【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ldo，具体说是适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路。
技术介绍
1、如图1所示，传统的ldo的限流电路包括mos管p1、mos管p2、mos管p3，运算放大器u1和运算放大器u2，mos管p1、mos管p2和mos管p3组成电流镜，mos管p3为ldo的功率管。当输出带载时运放运算放大器u1通过端采样调整mos管n1的g端电压从而控制流过mos管p1与mos管n1的电流，mos管p2通过一定比例采集到流过mos管p1的电流，此电流流过电阻r2形成采样电压，当采样电压接近u2的参考电压vref时，u2拉低mos管n1的栅极起到限流左右。此限流电路中，p3的宽长比是p2的n倍，所以此电路限流值为n*vref/r2，限流值恒定不随输入电压变化，当输入高压输出带重载或短路时芯片内部的过热保护电路可能来不及反应会存在过热损坏问题。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路，采用该限流电路的芯片可避免过热损坏的情况。
2、为解决上述问题，提供以下技术方案：
3、本专利技术的适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路包括限流控制模块和所述ldo的功率管p4。所述限流控制模块含有mos管n1和运算放大器u1。所述功率管p4的栅极与mos管n1的漏极相连，且功率管p4通过电流镜一复制mos管n1的电流。所述运算放大器u1的反向输入端接所述ldo的输出反馈电压，运算放大器u1同相输入
4、其中，所述电流镜一含有pmos管p3，pmos管p3和所述功率管p4的源极均与所述输入电压vin相连，pmos管p3的栅极与其漏极和功率管p4的栅极相连，pmos管p3的漏极与所述mos管n1的漏极相连。
5、所述电流镜二包括mos管n2和mos管n3，所述mos管n2的漏极与其栅极和所述电阻r2的一端相连，电阻r2的另一端与所述输入电压vin相连，mos管n2的源极接地，mos管n2的栅极与mos管n3的栅极相连，mos管n3的源极接地，mos管n3的漏极与所述电流比较器的一个输入端相连。
6、所述电流镜三包括mos管n4和mos管n5，所述mos管n4的漏极与其栅极和电阻r5的一端相连，电阻r5的另一端接电源vdd，电源vdd的电压为固定值，使电流镜三的输入电流为固定值；所述mos管n4的源极接地，mos管n4的栅极与mos管n5的栅极相连，mos管n5的源极接地，mos管n5的漏极与所述电流比较器的另一个输入端相连。
7、所述电流比较器含有电流镜五，电流镜五包括pmos管p1和pmos管p2，pmos管p1和pmos管p2的源极均与所述电源vdd相连，pmos管p1的栅极与pmos管p2的栅极和pmos管p1的漏极相连，pmos管p1的漏极与所述mos管n5的漏极相连，所述pmos管p2的漏极与所述mos管n3的漏极和所述电流镜四相连。
8、所述电流镜四包括mos管n6和mos管n7，mos管n6的漏极与其栅极和所述pmos管p2的漏极相连，mos管n6的源极接地，mos管n6的栅极与mos管n7的栅极相连，mos管n7的漏极与mos管n1的源极相连，mos管n7的源极接地。
9、所述电源vdd由输入电压vin通过电压转换电路形成，电源vdd驱动基准电压电路bandgap形成所述基准电压vref。
10、所述输入电压vin通过电压转换电路形成所述电源vdd。
11、所述电压转换电路含有mos管n8和电阻r1，电阻r1的一端和mos管n8的漏极与所述输入电压vin相连，电阻r1的另一端与稳压管z1的阴极和mos管n8的栅极相连，稳压管z1的阳极接地，mos管n8的源极形成所述电源vdd。
12、所述电源vdd为所述ldo的基准电压电路bandgap的驱动电源。
13、采取以上方案，具有以下优点：
14、由于本专利技术的适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路的电流镜二和电流镜三，电流镜二的输入电流由输入电压vin经过电阻r2形成，电流镜三的输入电流为固定值，电流镜二的输出电流与电流镜三的输出电流由差分对比较后、被电流镜四复制到mos管n1的源极，为流过mos管n1的最大电流，此电流乘以电流镜一的放大比例即为ldo的限流值。该限流值由电流镜三的输入电流*电流镜三的放大比例-(vin-vthn2)/r2获得，电流镜三的输入电流为固定值，电流镜三的放大比例和电阻r2的阻值也是确定值，从而可得知，该限流电路的限流值随着输入电压变大而降低，从而使得芯片的热保护电路可迅速反应，大大降低了输入高压输出带重载或短路时由于功率过大导致的芯片损坏问题。
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1.适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，包括限流控制模块和所述LDO的功率管P4；所述限流控制模块含有MOS管N1和运算放大器U1；所述功率管P4的栅极与MOS管N1的漏极相连，且功率管P4通过电流镜一复制MOS管N1的电流；所述运算放大器U1的反向输入端接所述LDO的输出反馈电压，运算放大器U1同相输入端接基准电压VREF，运算放大器U1的输出端与所述MOS管N1的栅极相连；其特征在于，还包括电流镜二和电流镜三；所述电流镜二的输入电流由输入电压Vin经过电阻R2形成；所述电流镜三的输入电流为固定值；所述电流镜二的输出电流与电流镜三的输出电流由电流比较器比较后、被电流镜四复制到MOS管N1的源极。
