【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在各个实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及包含在电容器区中且与微电子装置的存储器阵列水平间隔的电容器结构的微电子装置及设备及相关存储器装置、电子系统及形成微电子装置的方法。
技术介绍
1、微电子装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分开距离而增大微电子装置内的特征的集成水平或密度。另外，微电子装置设计者通常期望设计不仅紧凑，而且提供性能优势以及简化、更容易及更便宜制造设计的架构。
2、微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含(但不限于)易失性存储器装置。一种类型的易失性存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。dram装置可包含存储器阵列，所述存储器阵列包含布置成在第一水平方向上延伸的行及在第二水平方向上延伸的列的dram胞元。在一个设计配置中，个别dram胞元包含存取装置(例如，晶体管)及电连接到所述存取装置的存储节点装置(例如，电容器)。dram装置的dram胞元可通过沿存储器阵列的行及列布置的数字线及字线电存取且与dram装置的基本控制逻辑结构内的控制逻辑装置电连通。
3、已使用下伏于dram装置的存储器阵列的基本控制逻辑结构内的控制逻辑装置来控制对dram装置的dram胞元的操作。基本控制逻辑结构的控制逻辑装置可设置为通过布线及接触结构与耦合到dram胞元的数字线及字线电连通。不幸地，用于在基本控制逻辑结构上方形成存储器阵列的处理条件(例如，温度、
技术实现思路
1、在一些实施例中，一种微电子装置包括：阵列区，其个别地包括：存储器胞元，其包括存取装置及存储节点装置；数字线，其耦合到所述存取装置且在第一方向上延伸；字线，其耦合到所述存取装置且在正交于所述第一方向的第二方向上延伸；及控制逻辑装置，其在所述存储器胞元上方且与所述存储器胞元电连通。所述微电子装置进一步包括电容器区，所述电容器区在所述第一方向上水平偏离所述阵列区且在所述第二方向上具有大于所述第二方向上的每一个别阵列区的尺寸。所述电容器区个别地包括：额外控制逻辑装置，其垂直上覆于所述存储器胞元；及电容器结构，其在所述额外控制逻辑装置的水平边界内。
2、在其它实施例中，一种微电子装置包括第一微电子装置结构，所述第一微电子装置结构包括：存储体，其各自包括包含存储器胞元的存储器阵列，每一存储器胞元包括存储节点；及电容器结构，其水平偏离所述存储器胞元的所述存储节点且垂直上覆于所述存储节点。所述微电子装置进一步包括附接到所述第一微电子装置结构的第二微电子装置结构。所述第二微电子装置结构包括：控制逻辑装置，其在所述存储器阵列的水平边界内且垂直上覆于所述存储器阵列；及存储体逻辑装置，其包括水平偏离所述控制逻辑装置且垂直上覆于所述电容器结构的额外控制逻辑装置。
3、在又其它实施例中，一种电子系统包括：输入装置；输出装置；处理器装置，其可操作地连接到所述输入装置及所述输出装置；及存储器装置，其可操作地连接到所述处理器装置。所述存储器装置包括：存储器阵列区，其各自包括包含动态随机存取存储器(dram)胞元的存储器胞元；电容器结构，其水平偏离所述存储器阵列区且水平介入所述存储器阵列区与额外存储器阵列区之间；及存取装置，其垂直上覆于所述电容器结构且与至少一些所述电容器结构电连通。
4、在额外实施例中，一种形成微电子装置的方法包括：形成第一微电子装置结构，形成所述第一微电子装置结构包括形成包括包含耦合到存取装置的存储节点装置的存储器胞元的存储器阵列区；及形成包括与所述存储器阵列区水平间隔的电容器结构的电容器区。所述方法进一步包括：形成第二微电子装置结构，形成所述第二微电子装置结构包括形成包括控制逻辑装置的晶体管阵列区；及形成包括与所述晶体管阵列区水平间隔的额外控制逻辑装置的存储体逻辑装置。所述方法进一步包括将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构，使得所述第二微电子装置结构的至少一些所述额外控制逻辑装置定位于所述第一微电子装置结构的至少一些所述电容器结构的水平边界内。
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1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构电耦合到至少一些所述数字线。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存储节点装置垂直对准。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存取装置垂直对准。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构包括大体上与所述数字线及所述字线相同的材料组合物且进一步包括介电材料。
6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构与半导体材料电连通。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构中的第一者的第一电极与水平相邻于所述电容器结构中的所述第一者的所述电容器结构中的第二者的第一电极连续。
8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构与所述额外控制逻辑装置电连通。
9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置包括数字信号获取(DSA)装置、错误检查及校正
10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构中的一或多者包括解耦合电容器。
11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置与所述控制逻辑装置垂直对准。
12.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述电容器区的水平区域是所述阵列区的水平区域的至少约50％。
