【技术实现步骤摘要】
本文描述的实施例涉及用于校正带电粒子束系统中的带电粒子束的像差的校正器，例如在电子显微镜中，特别是在扫描电子显微镜(sem)中。具体地，本公开内容的实施例涉及用于校正带电粒子束的球面像差的校正器。实施例进一步涉及用于对样品进行检查和/或成像的带电粒子束系统，例如，所述样品被配置为用于本文描述的方法中的任何方法。实施例进一步涉及用于校正带电粒子束系统中的带电粒子束的像差的方法。具体地，实施例涉及用于校正带电粒子束的球面像差的方法。
技术介绍
1、现代半导体技术对纳米或甚至亚纳米尺度的样本的结构化和探测提出了高要求。微米和纳米尺度的工艺控制、检查或结构化经常是用带电粒子束(例如，电子束)来完成的，所述带电粒子束在带电粒子束系统(诸如电子显微镜或电子束图案生成器)中生成、成形、偏转和聚焦。为了检查目的，与例如光子束相比，带电粒子束提供了优异的空间分辨率。
2、使用带电粒子束的设备(诸如扫描电子显微镜(sem))在多个工业领域中具有许多功能，包括但不限于电子电路的检查、用于光刻的曝光系统、检测系统、缺陷检查工具和用于集成电路的测试系统。在这样的粒子束系统中，可以使用具有高电流密度的细束探针。例如，在sem的情况下，主电子束生成信号粒子，如可以用于成像和/或检查样品的次级电子(se)和/或后向散射电子(bse)。
3、用带电粒子束系统以良好的分辨率可靠地对样品进行检查和/或成像是具有挑战性的，因为带电粒子束可能受到束像差的影响，这限制分辨率。可以提供用于至少部分地补偿带电粒子束的像差(诸如球面像差、像散、和/或色差
4、已经描述了用于校正电子显微镜中的带电粒子束的像差的若干方法。例如，用校正器结构校正环状聚焦带电粒子束的像差，其中所述校正器结构包括多个透镜，所述透镜被配置为用于减小带电粒子束中的三阶几何像差。
5、鉴于上述，提供通过聚焦带电粒子束系统中的透镜来校正带电粒子束的像差的方法是有益的。另外，提供用于对样品进行检查和/或成像的带电粒子束系统是有益的，所述系统被配置为根据本文描述的方法中的任何方法进行操作。另外，提供用于校正带电粒子束的像差的校正器是有益的。
技术实现思路
1、根据上述，根据独立的权利要求，提供了一种用于校正带电粒子束的像差的校正器、被配置为校正带电粒子束的像差的带电粒子束系统以及校正带电粒子束的像差的方法。
2、根据实施例，描述了一种用于校正带电粒子束装置中的带电粒子束的像差的校正器。校正器包括被配置为在垂直于束轴的平面中的多个接线。接线形成两个或更多个开口，用于穿过两个或更多个开口传递带电粒子束。多个接线至少包括第一接线和第二接线，所述第一接线具有被配置为向所述第一接线提供第一电压的第一连接器，所述第二接线具有被配置为向所述第二接线提供第二电压的第二连接器。第二电压与第一电压不同。
3、根据实施例，描述了一种带电粒子束设备。带电粒子束设备包括样品台、适于生成带电粒子束的带电粒子源；以及包括根据本文描述的实施例的像差校正器的带电粒子束操纵系统。
4、根据实施例，描述了一种用校正器校正球面像差的方法。方法包括：向多个接线提供多个电压以生成电场，所述电场近似与到轴线的距离的第一比例、与到轴线的距离的三次方的第二比例并且具有绕轴线的旋转对称性；生成带电粒子束并且沿着轴线引导带电粒子束穿过由多个接线提供的两个或更多个开口。
5、从从属的权利要求、描述和附图中可以明显看出可以与本文描述的实施例相结合的进一步优点、特征、方面和细节。
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1.一种用于校正带电粒子束装置中的带电粒子束的像差的校正器，包括：
2.根据权利要求1所述的校正器，其中所述两个或更多个开口中的一个开口被配置为与所述带电粒子束的中心对准。
3.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述接线笔直地且从所述带电粒子束向外延伸，并且由支撑结构支撑。
4.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述校正器是旋转对称的。
5.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线包括：
6.根据权利要求5所述的校正器，其中所述第一组接线中的接线沿着所述第二方向以非等距距离间隔开。
7.根据权利要求6所述的校正器，其中朝向所述校正器的边缘，所述非等距距离中的两个或更多个非等距距离更小，或者其中随着与开口的距离增加，接线密度至少部分地增加，所述开口被配置为与所述带电粒子束的中心对准。
8.根据权利要求6所述的校正器，其中所述非等距距离被配置为近似三阶校正函数。
9.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线是同心的。
11.根据权利要求9所述的校正器，进一步包括被配置为支撑所述多个接线的支撑结构。
12.根据权利要求11所述的校正器，其中所述支撑结构包括一个或多个连接接线。
13.根据权利要求11所述的校正器，其中所述支撑结构包括电耦合到所述多个接线的多个连接器。
14.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中在MEMS结构中提供所述多个接线。
15.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线具有1μm或以下的直径。
16.根据权利要求15所述的校正器，其中所述多个接线是碳纳米管、钨接线或金属覆盖的硅接线中的一者。
17.一种带电粒子束设备，包括：
18.一种用校正器校正球面像差的方法，包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述电场使带电粒子偏转偏转角，所述偏转角具有与到所述轴线的距离的第一比例、与到所述轴线的距离的三次方的第二比例并且具有绕所述轴线的旋转对称性。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述校正器是根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器。
...【技术特征摘要】
1.一种用于校正带电粒子束装置中的带电粒子束的像差的校正器，包括：
2.根据权利要求1所述的校正器，其中所述两个或更多个开口中的一个开口被配置为与所述带电粒子束的中心对准。
3.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述接线笔直地且从所述带电粒子束向外延伸，并且由支撑结构支撑。
4.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述校正器是旋转对称的。
5.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线包括：
6.根据权利要求5所述的校正器，其中所述第一组接线中的接线沿着所述第二方向以非等距距离间隔开。
7.根据权利要求6所述的校正器，其中朝向所述校正器的边缘，所述非等距距离中的两个或更多个非等距距离更小，或者其中随着与开口的距离增加，接线密度至少部分地增加，所述开口被配置为与所述带电粒子束的中心对准。
8.根据权利要求6所述的校正器，其中所述非等距距离被配置为近似三阶校正函数。
9.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线是同心的。
10.根据权利要求9所述的校正器，其中所述多个接...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·克鲁特，J·布罗伊尔，
申请(专利权)人：ICT半导体集成电路测试有限公司，
类型：发明
国别省市：
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