光半导体装置制造方法及图纸

技术编号：41423371 阅读：5 留言：0更新日期：2024-05-28 20:23

光半导体装置(100)具备半导体基板(8)和包含形成于半导体基板(8)的光波导层(2)的半导体构造部(30)。半导体构造部(30)具备：包层(1)，与光波导层(2)的半导体基板侧的面亦即第一面(23a)以及与半导体基板(8)相反侧的面亦即第二面(23b)连接；和半导体材料的加热层(3)，从光波导层(2)的第一面侧或/和第二面侧经由包层(1)加热光波导层(2)。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请涉及光半导体装置。

技术介绍

1、在具备包含对光进行导波的光波导层的光波导构造的光半导体装置中，还具备加热光波导层的加热层，且能够通过改变光波导层的温度，而改变光波导层的折射率。具备光波导层以及加热层的光半导体装置能够通过改变光波导层的折射率来控制在光波导层中传播的光的波长特性或相位。

2、在专利文献1公开了一种具备作为加热层的电阻加热膜的波长可变半导体激光器。专利文献1的波长可变半导体激光器具备产生光的活性区域、相位控制区域以及分布反射区域。相位控制区域以及分布反射区域依次形成有n型包层、光波导层、p型包层以及p侧电极，在各区域的p侧电极的上部经由绝缘膜形成有电阻加热膜。相位控制区域的电阻加热膜和分布反射区域的电阻加热膜是分离的，独立地加热各区域的光波导层。相位控制区域形成于活性区域与分布反射区域之间，通过对相位控制区域的电阻加热膜进行通电，从而利用热改变相位控制区域整体的折射率。专利文献1的波长可变半导体激光器利用热来控制相位控制区域整体的折射率，使由分布反射区域反射的光的相位与谐振器(激光器整体)的光的相位匹配，抑制波长可变时的模式跳变(mode skipping)。

3、专利文献1：日本特开平06-350203号公报

4、在专利文献1中，作为加热层的电阻加热膜的材料为ti。加热层的材料主要使用ti、nicr、pt等金属材料。使用这些金属材料的理由是由于电阻率高于在导体布线中使用的au等，因此加热层的发热能够比导体布线中的发热大。然而，在将金属材料用于加热层的情况下，如专利文献1的

技术实现思路

1、本申请说明书所公开的技术的目的在于，提供一种能够连续地形成以往的半导体构造部和加热层，并且能够比以往缩短制造工期的包含加热层的光半导体装置。

2、本申请说明书所公开的一个例子的光半导体装置具备半导体基板和包含形成于半导体基板的光波导层的半导体构造部。半导体构造部具备：包层，与光波导层的半导体基板侧的面亦即第一面以及与半导体基板相反侧的面亦即第二面连接；和半导体材料的加热层，从光波导层的第一面侧或/和第二面侧经由包层加热光波导层。

3、本申请说明书所公开的一个例子的光半导体装置具备光波导层以及从光波导层的第一面侧或/和第二面侧经由包层加热光波导层的半导体材料的加热层，由于能够形成包含加热层的半导体构造部，所以能够连续地形成以往的半导体构造部和加热层，能够比以往缩短制造工期。

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【技术保护点】

1.一种光半导体装置，该光半导体装置具备半导体基板和包含形成于所述半导体基板的光波导层的半导体构造部，其中，

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其中，

6.根据权利要求3或4所述的光半导体装置，其中，

7.根据权利要求5所述的光半导体装置，其中，

8.根据权利要求6所述的光半导体装置，其中，

9.根据权利要求1、2、5、7中任一项所述的光半导体装置，其中，

10.根据权利要求3、4、6、8中任一项所述的光半导体装置，其中，

11.一种光半导体装置，其中，

12.一种光半导体装置，其中，

13.根据权利要求12所述的光半导体装置，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光半导体装置，该光半导体装置具备半导体基板和包含形成于所述半导体基板的光波导层的半导体构造部，其中，

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其中，

6.根据权利要求3或4所述的光半导体装置，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤彰悟，松本启资，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：

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