13.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中至少一些所述数字线从所述阵列区水平延伸到所述电容器区。
14.一种微电子装置，其包括：
15.根据权利要求14所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置与所述电容器结构电连通。
16.根据权利要求14所述的微电子装置，其进一步包括垂直下伏于所述电容器结构的所述第一微电子装置结构中的额外电容器结构。
17.根据权利要求16所述的微电子装置，其中所述额外电容器结构与所述电容器结构至少部分水平对准。
18.根据权利要求16所述的微电子装置，其中所述额外电容器结构与所述额外控制逻辑装置电连通。
19.根据权利要求14所述的微电子装置，其中：
20.根据权利要求14到19中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述电容器结构的电极直接接触半导体材料。
21.根据权利要求14到19中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置大于所述控制逻辑装置。
22.根据权利要求14到19中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述电容器结构与垂直延伸穿过所述第二微电子装置结构且与电力总线电连通的深接触结构电连通。
23.一种电子系统，其包括：
24.根据权利要求23所述的电子系统，其中所述存取装置与所述存储器阵列区的所述存储器胞元的额外存取装置垂直对准。
25.根据权利要求23所述的电子系统，其中所述电容器结构与垂直上覆于所述电容器结构的控制逻辑装置可操作地连通。
26.根据权利要求23所述的电子系统，其中所述电容器结构大体上与所述存储器阵列区的所述存储器胞元的存储节点装置垂直对准。
27.根据权利要求23到26中任一权利要求所述的电子系统，其中所述存取装置包括电连接到所述存储器阵列区内的字线的栅极。
28.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：
29.根据权利要求28所述的方法，其中将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构包括：将所述第一微电子装置结构的隔离材料接合到所述第二微电子装置结构的额外隔离材料。
30.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述第一微电子装置结构包括：大体上与形成所述存储器阵列区的所述存取装置同时形成经配置以与所述电容器结构电连通的额外存取装置。
31.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述第一微电子装置结构包括：形成与所述电容器结构至少部分水平对准的额外电容器结构。
32.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述第一微电子装置结构包括：形成与所述存储器阵列区的所述存取装置垂直对准的所述电容器结构。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构电耦合到至少一些所述数字线。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存储节点装置垂直对准。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存取装置垂直对准。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构包括大体上与所述数字线及所述字线相同的材料组合物且进一步包括介电材料。
6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构与半导体材料电连通。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构中的第一者的第一电极与水平相邻于所述电容器结构中的所述第一者的所述电容器结构中的第二者的第一电极连续。
8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构与所述额外控制逻辑装置电连通。
9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置包括数字信号获取(dsa)装置、错误检查及校正(ecc)装置、电压产生器、命令地址装置、数据输出装置、命令地址装置、反熔丝装置、延迟锁定回路(dll)系统及延迟启用装置中的一或多者。
10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构中的一或多者包括解耦合电容器。
11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置与所述控制逻辑装置垂直对准。
12.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述电容器区的水平区域是所述阵列区的水平区域的至少约50％。
13.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中至少一些所述数字线从所述阵列区水平延伸到所述电容器区。
14.一种微电子装置，其包括：
15.根据权利要求14所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置与所述电容器结构电连通。
16.根据权利要求14所述的微电子装置，其进一步包括垂直下伏于所述电容器结构的所述第一微电子装置结构中的额外电容器结构。
17.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·A·席赛克·艾吉，何源，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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