【技术实现步骤摘要】
【】本技术涉及显示器面板领域，具体涉及一种新型顶栅金属氧化物阵列基板。
技术介绍
0、
技术介绍
1、在液晶显示领域中，ffs(fringe field switching)技术是一种通过tft基板上的顶层条状像素电极和底层面状com电极(bottom com)或者顶层com像素电极和底层面状像素电极(bop com)之间产生的边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的液晶显示技术。采用ffs像素结构下的液晶面板具有高透过率、高可视角、高对比度、高色域等特点，是目前高端液晶显示面板的主要像素结构类型。
2、利用金属氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管因其具有漏电流小、场效应迁移率高、区域均匀性好等优点，成为显示面板中阵列基板的重要发展技术之一。
3、现有基于ffs像素结构下所制备的顶栅氧化物tft阵列基板一般需要8～11枚光罩，同时顶栅结构氧化物tft为了减少源漏极与半导体接触电阻，其半导体层的制备工艺中需要沟道区以外的区域进行离子掺杂，使其导体化。此过程中需要额外增加离子掺杂设备、光罩并配合一定的工艺技术，造成成本增加且工艺精度不易控制。在商业化开发氧化物阵列基板的过程中，光罩数量越少，工艺流程越精简，就意味着生产效率越高，生产周期越短，物料成本等生产成本也随之降低，如何解决商业化大面积生产高品质氧化物阵列基板的同时尽量减少所需的成本支出，提高产能，是目前业内的开发瓶颈之一。
4、因此，为解决现有顶栅结构tft需要离子掺杂工艺所带来的成本以及工
技术实现思路
0、
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其通过优化结构，将遮光金属层同时作为中间桥接层连接源漏极与半导体层，解决了现有技术需要掺杂工艺来减少半导体层与源漏极接触电阻的结构性问题，大大降低了生产成本，提高生产效率。
2、本技术是这样实现的：
3、一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，包括玻璃基板，
4、第一金属层，设置在所述玻璃基板上，所述第一金属层包括互相不相连的遮光层、第一中间桥接层以及第二中间桥接层，所述第一中间桥接层和第二中间桥接层分别位于所述遮光层的左右两侧；
5、buffer层，设置在所述第一金属层上；
6、半导体层，设置在所述buffer层上，所述半导体层的位置与所述遮光层相对应，且所述半导体层的两端分别与第一中间桥接层和第二中间桥接层的一端相搭接；
7、栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；
8、第二金属层，设置在所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括栅极；
9、第一中间绝缘层，设置在所述第二金属层上，所述第一中间绝缘层开设有二第一通孔，二所述第一通孔分别位于所述栅极的两侧，且向下依次贯穿所述栅极绝缘层和所述buffer层，并分别露出所述第一中间桥接层和第二中间桥接层的上表面；
10、第三金属层，设置在所述第一中间绝缘层上，所述第三金属层包括源极和漏极，所述源极和漏极分别通过对应的第一通孔与对应的第一中间桥接层和第二中间桥接层相连接；
11、平坦层，设置在所述第三金属层上。
12、进一步地，还包括：
13、第四金属层，设置在所述平坦层上，所述第四金属层包括触控金属层；
14、第二中间绝缘层，设置在所述第四金属层上；
15、第一透明导电层，设置在所述第二中间绝缘层上，所述第一透明导电层包括像素电极，所述像素电极通过第二通孔与所述漏极的上表面相连，所述第二通孔依次贯穿所述第二中间绝缘层和平坦层；
16、第三中间绝缘层，设置在所述第一透明导电层上；
17、第二透明导电层，设置在所述第三中间绝缘层之上，所述第二透明导电层包括com电极，所述com电极通过第三通孔与所述触控金属层的上表面相连，所述第三通孔依次贯穿所述第三中间绝缘层和第二中间绝缘层。
18、进一步地，还包括：
19、第四金属层，设置在所述平坦层上，所述第四金属层包括触控金属层；
20、第二中间绝缘层，设置在所述第四金属层上；
21、第二透明导电层，设置在所述第二中间绝缘层上，所述第二透明导电层包括com电极，所述com电极通过第三通孔与所述触控金属层的上表面相连，所述第三通孔贯穿所述第二中间绝缘层；
22、第三中间绝缘层，设置在所述第二透明导电层上；
23、第一透明导电层，设置在所述第三中间绝缘层上，所述第一透明导电层包括像素电极，所述像素电极通过第二通孔与所述漏极的上表面相连，所述第二通孔依次贯穿所述第三中间绝缘层、第二中间绝缘层和平坦层。
24、进一步地，还包括：
25、第二透明导电层，设置在所述平坦层上，所述第二透明导电层包括com电极；
26、第四金属层，设置在所述第二透明导电层上，所述第四金属层包括触控金属层，所述触控金属层的下表面所述com电极上表面相接；
27、第二中间绝缘层，设置在所述第四金属层上；
28、第一透明导电层，设置在所述第二中间绝缘层上，所述第一透明导电层包括像素电极，所述像素电极通过第二通孔与所述漏极的上表面相连，所述第二通孔依次贯穿所述第二中间绝缘层和平坦层。
29、进一步地，所述第一金属层还包括第三中间桥接层，所述第三中间桥接层位于所述第一中间桥接层左侧；
30、所述第三金属层还包括金属单元一，所述金属单元一通过第四通孔与所述第三中间桥接层相连，所述金属单元一和第三中间桥接层组成数据信号线，所述第四通孔依次贯穿所述第一中间绝缘层、所述栅极绝缘层和所述buffer层。
31、进一步地，所述栅极的两端分别与对应侧的第一中间桥接层、第二中间桥接层在玻璃基板的垂直投影面有交叠面积。
32、进一步地，所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层选用铝、钼、钛、镍、铜、银、钨中的一种，形成单层结构，或两种以上的上述材质组成的多层结构，或两种以上的上述材质组成合金。
33、进一步地，所述buffer层、栅极绝缘层、第一中间绝缘层、平坦层、第二中间绝缘层以及第三中间绝缘层为单层或多层结构，材质选用无机氧化物或者绝缘性质的化合物。
34、进一步地，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材质为ito。
35、本技术具有如下优点：
36、本技术通过结构优化，将遮光金属层同时作为中间桥接层连接源漏极与半导体层，解决了在顶栅结构中因栅极控制区之外的金属氧化物半导体材料阻值过大而需要掺杂工艺来减少半导体层与源漏极接触电阻的结构性问题；因此，本技术无需掺杂工艺即可制备顶栅结本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：包括玻璃基板，
2.根据权利要求1所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：还包括：
3.根据权利要求1所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：还包括：
4.根据权利要求1所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：还包括：
5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一金属层还包括第三中间桥接层，所述第三中间桥接层位于所述第一中间桥接层左侧；
6.根据权利要求5所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：所述栅极的两端分别与对应侧的第一中间桥接层、第二中间桥接层在玻璃基板的垂直投影面有交叠面积。
7.根据权利要求1所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层选用铝、钼、钛、镍、铜、银、钨中的一种，形成单层结构。
8.根据权利要求5所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：所述Buffer层、栅极绝缘层、第一中间绝缘层、平坦层
9.根据权利要求2-4任意一项所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材质为ITO。
...【技术特征摘要】
1.一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：包括玻璃基板，
2.根据权利要求1所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：还包括：
3.根据权利要求1所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：还包括：
4.根据权利要求1所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：还包括：
5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一金属层还包括第三中间桥接层，所述第三中间桥接层位于所述第一中间桥接层左侧；
6.根据权利要求5所述的一种新型顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：所述栅极的两端分别与对应侧的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇怀，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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