2.如权利要求1所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电流镜一含有PMOS管P3，PMOS管P3和所述功率管P4的源极均与所述输入电压Vin相连，PMOS管P3的栅极与其漏极和功率管P4的栅极相连，PMOS管P3的漏极与所述MOS管N1的漏极相连。
3.如权利要求1所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流
4.如权利要求3所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电流镜三包括MOS管N4和MOS管N5，所述MOS管N4的漏极与其栅极和电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端接电源VDD，电源VDD的电压为固定值，使电流镜三的输入电流为固定值；所述MOS管N4的源极接地，MOS管N4的栅极与MOS管N5的栅极相连，MOS管N5的源极接地，MOS管N5的漏极与所述差分对的另一个输入端相连。
5.如权利要求4所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电流比较器含有电流镜五，电流镜五包括PMOS管P1和PMOS管P2，PMOS管P1和PMOS管P2的源极均与所述电源VDD相连，PMOS管P1的栅极与PMOS管P2的栅极和PMOS管P1的漏极相连，PMOS管P1的漏极与所述MOS管N5的漏极相连，所述PMOS管P2的漏极与所述MOS管N3的漏极和所述电流镜四相连。
6.如权利要求5所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电流镜四包括MOS管N6和MOS管N7，MOS管N6的漏极与其栅极和所述PMOS管P2的漏极相连，MOS管N6的源极接地，MOS管N6的栅极与MOS管N7的栅极相连，MOS管N7的漏极与MOS管N1的源极相连，MOS管N7的源极接地。
7.如权利要求1所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电源VDD由输入电压Vin通过电压转换电路形成，电源VDD驱动基准电压电路BANDGAP形成所述基准电压VREF。
8.如权利要求4-7中任一项所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述输入电压Vin通过电压转换电路形成所述电源VDD。
9.如权利要求8所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电压转换电路含有MOS管N8和电阻R1，电阻R1的一端和MOS管N8的漏极与所述输入电压Vin相连，电阻R1的另一端与稳压管Z1的阴极和MOS管N8的栅极相连，稳压管Z1的阳极接地，MOS管N8的源极形成所述电源VDD。
10.如权利要求8所述的适用于高压LDO的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电源VDD为所述LDO的基准电压电路BANDGAP的驱动电源。
...【技术特征摘要】
1.适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路，包括限流控制模块和所述ldo的功率管p4；所述限流控制模块含有mos管n1和运算放大器u1；所述功率管p4的栅极与mos管n1的漏极相连，且功率管p4通过电流镜一复制mos管n1的电流；所述运算放大器u1的反向输入端接所述ldo的输出反馈电压，运算放大器u1同相输入端接基准电压vref，运算放大器u1的输出端与所述mos管n1的栅极相连；其特征在于，还包括电流镜二和电流镜三；所述电流镜二的输入电流由输入电压vin经过电阻r2形成；所述电流镜三的输入电流为固定值；所述电流镜二的输出电流与电流镜三的输出电流由电流比较器比较后、被电流镜四复制到mos管n1的源极。
2.如权利要求1所述的适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电流镜一含有pmos管p3，pmos管p3和所述功率管p4的源极均与所述输入电压vin相连，pmos管p3的栅极与其漏极和功率管p4的栅极相连，pmos管p3的漏极与所述mos管n1的漏极相连。
3.如权利要求1所述的适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电流镜二包括mos管n2和mos管n3，所述mos管n2的漏极与其栅极和所述电阻r2的一端相连，电阻r2的另一端与所述输入电压vin相连，mos管n2的源极接地，mos管n2的栅极与mos管n3的栅极相连，mos管n3的源极接地，mos管n3的漏极与所述电流比较器的一个输入端相连。
4.如权利要求3所述的适用于高压ldo的限流值随输入电压变化的限流电路，其特征在于，所述电流镜三包括mos管n4和mos管n5，所述mos管n4的漏极与其栅极和电阻r5的一端相连，电阻r5的另一端接电源vdd，电源vdd的电压为固定值，使电流镜三的输入电流为固定值；所述mos管n4的源极接地，mos管n4的栅极与mos管n5的栅极相连，mos管n5的源极接地，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张明超，陈俊，
申请(专利权)人：无锡迈尔斯通集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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