【技术实现步骤摘要】
本公开属于显示，具体涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
1、低温多晶硅技术(ltps)经常用在液晶显示装置以及有机电致发光装置的像素驱动电路中，采用ltps技术制作像素驱动电路中的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)。随着先前对显示装置的要求越来越高，产品对高可靠性和高像素密度(ppi)的需求不断增加，降低oled显示装置像素驱动电路结构的电阻负载并提高充电率问题急需解决；同时像素驱动电路结构的绝缘层也急需提高其抗击穿电压的能力。
2、在现如今的像素驱动电路的设计中，在对导电层进行图形化的步骤时需要进行刻蚀；而刻蚀时可能会发生过度刻蚀的情况，导电层下侧的绝缘层部分被刻蚀掉，导致该部分的厚度会减小；在导电层上侧制作绝缘层时，上侧的绝缘层的材料会进入到下侧绝缘层被过度刻蚀的部分，由于材料特性或是产生的压差等因素，导电层上侧的绝缘层与导电层下侧的绝缘层被刻蚀的地方接触的位置发生击穿，由于在该的部分导电层下侧的绝缘层的厚度变薄，进而会导致下侧绝缘层整体击穿，使两个导电层或是导电层和半导体层短接。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板和显示装置。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，依次设置在衬底基板上的第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层；其中，
3、所述第一导电层包括第一导电图案和镂空图案；
4、在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设置有辅
5、所述辅助功能层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最小距离，不小于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最大距离。
6、其中，所述辅助功能层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最小距离与所述第一绝缘层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最大距离相等。
7、其中，所述第一绝缘层具有第一凹部，所述第一凹部与所述镂空图案对应设置，且所述辅助功能层填充所述第一凹部。
8、其中，所述辅助功能层与所述第一绝缘层的材料相同。
9、其中，所述辅助功能层与所述第一绝缘层均包括氮化硅。
10、其中，所述第二绝缘层包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层；所述第一子绝缘层与所述第一导电图案在所述衬底基板上的正投影无重叠。
11、其中，所述第一子绝缘层的材料包括氧化硅，所述第二子绝缘层的材料包括氮化硅。
12、其中，所述第一导电层包括背离所述衬底基板方向依次设置的第一子导电层、第二子导电层和第三子导电层；所述第一子导电层与所述第三子导电层的材料相同；所述第二子导电层与所述第一子导电层和所述第三子导电层的材料均不同。
13、其中，所述第一子导电层与所述第三子导电层的材料均包括钛；所述第二子导电层的材料包括铝。
14、其中，所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧还包括第二导电层；所述第二导电层包括第二导电图案；所述第二导电图案通过贯穿第二绝缘层的连接过孔与第一导电图案电连接。
15、其中，所述第二导电图案与所述第一导电图案连接构成电源信号线或栅信号线。
16、第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述中任一种所述的阵列基板。
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1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，依次设置在衬底基板上的第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层；其中，
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助功能层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最小距离与所述第一绝缘层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最大距离相等。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层具有第一凹部，所述第一凹部与所述镂空图案对应设置，且所述辅助功能层填充所述第一凹部。
4.根据权利要求1-3中任一所述的阵列基板，其中，所述辅助功能层与所述第一绝缘层的材料相同。
5.根据权利要求1-3中任一所述的阵列基板，其中，所述辅助功能层与所述第一绝缘层均包括氮化硅。
6.根据权利要求1所述阵列基板，其中，所述第二绝缘层包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层；所述第一子绝缘层与所述第一导电图案在所述衬底基板上的正投影无重叠。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一子绝缘层的材料包括氧化硅，所述第二子绝缘层的材料
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层包括背离所述衬底基板方向依次设置的第一子导电层、第二子导电层和第三子导电层；所述第一子导电层与所述第三子导电层的材料相同；所述第二子导电层与所述第一子导电层和所述第三子导电层的材料均不同。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子导电层与所述第三子导电层的材料均包括钛；所述第二子导电层的材料包括铝。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧还包括第二导电层；所述第二导电层包括第二导电图案；所述第二导电图案通过贯穿第二绝缘层的连接过孔与第一导电图案电连接。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电图案与所述第一导电图案连接构成电源信号线或栅信号线。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-11中任一所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，依次设置在衬底基板上的第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层；其中，
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助功能层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最小距离与所述第一绝缘层背离所述衬底基板的表面到所述衬底基板之间的最大距离相等。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层具有第一凹部，所述第一凹部与所述镂空图案对应设置，且所述辅助功能层填充所述第一凹部。
4.根据权利要求1-3中任一所述的阵列基板，其中，所述辅助功能层与所述第一绝缘层的材料相同。
5.根据权利要求1-3中任一所述的阵列基板，其中，所述辅助功能层与所述第一绝缘层均包括氮化硅。
6.根据权利要求1所述阵列基板，其中，所述第二绝缘层包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层；所述第一子绝缘层与所述第一导电图案在所述衬底基板上的正投影无重叠。
7.根据权利要求6所述的阵...
【专利技术属性】
技术研发人员：马波，王凤国，武新国，李艳丰，刘建涛，马宇轩，刘彬，吕文强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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