【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种topcon太阳电池及其制备方法。
技术介绍
1、光伏
中，当前topcon（隧穿氧化钝化接触）太阳电池通常在硅片背面制备的1nm~2nm超薄隧穿氧化层，然后在隧穿氧化层表面沉积厚度为80nm~200nm的掺杂多晶硅层，最后在掺杂多晶硅层上淀积氮化硅层，氮化硅层该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化和场钝化，超薄隧穿氧化层可以使电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡空穴的输运，降低复合电流。掺杂多晶硅层横向传输特性降低了串联电阻。以上两种特性共同提升了电池的开路电压、填充因子以及电池的转换效率。传统技术的topcon太阳电池仍然存在隧穿层下隧穿粒子浓度低，电池片效率难以提高的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种topcon太阳电池的制备方法。本专利技术的topcon太阳电池的制备工艺中，在沉积隧穿层之前先对硅基底背面基进行p掺杂元素轻扩，形成n+区，增加隧穿层下隧穿粒子浓度，提升电池片效率。
2、本申请一实施例提供了一种topcon太阳电池的制备方法。
3、对硅衬底进行双面清洗、制绒；
4、对硅衬底的正面制备第一掺杂层；
5、对硅衬底的正面栅线位置制备重掺杂层；所述第一掺杂层与所述重掺杂层的掺杂类型相同，所述重掺杂层的掺杂浓度高于所述第一掺杂层的掺杂浓度；
6、对硅衬底的正面进行高温氧化推进pn结以降低表面浓度，并在硅衬底的正面形成掺杂氧化层；
7、去除硅衬底背面绕镀的掺杂
8、对硅衬底背面制备第二掺杂层；
9、在硅衬底背面制备隧穿层和多晶硅层，高温退火修复失配晶格使多晶硅层晶化形成固定晶向；
10、去除硅衬底正面绕镀的第二掺杂层以及绕镀的多晶硅层；
11、在硅衬底正面制备第一钝化层，在硅衬底背面制备第二钝化层；以及
12、在硅衬底正面、背面分别制备电极。
13、在其中一些实施例中，对硅基底进行双面制绒时，绒面形貌包括正金字塔图形和/或倒金字塔图形。
14、在其中一些实施例中，对硅衬底的正面制备进行硼扩散处理，形成所述第一掺杂层，其中，对硅衬底的正面进行硼扩散处理时，包括下述条件中的至少一种：
15、（1）扩散源为bbr3和/或bcl3；
16、（2）扩散表面浓度1×1018/cm-3~1×1020/cm-3；
17、（3）扩散温度为800℃~1000℃；
18、（4）pn结结深为1μm~2μm；
19、（5）扩散方阻为120ω/sq~200ω/sq。
20、在其中一些实施例中，硅衬底正面的所述掺杂氧化层的厚度为90nm~130nm。
21、在其中一些实施例中，对硅衬底背面进行磷扩散处理形成所述第二掺杂层，对硅衬底背面进行磷扩散处理时，满足下述条件中的至少一种：
22、（1）扩散源为pclo3；
23、（2）掺杂表面浓度为1×1019/cm-3~1×1020/cm-3；
24、（3）扩散温度为800℃~1000℃。
25、在其中一些实施例中，所述的topcon太阳电池的制备方法还满足下述条件中的至少一种：
26、（1）第二掺杂层的厚度为70nm~120nm；
27、（2）所述隧穿层为二氧化硅隧穿氧化层。
28、在其中一些实施例中，所述的topcon太阳电池的制备方法还满足下述条件中的至少一种：
29、（1）采用链式方法去除硅衬底正面绕镀的第二掺杂层；
30、（2）采用槽式方法去除硅衬底正面绕镀的多晶硅层。
31、在其中一些实施例中，所述的topcon太阳电池的制备方法还满足下述条件中的至少一种：
32、（1）在硅衬底正面制备第一钝化层时，包括如下步骤：在硅衬底正面沉积氧化铝层以及氮化硅层，形成钝化叠层结构；
33、（2）在硅衬底背面制备第二钝化层，在硅衬底正面沉积氮化硅层。
34、在其中一些实施例中，所述topcon太阳电池的制备方法还包括如下步骤：烧结测试。
35、本申请一实施例还提供了一种topcon太阳电池。
36、一种topcon太阳电池，采用所述制备方法制备而成。
37、本专利技术的topcon太阳电池的制备工艺中，对硅衬底的正面制备第一掺杂层之后，再对硅衬底的正面栅线位置制备重掺杂层，第一掺杂层与重掺杂层的掺杂类型相同，重掺杂层的掺杂浓度高于第一掺杂层的掺杂浓度，以及在沉积隧穿层之前先对硅基底背面基进行掺杂元素轻扩，形成第二掺杂层，增加隧穿层下隧穿粒子浓度，改善接触电阻，如此能够提升电池片效率。
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1.一种TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，对硅基底进行双面制绒时，绒面形貌包括正金字塔图形和/或倒金字塔图形。
3.根据权利要求1所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，对硅衬底的正面制备进行硼扩散处理，形成所述第一掺杂层，其中，对硅衬底的正面进行硼扩散处理时，包括下述条件中的至少一种：
4.根据权利要求1所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，硅衬底正面的所述掺杂氧化层的厚度为90nm~130nm。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，对硅衬底背面进行磷扩散处理形成所述第二掺杂层，对硅衬底背面进行磷扩散处理时，满足下述条件中的至少一种：
6.根据权利要求1~4任意一项所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的TOPcon太阳电池的制备方法还满足下述条件中的至少一种：
7.根据权利要求1~4任意一项所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特
8.根据权利要求1~4任意一项所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的TOPcon太阳电池的制备方法还满足下述条件中的至少一种：
9.根据权利要求1~4任意一项所述的TOPcon太阳电池的制备方法，其特征在于，所述TOPcon太阳电池的制备方法还包括如下步骤：烧结测试。
10.一种TOPcon太阳电池，其特征在于，采用权利要求1~9任意一项所述的制备方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种topcon太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的topcon太阳电池的制备方法，其特征在于，对硅基底进行双面制绒时，绒面形貌包括正金字塔图形和/或倒金字塔图形。
3.根据权利要求1所述的topcon太阳电池的制备方法，其特征在于，对硅衬底的正面制备进行硼扩散处理，形成所述第一掺杂层，其中，对硅衬底的正面进行硼扩散处理时，包括下述条件中的至少一种：
4.根据权利要求1所述的topcon太阳电池的制备方法，其特征在于，硅衬底正面的所述掺杂氧化层的厚度为90nm~130nm。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的topcon太阳电池的制备方法，其特征在于，对硅衬底背面进行磷扩散处理形成所述第二掺杂层，对硅衬底背面进行磷扩散处理时，满足下述条件中的至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓峰，陈红，丁留伟，邹杨，汪宏迪，王天成，陈文军，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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