台和等离子体处理装置包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，其中第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外，环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔，设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。
6、依照本专利技术，能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。
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1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
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14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
15.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
16.如权利要求
17.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于：
18.如权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于：
19.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于：
20.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于：
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...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
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4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
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14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：内田阳平，广瀬润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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