System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 晶元芯片、驱动面板的制备方法、显示基板及电子设备技术_技高网

晶元芯片、驱动面板的制备方法、显示基板及电子设备技术

技术编号:41417806 阅读:10 留言:0更新日期:2024-05-21 20:50
本公开实施例提供了一种晶元芯片、驱动面板的制备方法、显示基板及电子设备,晶元芯片包括:晶元基板、微米发光二极管芯片、第一弱化结构、第二弱化结构;微米发光二极管芯片包括芯片本体和焊电极,焊电极设置在微米发光二极管芯片远离晶元基板的顶面,焊电极的材料中掺杂有磁性材料;第一弱化结构的第二端设置在微米发光二极管芯片的第一侧面上,第二弱化结构的第二端设置在微米发光二极管芯片的第二侧面上,微米发光二极管芯片通过第一弱化结构和第二弱化结构支撑在晶元基板上,第一侧面与第二侧面相对设置,第一弱化结构和第二弱化结构相对于微米发光二极管芯片为非对称设置。本公开实施例可以简化巨量转移过程的制程工艺,转移过程简单。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示领域,特别涉及一种晶元芯片、驱动面板的制备方法、显示基板及电子设备


技术介绍

1、led磊晶部分结束后,需要将已点亮的led晶体薄膜无需封装直接搬运到驱动背板(也称为驱动基板、电路基板)上,在micro led的生产中,要把数百万甚至数千万颗微米级的led晶粒正确且有效率的移动到电路基板上,转移良率需达到99.9999%,以一个4k电视为例,需要转移的晶粒就高达2400 万颗(以4000x 2000x rgb三色计算),即使一次转移1万颗,也需要重复 2400次。

2、目前已有关于巨量转移技术的相关设备,但巨量转移过程并没有完整的量产制程工艺,转移过程复杂,且产品良率不高。


技术实现思路

1、有鉴于此,本公开实施例提出了一种晶元芯片、驱动面板的制备方法、显示基板及电子设备,用以解决现有技术的如下问题:目前已有关于巨量转移技术的相关设备,但巨量转移过程并没有完整的量产制程工艺,转移过程复杂,且产品良率不高。

2、一方面,本公开实施例提出了一种晶元芯片,包括:晶元基板、微米发光二极管芯片、第一弱化结构、第二弱化结构;所述微米发光二极管芯片包括芯片本体和焊电极,所述焊电极设置在所述微米发光二极管芯片远离所述晶元基板的顶面,所述焊电极的材料中掺杂有磁性材料;所述第一弱化结构和所述第二弱化结构的第一端均设置在所述晶元基板上,所述第一弱化结构的第二端设置在所述微米发光二极管芯片的第一侧面上,所述第二弱化结构的第二端设置在所述微米发光二极管芯片的第二侧面上,所述微米发光二极管芯片通过所述第一弱化结构和所述第二弱化结构支撑在所述晶元基板上,其中,所述第一侧面与所述第二侧面相对设置,所述第一侧面为所述顶面相邻的四个侧面中的任意一个侧面;所述第一弱化结构和所述第二弱化结构相对于所述微米发光二极管芯片为非对称设置,所述非对称设置至少包括以下之一:所述第一弱化结构在所述晶元基板上的第一投影的尺寸与所述第二弱化结构在所述晶元基板上的第二投影的尺寸不同;所述第一弱化结构在第一平面上的第三投影与所述第二弱化结构在所述第一平面上的第四投影不重叠,其中,所述第一平面为与所述晶元基板垂直的平面,所述第一平面还与所述第一侧面所在平面平行;所述第一弱化结构的厚度与所述第二弱化结构的厚度不同。

3、在一些实施例中,所述第一投影的尺寸与所述第二投影的尺寸相同,所述第一弱化结构的结构厚度小于所述第二弱化结构的结构厚度;和/或,所述第三投影的与所述第四投影重叠,所述第一弱化结构的结构厚度小于所述第二弱化结构的结构厚度。

