System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器控制器、存储器装置、系统及其控制方法制造方法及图纸_技高网

存储器控制器、存储器装置、系统及其控制方法制造方法及图纸

技术编号:41417882 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-21 20:50
本公开实施例公开了一种存储器控制器、存储器装置、系统及其控制方法,所述存储器控制器与至少一个存储器装置耦接,所述存储器装置包括多个页面;所述存储器控制器被配置为:接收第一命令集;所述第一命令集中包括至少一个读取命令;在所述第一命令集满足第一预设条件时,开启第一读取模式;所述第一预设条件包括所述第一命令集的队列深度为1或者所述第一命令集中的逻辑地址的总长度小于或等于第一阈值;将所述第一命令集对应的需求发送给所述存储器装置;将所述存储器装置发送的第一页面的所有数据中对应的所述第一命令集中的逻辑地址的数据输出;所述第一页面为所述第一命令集中的逻辑地址在所述存储器装置中对应的页面。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及存储,尤其涉及一种存储器控制器及其控制方法、一种存储器装置及其控制方法、一种存储器系统及其控制方法。


技术介绍

1、在诸如个人计算机、服务器或者手机等计算设备中,可包括存储器系统,用于存储用户数据。存储器系统中包括存储器装置和存储器控制器,存储器装置可包括nand等闪存装置。存储器控制器可从主机(例如,中央处理器)接收读写或者擦除命令,控制存储器装置执行相关操作。在不同的使用场景中,主机所需要的数据总量、以及需要读取存储器设备的次数也不一样,例如,读取次数多且数据量大,或者读取次数多而数据量小等不同的情形。

2、受限于存储器控制器与主机通信输入输出(io,input output)端口带宽或者存储器控制器处理频率等因素的影响影响,不同使用场景中,读取性能不均衡,一些使用场景中读取性能较低。如何提高存储器系统的读取性能成为亟待解决的问题。


技术实现思路

1、根据本公开实施例的第一方面,提供一种存储器控制器,包括:

2、所述存储器控制器与至少一个存储器装置耦接,所述存储器装置包括多个页面;所述存储器控制器被配置为:

3、接收第一命令集;所述第一命令集中包括至少一个读取命令;

4、在所述第一命令集满足第一预设条件时,开启第一读取模式;所述第一预设条件包括所述第一命令集的队列深度为1或者所述第一命令集中的逻辑地址的总长度小于或等于第一阈值;

5、将所述第一命令集对应的需求发送给所述存储器装置;

6、将所述存储器装置发送的第一页面的所有数据中对应的所述第一命令集中的逻辑地址的数据输出;所述第一页面为所述第一命令集中的逻辑地址在所述存储器装置中对应的页面。

7、根据本公开实施例的第二方面,提供一种存储器装置,所述存储器装置包括存储阵列和外围电路;其中,

8、所述存储阵列包括多个页面;

9、所述外围电路被配置为:

10、在第一读取模式下,接收第二读取命令;

11、对第一页面的所有数据进行读取操作;所述第一页面为第一命令集的逻辑地址在所述存储器装置中对应的页面。

12、根据本公开实施例的第三方面,提供一种存储器系统,所述存储器系统包括:存储器控制器以及与所述存储器控制器耦接的至少一个存储器装置;其中,

13、所述存储器控制器与主机耦接;所述存储器控制器被配置为:接收主机发送的第一命令集;所述第一命令集中包括至少一个读取命令;在所述第一命令集满足第一预设条件时,开启第一读取模式;所述第一预设条件包括所述第一命令集的队列深度为1或者所述第一命令集中的逻辑地址的总长度小于或等于第一阈值;将所述第一命令集对应的需求合并为第二读取命令并发送给所述存储器装置;

14、所述存储器装置包括存储阵列和外围电路;所述存储阵列包括多个页面;所述外围电路被配置为:在所述第一读取模式下,接收所述第二读取命令;对第一页面进行读取操作,将所述第一页面的所有数据发送给所述存储器控制器;所述第一页面为所述第一命令集的逻辑地址在所述存储器装置中对应的页面;

15、所述存储器控制器还被配置为:将所述存储器装置发送的所述第一页面的所有数据中对应所述第一命令集中的逻辑地址的数据传输给所述主机。

16、根据本公开实施例的第四方面,提供一种存储器控制器的控制方法,包括:

17、接收第一命令集;所述第一命令集中包括至少一个读取命令;

18、在所述第一命令集满足第一预设条件时,开启第一读取模式;所述第一预设条件包括所述第一命令集的队列深度为1或者所述第一命令集中的逻辑地址的总长度小于或等于第一阈值;

19、将所述第一命令集对应的需求发送给存储器装置;

20、将所述存储器装置发送的第一页面的所有数据中对应的所述第一命令集中的逻辑地址的数据输出;所述第一页面为所述第一命令集中的逻辑地址在所述存储器装置中对应的页面。

21、根据本公开实施例的第五方面,提供一种存储器装置的控制方法,包括:

22、在第一读取模式下,接收第二读取命令;

23、对存储器装置中的第一页面进行读取操作;所述第一页面为第一命令集的逻辑地址在所述存储器装置中对应的页面。

24、根据本公开实施例的第六方面,提供一种存储器系统的操作方法,包括:

