【技术实现步骤摘要】
本公开的一个实施方式涉及半导体存储装置。
技术介绍
1、本申请的专利技术人开发了半导体存储装置。该半导体存储装置使用在p型基板上形成的具有肖特基结的晶体管对作为存储单元，通过将雪崩热电子捕获到晶体管的栅极周围的绝缘膜中，以非易失性(nonvolatile)保持数据。该半导体存储装置(1)使用与使用最小几十纳米至几纳米的设计规则的cmos工艺一致的制造工艺，能够以低成本制造，并且(2)能够以非易失性(nonvolatile)保持大约几比特至几兆比特的中等容量的数据。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利申请公开第2006/0125041号说明书
5、专利文献2：美国专利第9893208号说明书
6、专利文献3：美国专利第9966141号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种可靠性大幅提高的半导体存储装置，并且其保持以下特征：(1)使用与最小几十纳米至几纳米的设计规则的cmos工艺一致的制造工艺来低成本地制造；以及(2)能够以非易失性(nonvolatile)保持大约几比特至几兆比特的中等容量的数据。
3、用于解决问题的手段
4、一个实施方式所涉及的半导体存储装置，其特征在于，具有位线对、源极线、字线、以及由配置为行列状的多个存储单元构成的存储单元阵列，其中存储单元为形成在n型阱的一对p型晶体管对，晶体管的端子之一是由形成在n型阱上的金属薄膜构
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1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括，
5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括，
7.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括，
8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括，
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