4、在一些实施例中,所述第一弱化结构在所述第一侧面上的设置位置在所述第二侧面上的投影与所述第二弱化结构在所述第二侧面上的设置位置不重叠。

5、在一些实施例中,所述第一弱化结构在所述第一侧面上的第一设置高度大于所述第二弱化结构在所述第二侧面上的第二设置高度,其中,所述第一设置高度为所述第一弱化结构的设置位置相对于所述晶元基板的高度,所述第二设置高度为所述第二弱化结构的设置位置相对于所述晶元基板的高度。

6、在一些实施例中,所述第一弱化结构和所述第二弱化结构均采用半透膜曝光工艺制造。

7、另一方面,本公开实施例提出了一种驱动面板的制备方法,应用本公开任意实施例提供的晶元芯片,包括:翻转所述晶元芯片,以使得微米发光二极管芯片按照预定顺序剥离第一弱化结构和第二弱化结构,置于暂态基板上的光解胶中;将设置有所述光解胶的所述暂态基板置于预定溶液中,并采用紫外光照射所述暂态基板,以溶解光解胶,其中,设置溶解所述光解胶后的所述预定溶液使所述微米发光二极管芯片处于悬浮状态;通过所述预定溶液上方的磁吸装置和所述微米发光二极管芯片的焊电极调整微米发光二极管芯片的朝向,以使得所述微米发光二极管芯片的焊电极远离暂态基板,其中,所述焊电极的材料中掺杂有磁性材料;去除所述预定溶液,以使得所述微米发光二极管芯片的底面与所述暂态基板接触,其中,所述底面为与设置有所述焊电极的顶面相对的一面;将所述暂态基板上的焊电极对接到驱动基板的预定位置,将对接后的所述暂态基板和所述驱动基板进行翻转,并去除所述暂态基板。

8、在一些实施例中,所述预定溶液为显影液。

9、在一些实施例中,所述去除所述预定溶液包括:按照预定抽取速度抽出所述预定溶液。

10、另一方面,本公开实施例提出了一种显示基板,包括:通过本公开任意实施例提供的驱动面板的制备方法加工得到的具有多个微米发光二极管芯片的驱动基板。

11、另一方面,本公开实施例提出了一种电子设备,包括:本公开任意实施例提供的显示基板。

12、本公开实施例的晶元芯片上设置有多个通过第一弱化结构和第二弱化结构支撑的微米发光二极管芯片,第一弱化结构和第二弱化结构对微米发光二极管芯片的支撑力不同,在转移过程中使用晶元芯片时,由于晶元芯片需要翻转,而翻转产生的力会破坏微米发光二极管芯片在晶元基板上被弱化结构支撑所形成的平衡力,使得支撑力较弱的第一弱化结构会断开,随后第二弱化结构也会断开,使得微米发光二极管芯片脱离晶元基板而独立,独立的微米发光二极管芯片的焊电极的材料中掺杂有磁性材料,进而能够通过磁性调整微米发光二极管芯片的朝向,进而减少一次巨量转移过程中的翻转。通过使用本公开实施例的晶元芯片,可以简化巨量转移过程的制程工艺,转移过程简单,后续可以提升产品良率。

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【技术保护点】

1.一种晶元芯片,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的晶元芯片,其特征在于,

3.如权利要求1所述的晶元芯片,其特征在于,

4.如权利要求3所述的晶元芯片,其特征在于,

5.如权利要求1所述的晶元芯片,其特征在于,

6.一种驱动面板的制备方法,其特征在于,应用权利要求1至5中任一项所述的晶元芯片,包括:

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述预定溶液为显影液。

8.如权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述去除所述预定溶液包括:按照预定抽取速度抽出所述预定溶液。

9.一种显示基板,其特征在于,包括:通过权利要求6至8中任一项所述的驱动面板的制备方法加工得到的具有多个微米发光二极管芯片的驱动基板。

10.一种电子设备,其特征在于,包括:权利要求9所述的显示基板。

【技术特征摘要】

1.一种晶元芯片,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的晶元芯片,其特征在于,

3.如权利要求1所述的晶元芯片,其特征在于,

4.如权利要求3所述的晶元芯片,其特征在于,

5.如权利要求1所述的晶元芯片,其特征在于,

6.一种驱动面板的制备方法,其特征在于,应用权利要求1至5中任一项所述的晶元芯片,包括:

7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:董兴马晓峰金亨奎曾俊
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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