25、存储器控制器接收主机发送的第一命令集;所述第一命令集中包括至少一个读取命令;在所述第一命令集满足第一预设条件时,开启第一读取模式;所述第一预设条件包括所述第一命令集的队列深度为1或者所述第一命令集中的逻辑地址的总长度小于或等于第一阈值;将所述第一命令集对应的需求合并为第二读取命令并发送给所述存储器装置;

26、所述存储器装置在第一读取模式下,接收所述第二读取命令;对第一页面进行读取操作,将所述第一页面的所有数据发送给所述存储器控制器;所述第一页面为所述第一命令集的逻辑地址在所述存储器装置中对应的页面;

27、所述存储器控制器将所述存储器装置发送的所述第一页面的所有数据中对应所述第一命令集中的逻辑地址的数据传输给所述主机。

28、本公开实施例中的存储器控制器接收第一命令集后,对第一命令集进行判定,当第一命令集满足第一预设条件时才开启第一读取模式,可以针对第一预设条件中包括的低队列深度,或者逻辑地址长度较小的情形,开启第一读取模式,以充分利用存储器装置的并行读取能力,提高存储器控制器在读取方面的控制性能。

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【技术保护点】

1.一种存储器控制器,其特征在于,所述存储器控制器与至少一个存储器装置耦接,所述存储器装置包括多个页面;所述存储器控制器被配置为:

2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其特征在于,所述存储器控制器包括控制部和读取缓冲区;所述读取缓冲区包括第一读取缓冲区,所述控制部被配置为:

3.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

4.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

5.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

6.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述第一命令集中包括多个读取命令;所述存储器控制器被配置为:

7.根据权利要求6所述的存储器控制器,其特征在于,所述读取缓冲区还包括第二读取缓冲区;所述控制部被配置为:

8.根据权利要求7所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

9.根据权利要求1或6所述的存储器控制器,其特征在于,所述第一阈值/所述第二阈值通过数据训练的方式获得。

10.一种存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括存储阵列和外围电路;其中,

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路被配置为:

12.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路被配置为:

13.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括NAND型存储器。

14.一种存储器系统,其特征在于,所述存储器系统包括:存储器控制器以及与所述存储器控制器耦接的至少一个存储器装置;其中,

15.根据权利要求14所述的存储器系统,其特征在于,

16.根据权利要求15所述的存储器系统,其特征在于,

17.根据权利要求15所述的存储器系统,其特征在于,所述控制部被配置为:

18.根据权利要求15所述的存储器系统,其特征在于,所述控制部被配置为:

19.根据权利要求15所述的存储器系统,其特征在于,

20.根据权利要求19所述的存储器系统,其特征在于,所述控制部被配置为:

21.根据权利要求14所述的存储器系统,其特征在于,所述存储器系统包括通用闪存存储UFS设备。

22.一种存储器控制器的控制方法,其特征在于,包括:

23.根据权利要求22所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

24.根据权利要求23所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

25.根据权利要求23所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

26.根据权利要求23所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

27.根据权利要求23所述的控制方法,其特征在于,所述第一命令集中包括多个读取命令;所述方法还包括:

28.根据权利要求27所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

29.根据权利要求28所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

30.一种存储器装置的控制方法,其特征在于,包括:

31.根据权利要求30所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

32.根据权利要求30所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

33.一种存储器系统的操作方法,其特征在于,包括:

34.根据权利要求33所述的操作方法,其特征在于,所述方法还包括:

35.根据权利要求34所述的操作方法,其特征在于,所述方法还包括:

36.根据权利要求34所述的操作方法,其特征在于,所述方法还包括:

37.根据权利要求34所述的操作方法,其特征在于,所述方法还包括:

38.根据权利要求34所述的操作方法,其特征在于,所述方法还包括:

39.根据权利要求38所述的操作方法,其特征在于,所述方法还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器控制器,其特征在于,所述存储器控制器与至少一个存储器装置耦接,所述存储器装置包括多个页面;所述存储器控制器被配置为:

2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其特征在于,所述存储器控制器包括控制部和读取缓冲区;所述读取缓冲区包括第一读取缓冲区,所述控制部被配置为:

3.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

4.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

5.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

6.根据权利要求2所述的存储器控制器,其特征在于,所述第一命令集中包括多个读取命令;所述存储器控制器被配置为:

7.根据权利要求6所述的存储器控制器,其特征在于,所述读取缓冲区还包括第二读取缓冲区;所述控制部被配置为:

8.根据权利要求7所述的存储器控制器,其特征在于,所述控制部被配置为:

9.根据权利要求1或6所述的存储器控制器,其特征在于,所述第一阈值/所述第二阈值通过数据训练的方式获得。

10.一种存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括存储阵列和外围电路;其中,

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路被配置为:

12.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路被配置为:

13.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括nand型存储器。

14.一种存储器系统,其特征在于,所述存储器系统包括:存储器控制器以及与所述存储器控制器耦接的至少一个存储器装置;其中,

15.根据权利要求14所述的存储器系统,其特征在于,

16.根据权利要求15所述的存储器系统,其特征在于,

17.根据权利要求15所述的存储器系统,其特征在于,所述控制部被配置为:

18.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹娜朱飞飞李家国
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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